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IGW40N60TP-HXY IGBT单管

型号： IGW40N60TP-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
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IGW50N60TP-HXY IGBT单管

型号： IGW50N60TP-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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标准包装数量：30

NGTB35N65FL2WG-HXY IGBT单管

型号： NGTB35N65FL2WG-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
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RGTH00TS65GC11-HXY IGBT单管

型号： RGTH00TS65GC11-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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10-11工作日
30+ ￥14.82
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合计：￥444.60

标准包装数量：30

IGW50N65H5AXKSA1-HXY IGBT单管

型号： IGW50N65H5AXKSA1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
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AOK40B65HQ2 IGBT单管

型号： AOK40B65HQ2
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
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IXYH40N65C3H1-HXY IGBT单管

型号： IXYH40N65C3H1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
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APT45GR65B-HXY IGBT单管

型号： APT45GR65B-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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IRGP4263D-EPBF-HXY IGBT单管

型号： IRGP4263D-EPBF-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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合计：￥718.20

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APT70GR65B-HXY IGBT单管

型号： APT70GR65B-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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IXYH100N65C3-HXY IGBT单管

型号： IXYH100N65C3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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30+ ￥31.92
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标准包装数量：30

IXYH40N120C3-HXY IGBT单管

型号： IXYH40N120C3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
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标准包装数量：30

IXYH40N120B3D1-HXY IGBT单管

型号： IXYH40N120B3D1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥39.9
60+ ￥39.235
90+ ￥38.2375

合计：￥1,197.00

标准包装数量：30

FGH75N60SFTU-HXY IGBT单管

型号： FGH75N60SFTU-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥43.32
60+ ￥42.598
90+ ￥41.515

合计：￥1,299.60

标准包装数量：30

MSG160T65HLC1 IGBT单管

型号： MSG160T65HLC1
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥45.6
60+ ￥44.84
90+ ￥43.7

合计：￥1,368.00

标准包装数量：30

IKY75N120CH3XKSA1-HXY IGBT单管

型号： IKY75N120CH3XKSA1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P-4L
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.91V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.91V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-12工作日
30+ ￥45.6
60+ ￥44.84
90+ ￥43.7

合计：￥1,368.00

标准包装数量：30

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY IGBT单管

型号： IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,

集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥60
60+ ￥59
90+ ￥57.5

合计：￥1,800.00

标准包装数量：30

IXXX160N65C4-HXY IGBT单管

型号： IXXX160N65C4-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥62.7
60+ ￥61.655
90+ ￥60.0875

合计：￥1,881.00

标准包装数量：30

IXYX120N120C3-HXY IGBT单管

型号： IXYX120N120C3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,

集电极电流(Ic):140A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.55V,二极管正向电流(IF):140A,正向压降(Vf):2.01V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥148.2
60+ ￥145.73
90+ ￥142.025

合计：￥4,446.00

标准包装数量：30

IKW50N65H5-HXY IGBT单管

型号： IKW50N65H5-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.45V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.45V,

库存：360000
起订量：90
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4-5周
90+ ￥142.025

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