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IKB20N65EH5-VB IGBT单管

  • 型号: IKB20N65EH5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO263;600/650V;25A;VCEsat_1.9V@VGE=15V;VGEth(V)=5V;适用于需要高耐压、强抗短路能力和良好开关特性的工业电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO263;600/650V;25A;VCEsat_1.9V@VGE=15V;VGEth(V)=5V;适用于需要高耐压、强抗短路能力和良好开关特性的工业电力电子场景。
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.1341
  • 10+ ¥9.2604
  • 30+ ¥8.7614
  • 100+ ¥7.4083
  • 300+ ¥7.1288
  • 1000+ ¥6.989
合计:¥10.13
标准包装数量:1000

AOD7B65M3-VB IGBT单管

  • 型号: AOD7B65M3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

STGD5H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGD5H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

STGF5H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGF5H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

IKA08N65F5-VB IGBT单管

  • 型号: IKA08N65F5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

STGF19NC60KD-VB IGBT单管

  • 型号: STGF19NC60KD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.3843 ¥4.615
  • 100+ ¥4.2408 ¥4.464
  • 200+ ¥4.1325 ¥4.35
  • 300+ ¥4.0613 ¥4.275
合计:¥43.84
标准包装数量:1000

AOTF10B65M2-VB IGBT单管

  • 型号: AOTF10B65M2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

FGB5N60UNDF-VB IGBT单管

  • 型号: FGB5N60UNDF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适合频繁启停、存在反电动势的负载,如电磁阀、继电器、小型直流电机等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:800

STGF15H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGF15H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

IRG4PC50UDPBF-VB IGBT单管

  • 型号: IRG4PC50UDPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.8584 ¥8.272
  • 50+ ¥7.6 ¥8
  • 100+ ¥7.4072 ¥7.797
  • 200+ ¥7.278 ¥7.661
合计:¥39.29
标准包装数量:300

HGTG30N60A4D-VB IGBT单管

  • 型号: HGTG30N60A4D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

AOK40B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOK40B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IHW20N65R5-VB IGBT单管

  • 型号: IHW20N65R5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IRG4PC50FDPBF-VB IGBT单管

  • 型号: IRG4PC50FDPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:29966
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

AIGW50N65F5-VB IGBT单管

  • 型号: AIGW50N65F5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

AOK50B65H1-VB IGBT单管

  • 型号: AOK50B65H1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

STGWA60V60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA60V60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

IRGP4066DPBF-VB IGBT单管

  • 型号: IRGP4066DPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;80A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;5Vth(V);适用于汽车油箱油泵控制器、工业电机驱动、可再生能源系统、充电桩以及电动汽车辅助电源等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

NGTB30N120L2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB30N120L2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
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    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

FGH40T120SMD-VB IGBT单管

  • 型号: FGH40T120SMD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
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  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
合计:¥42.43
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