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MSG15T65FL IGBT单管

型号： MSG15T65FL
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-220F
描述：集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,

集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.79V,二极管正向电流(IF):15A,正向压降(Vf):1.68V,

库存：360000
起订量：100
增量：50
批次：--

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内地交货(含增值税)

7-9工作日
100+ ￥3
200+ ￥2.95
300+ ￥2.875

合计：￥300.00

标准包装数量：50

IHW30N135R5-HXY IGBT单管

型号： IHW30N135R5-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥9.24
60+ ￥9.086
90+ ￥8.855

合计：￥277.20

标准包装数量：30

NCE25TD135LT IGBT单管

型号： NCE25TD135LT
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):30A,集射极击穿电压(Vces):1350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V,二极管正向电流(IF):30A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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10-11工作日
30+ ￥9.6
60+ ￥9.44
90+ ￥9.2

合计：￥288.00

标准包装数量：30

SGT50T65FD1P7 IGBT单管

型号： SGT50T65FD1P7
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥10.8
60+ ￥10.62
90+ ￥10.35

合计：￥324.00

标准包装数量：30

FGHL50T65SQ-HXY IGBT单管

型号： FGHL50T65SQ-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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10-11工作日
30+ ￥11.16
60+ ￥10.974
90+ ￥10.695

合计：￥334.80

标准包装数量：30

FGH50T65SQD-F155-HXY IGBT单管

型号： FGH50T65SQD-F155-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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10-11工作日
30+ ￥12.276
60+ ￥12.0714
90+ ￥11.7645

合计：￥368.28

标准包装数量：30

STGWA50M65DF2-HXY IGBT单管

型号： STGWA50M65DF2-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥12.276
60+ ￥12.0714
90+ ￥11.7645

合计：￥368.28

标准包装数量：30

IGW40N65F5-HXY IGBT单管

型号： IGW40N65F5-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥13.11
60+ ￥12.8915
90+ ￥12.5638

合计：￥393.30

标准包装数量：30

AFGHL50T65SQD-HXY IGBT单管

型号： AFGHL50T65SQD-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥13.68
60+ ￥13.452
90+ ￥13.11

合计：￥410.40

标准包装数量：30

FGW75N65WE-HXY IGBT单管

型号： FGW75N65WE-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥14.022
60+ ￥13.7883
90+ ￥13.4377

合计：￥420.66

标准包装数量：30

SPT75N65F1 IGBT单管

型号： SPT75N65F1
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥14.4
60+ ￥14.16
90+ ￥13.8

合计：￥432.00

标准包装数量：30

IGW40N60H3-HXY IGBT单管

型号： IGW40N60H3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥14.82
60+ ￥14.573
90+ ￥14.2025

合计：￥444.60

标准包装数量：30

MIW40N65RA-BP-HXY IGBT单管

型号： MIW40N65RA-BP-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):1.8V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥17.1
60+ ￥16.815
90+ ￥16.3875

合计：￥513.00

标准包装数量：30

NGTB50N65FL2WG-HXY IGBT单管

型号： NGTB50N65FL2WG-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥19.38
60+ ￥19.057
90+ ￥18.5725

合计：￥581.40

标准包装数量：30

RGTH00TS65GC13-HXY IGBT单管

型号： RGTH00TS65GC13-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥19.38
60+ ￥19.057
90+ ￥18.5725

合计：￥581.40

标准包装数量：30

IRGP4266-EPBF-HXY IGBT单管

型号： IRGP4266-EPBF-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

集电极电流(Ic):75A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,二极管正向电流(IF):75A,正向压降(Vf):1.85V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥22.8
60+ ￥22.42
90+ ￥21.85

合计：￥684.00

标准包装数量：30

APT50GT120B2RG-HXY IGBT单管

型号： APT50GT120B2RG-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247P
描述：集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,

集电极电流(Ic):50A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):50A,正向压降(Vf):2.7V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥51.3
60+ ￥50.445
90+ ￥49.1625

合计：￥1,539.00

标准包装数量：30

IXYH120N65C3-HXY IGBT单管

型号： IXYH120N65C3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,

集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
批次：--

数据手册 EDA模型

内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥62.7
60+ ￥61.655
90+ ￥60.0875

合计：￥1,881.00

标准包装数量：30

IXYH120N65B3-HXY IGBT单管

型号： IXYH120N65B3-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,

集电极电流(Ic):100A,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.45V,二极管正向电流(IF):100A,正向压降(Vf):1.55V,

库存：360000
起订量：30
增量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥62.7
60+ ￥61.655
90+ ￥60.0875

合计：￥1,881.00

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APT35GP120BG-HXY IGBT单管

型号： APT35GP120BG-HXY
厂牌：HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
封装：TO-247
描述：集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

集电极电流(Ic):40A,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V,二极管正向电流(IF):40A,正向压降(Vf):2.5V,

库存：360000
起订量：30
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内地交货(含增值税)

10-11工作日
30+ ￥66.12
60+ ￥65.018
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