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15T65SD IGBT单管

型号： 15T65SD
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-220F
描述：集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,

集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,

库存：360000
起订量：50
增量：50
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7-9工作日
50+ ￥3.372
100+ ￥3.3158
150+ ￥3.2315

合计：￥168.60

标准包装数量：50

AOK40B65H2AL IGBT单管

型号： AOK40B65H2AL
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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10-11工作日
30+ ￥9.6
60+ ￥9.44
90+ ￥9.2

合计：￥288.00

标准包装数量：30

SGT40N60FD2P7 IGBT单管

型号： SGT40N60FD2P7
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥9.6
60+ ￥9.44
90+ ￥9.2

合计：￥288.00

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FGH40T65SHD-F155-HXY IGBT单管

型号： FGH40T65SHD-F155-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥11.16
60+ ￥10.974
90+ ￥10.695

合计：￥334.80

标准包装数量：30

NGTB30N135IHRWG-HXY IGBT单管

型号： NGTB30N135IHRWG-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
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10-11工作日
30+ ￥13.68
60+ ￥13.452
90+ ￥13.11

合计：￥410.40

标准包装数量：30

RGTH80TS65GC13-HXY IGBT单管

型号： RGTH80TS65GC13-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥14.82
60+ ￥14.573
90+ ￥14.2025

合计：￥444.60

标准包装数量：30

YGW75N65FP IGBT单管

型号： YGW75N65FP
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥15.6
60+ ￥15.34
90+ ￥14.95

合计：￥468.00

标准包装数量：30

AOKS40B65H1 IGBT单管

型号： AOKS40B65H1
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥15.96
60+ ￥15.694
90+ ￥15.295

合计：￥478.80

标准包装数量：30

AIGW50N65H5-HXY IGBT单管

型号： AIGW50N65H5-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥15.96
60+ ￥15.694
90+ ￥15.295

合计：￥478.80

标准包装数量：30

AOK75B65H1 IGBT单管

型号： AOK75B65H1
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥16.74
60+ ￥16.461
90+ ￥16.0425

合计：￥502.20

标准包装数量：30

FGH75T65SQD-F155-HXY IGBT单管

型号： FGH75T65SQD-F155-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥16.74
60+ ￥16.461
90+ ￥16.0425

合计：￥502.20

标准包装数量：30

MSG40T120FQC IGBT单管

型号： MSG40T120FQC
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥18
60+ ￥17.7
90+ ￥17.25

合计：￥540.00

标准包装数量：30

RGWS00TS65GC13-HXY IGBT单管

型号： RGWS00TS65GC13-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥18.24
60+ ￥17.936
90+ ￥17.48

合计：￥547.20

标准包装数量：30

IGW40N120H3-HXY IGBT单管

型号： IGW40N120H3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥22.32
60+ ￥21.948
90+ ￥21.39

合计：￥669.60

标准包装数量：30

APT68GA60B-HXY IGBT单管

型号： APT68GA60B-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥31.92
60+ ￥31.388
90+ ￥30.59

合计：￥957.60

标准包装数量：30

IRGP4790D-EPBF-HXY IGBT单管

型号： IRGP4790D-EPBF-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥36.48
60+ ￥35.872
90+ ￥34.96

合计：￥1,094.40

标准包装数量：30

IXGH40N120B2D1-HXY IGBT单管

型号： IXGH40N120B2D1-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥57
60+ ￥56.05
90+ ￥54.625

合计：￥1,710.00

标准包装数量：30

IXXX160N65B4-HXY IGBT单管

型号： IXXX160N65B4-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥62.7
60+ ￥61.655
90+ ￥60.0875

合计：￥1,881.00

标准包装数量：30

IXGH50N120C3-HXY IGBT单管

型号： IXGH50N120C3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥62.7
60+ ￥61.655
90+ ￥60.0875

合计：￥1,881.00

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IKW50N60H3-HXY IGBT单管

型号： IKW50N60H3-HXY
厂牌：HXY MOSFET
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.45V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.45V,

库存：360000
起订量：90
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5周
90+ ￥60.0875

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