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STGF14NC60KD-VB IGBT单管

  • 型号: STGF14NC60KD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

IKD10N60RF-VB IGBT单管

  • 型号: IKD10N60RF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:2500

STGD10NC60KDT4-VB IGBT单管

  • 型号: STGD10NC60KDT4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.7459 ¥3.943
  • 100+ ¥3.6233 ¥3.814
  • 200+ ¥3.5312 ¥3.717
  • 300+ ¥3.4694 ¥3.652
合计:¥56.19
标准包装数量:2500

AOT10B65MQ2-VB IGBT单管

  • 型号: AOT10B65MQ2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:1000

NGTB10N60FG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB10N60FG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

IKB06N60T-VB IGBT单管

  • 型号: IKB06N60T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

VBL16I07 IGBT单管

  • 型号: VBL16I07
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGF20H65DFB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGF20H65DFB2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=25A;VCEsat(typ)=1.9V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=25A;VCEsat(typ)=1.9V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8106 ¥7.169
  • 50+ ¥6.5873 ¥6.934
  • 100+ ¥6.4192 ¥6.757
  • 200+ ¥6.308 ¥6.64
合计:¥68.11
标准包装数量:1000

STGF30M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGF30M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat(typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低损耗、高电流承载能力和良好热性能;适用于储能变流器、工业烤箱、高动态电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat(typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低损耗、高电流承载能力和良好热性能;适用于储能变流器、工业烤箱、高动态电机驱动等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.8106 ¥7.169
  • 50+ ¥6.5873 ¥6.934
  • 100+ ¥6.4192 ¥6.757
  • 200+ ¥6.308 ¥6.64
合计:¥68.11
标准包装数量:1000

VBL16I20 IGBT单管

  • 型号: VBL16I20
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.1719 ¥8.602
  • 50+ ¥7.904 ¥8.32
  • 100+ ¥7.7036 ¥8.109
  • 200+ ¥7.5696 ¥7.968
合计:¥40.86
标准包装数量:800

STGP30M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGP30M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、中频开关场景,尤其在存在感性负载或需要高可靠性的工业/民用设备中表现突出。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、中频开关场景,尤其在存在感性负载或需要高可靠性的工业/民用设备中表现突出。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:1000

AOK10B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOK10B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

AFGHL40T65SPD-VB IGBT单管

  • 型号: AFGHL40T65SPD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

NGTB40N60FL2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N60FL2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW75N65EL5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW75N65EL5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

STGWA80H65DFBAG-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA80H65DFBAG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

FGH50N6S2D-VB IGBT单管

  • 型号: FGH50N6S2D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:29950
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

NGTB40N120S3WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120S3WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

NGTB40N120IHLWG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120IHLWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
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  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

FGY60T120SWD-VB IGBT单管

  • 型号: FGY60T120SWD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
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    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
合计:¥36.15
标准包装数量:300
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