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IXYP15N65C3D1M-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYP15N65C3D1M-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,
    集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥7.98
  • 100+ ¥7.847
  • 150+ ¥7.6475
合计:¥399.00
标准包装数量:50

NGTG35N65FL2WG-HXY IGBT单管

  • 型号: NGTG35N65FL2WG-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥9.4972
  • 60+ ¥9.3389
  • 90+ ¥9.1014
合计:¥284.92
标准包装数量:30

STGWA40HP65FB-HXY IGBT单管

  • 型号: STGWA40HP65FB-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.044
  • 60+ ¥9.8766
  • 90+ ¥9.6255
合计:¥301.32
标准包装数量:30

YGW50N65F1A IGBT单管

  • 型号: YGW50N65F1A
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.8
  • 60+ ¥10.62
  • 90+ ¥10.35
合计:¥324.00
标准包装数量:30

AOK50B65H1 IGBT单管

  • 型号: AOK50B65H1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥12.276
  • 60+ ¥12.0714
  • 90+ ¥11.7645
合计:¥368.28
标准包装数量:30

YGW75N65T1 IGBT单管

  • 型号: YGW75N65T1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.6
  • 60+ ¥15.34
  • 90+ ¥14.95
合计:¥468.00
标准包装数量:30

AFGHL75T65SQ-HXY IGBT单管

  • 型号: AFGHL75T65SQ-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.624
  • 60+ ¥15.3636
  • 90+ ¥14.973
合计:¥468.72
标准包装数量:30

IGW50N60H3-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW50N60H3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.96
  • 60+ ¥15.694
  • 90+ ¥15.295
合计:¥478.80
标准包装数量:30

IGW75N65H5XKSA1-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW75N65H5XKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥16.182
  • 60+ ¥15.9123
  • 90+ ¥15.5077
合计:¥485.46
标准包装数量:30

NGTB40N65FL2WG-HXY IGBT单管

  • 型号: NGTB40N65FL2WG-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥18.24
  • 60+ ¥17.936
  • 90+ ¥17.48
合计:¥547.20
标准包装数量:30

SPT40N120F1AT8TL-HXY IGBT单管

  • 型号: SPT40N120F1AT8TL-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥18.972
  • 60+ ¥18.6558
  • 90+ ¥18.1815
合计:¥569.16
标准包装数量:30

AFGHL40T65SPD-HXY IGBT单管

  • 型号: AFGHL40T65SPD-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥19.38
  • 60+ ¥19.057
  • 90+ ¥18.5725
合计:¥581.40
标准包装数量:30

STGYA50H120DF2-HXY IGBT单管

  • 型号: STGYA50H120DF2-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥21.6
  • 60+ ¥21.24
  • 90+ ¥20.7
合计:¥648.00
标准包装数量:30

RGSX5TS65HRC11-HXY IGBT单管

  • 型号: RGSX5TS65HRC11-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
合计:¥684.00
标准包装数量:30

IRGP4790-EPBF-HXY IGBT单管

  • 型号: IRGP4790-EPBF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
合计:¥684.00
标准包装数量:30

IXXH40N65B4H1-HXY IGBT单管

  • 型号: IXXH40N65B4H1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
合计:¥684.00
标准包装数量:30

IRG7PH50K10D-EPBF-HXY IGBT单管

  • 型号: IRG7PH50K10D-EPBF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥31.92
  • 60+ ¥31.388
  • 90+ ¥30.59
合计:¥957.60
标准包装数量:30

IXYR50N120C3D1-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYR50N120C3D1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥51.3
  • 60+ ¥50.445
  • 90+ ¥49.1625
合计:¥1,539.00
标准包装数量:30

IXXX200N65B4-HXY IGBT单管

  • 型号: IXXX200N65B4-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
    集电极电流(Ic):160A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.37V,二极管正向电流(IF):160A,正向压降(Vf):1.33V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥74.1
  • 60+ ¥72.865
  • 90+ ¥71.0125
合计:¥2,223.00
标准包装数量:30

APT75GP120B2G-HXY IGBT单管

  • 型号: APT75GP120B2G-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.9V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.9V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥91.2
  • 60+ ¥89.68
  • 60+ ¥89.68
合计:¥2,736.00
标准包装数量:30
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