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YGW40N65F1A2 IGBT单管

  • 型号: YGW40N65F1A2
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥9.6
  • 60+ ¥9.44
  • 90+ ¥9.2
合计:¥288.00
标准包装数量:30

MSG40T65FH IGBT单管

  • 型号: MSG40T65FH
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥9.6
  • 60+ ¥9.44
  • 90+ ¥9.2
合计:¥288.00
标准包装数量:30

IRGP4263-EPBF-HXY IGBT单管

  • 型号: IRGP4263-EPBF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥9.7356
  • 60+ ¥9.5733
  • 90+ ¥9.3299
合计:¥292.07
标准包装数量:30

YGW50N65T1 IGBT单管

  • 型号: YGW50N65T1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.8
  • 60+ ¥10.62
  • 90+ ¥10.35
合计:¥324.00
标准包装数量:30

AOK40B65M3 IGBT单管

  • 型号: AOK40B65M3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥11.16
  • 60+ ¥10.974
  • 90+ ¥10.695
合计:¥334.80
标准包装数量:30

MSG75T65FQC IGBT单管

  • 型号: MSG75T65FQC
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.4
  • 60+ ¥14.16
  • 90+ ¥13.8
合计:¥432.00
标准包装数量:30

RGWS80TS65GC13-HXY IGBT单管

  • 型号: RGWS80TS65GC13-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.82
  • 60+ ¥14.573
  • 90+ ¥14.2025
合计:¥444.60
标准包装数量:30

SPT50N65F1A1T8TL-HXY IGBT单管

  • 型号: SPT50N65F1A1T8TL-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.82
  • 60+ ¥14.573
  • 90+ ¥14.2025
合计:¥444.60
标准包装数量:30

IRGP4760-EPBF-HXY IGBT单管

  • 型号: IRGP4760-EPBF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥14.82
  • 60+ ¥14.573
  • 90+ ¥14.2025
合计:¥444.60
标准包装数量:30

RGS00TS65HRC11-HXY IGBT单管

  • 型号: RGS00TS65HRC11-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.39
  • 60+ ¥15.1335
  • 90+ ¥14.7487
合计:¥461.70
标准包装数量:30

MLG75T65FDK IGBT单管

  • 型号: MLG75T65FDK
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥15.6
  • 60+ ¥15.34
  • 90+ ¥14.95
合计:¥468.00
标准包装数量:30

FGH75T65SHD-F155-HXY IGBT单管

  • 型号: FGH75T65SHD-F155-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥17.298
  • 60+ ¥17.0097
  • 90+ ¥16.5772
合计:¥518.94
标准包装数量:30

STGWA75M65DF2-HXY IGBT单管

  • 型号: STGWA75M65DF2-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥18.972
  • 60+ ¥18.6558
  • 90+ ¥18.1815
合计:¥569.16
标准包装数量:30

IXYH50N65C3H1-HXY IGBT单管

  • 型号: IXYH50N65C3H1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥28.5
  • 60+ ¥28.025
  • 90+ ¥27.3125
合计:¥855.00
标准包装数量:30

APT40GR120B-HXY IGBT单管

  • 型号: APT40GR120B-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
    集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥30.78
  • 60+ ¥30.267
  • 90+ ¥29.4975
合计:¥923.40
标准包装数量:30

IGW100N60H3-HXY IGBT单管

  • 型号: IGW100N60H3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: 集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,
    集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥31.92
  • 60+ ¥31.388
  • 90+ ¥30.59
合计:¥957.60
标准包装数量:30

APT50GR120B2-HXY IGBT单管

  • 型号: APT50GR120B2-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥45.6
  • 60+ ¥44.84
  • 90+ ¥43.7
合计:¥1,368.00
标准包装数量:30

APT70GR120B2-HXY IGBT单管

  • 型号: APT70GR120B2-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.9V,
    集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.9V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥57
  • 60+ ¥56.05
  • 90+ ¥54.625
合计:¥1,710.00
标准包装数量:30

APT50GT120B2RDQ2G-HXY IGBT单管

  • 型号: APT50GT120B2RDQ2G-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥75.24
  • 60+ ¥73.986
  • 90+ ¥72.105
合计:¥2,257.20
标准包装数量:30

APT50GF120B2RG-HXY IGBT单管

  • 型号: APT50GF120B2RG-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247P
  • 描述: 集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
    集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥85.5
  • 60+ ¥84.075
  • 60+ ¥84.075
合计:¥2,565.00
标准包装数量:30
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