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BS170FTA 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BS170FTA
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1个N沟道 SOT-23
    1个N沟道 SOT-23
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1222
  • 6000+ ¥0.1202
  • 9000+ ¥0.1171
合计:¥366.60
标准包装数量:3000

AO4411 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO4411
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 在30V额定电压VDSS下,器件可稳定承载9A的连续漏极电流ID,并具备超低的18mR导通电阻RD(on),实现卓越的能效比与低功耗表现.广泛应用于电源转换电机驱动等领域,是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件.
    在30V额定电压VDSS下,器件可稳定承载9A的连续漏极电流ID,并具备超低的18mR导通电阻RD(on),实现卓越的能效比与低功耗表现.广泛应用于电源转换电机驱动等领域,是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3489
  • 6000+ ¥0.3431
  • 9000+ ¥0.3344
合计:¥1,046.70
标准包装数量:3000

NDT3055L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NDT3055L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 单通道N沟道场效应晶体管,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    单通道N沟道场效应晶体管,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.3542
  • 5000+ ¥0.3483
  • 7500+ ¥0.3395
合计:¥885.50
标准包装数量:2500

BSP318S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP318S
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.3861
  • 2000+ ¥0.3797
  • 3000+ ¥0.37
合计:¥386.10
标准包装数量:1000

1N65L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 1N65L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 是一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性.采用平面工艺(Plannar),适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能.TO220;N-Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    是一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性.采用平面工艺(Plannar),适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能.TO220;N-Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.3897
  • 5000+ ¥0.3832
  • 7500+ ¥0.3734
合计:¥974.25
标准包装数量:2500

FDD6676AS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6676AS
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5101
  • 5000+ ¥0.5016
  • 7500+ ¥0.4888
合计:¥1,275.25
标准包装数量:2500

IRF7470 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7470
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 40V 10A
    N沟道 40V 10A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5951
  • 6000+ ¥0.5852
  • 9000+ ¥0.5703
合计:¥1,785.30
标准包装数量:3000

FDD044AN03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD044AN03L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

FDD068AN03L 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD068AN03L
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8147
  • 5000+ ¥0.8012
  • 7500+ ¥0.7808
合计:¥2,036.75
标准包装数量:2500

AOD2610E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD2610E
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,是一款高功率N沟道半导体器件,具有60V的额定电压及惊人的80A电流承载能力.专为高效能电源转换与开关应用设计,以出色的稳定性和卓越能效,成为现代高性能电子设备的理想之选.
    这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,是一款高功率N沟道半导体器件,具有60V的额定电压及惊人的80A电流承载能力.专为高效能电源转换与开关应用设计,以出色的稳定性和卓越能效,成为现代高性能电子设备的理想之选.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.8856
  • 5000+ ¥0.8708
  • 7500+ ¥0.8487
合计:¥2,214.00
标准包装数量:2500

IRF7493 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7493
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.9918
  • 6000+ ¥0.9753
  • 9000+ ¥0.9505
合计:¥2,975.40
标准包装数量:3000

IRF9310 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9310
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V
    P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥1.1513
  • 6000+ ¥1.1321
  • 9000+ ¥1.1033
合计:¥3,453.90
标准包装数量:3000

10N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 10N65F
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 50W 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 650V 1.2Ω@ 5A,10V 1.037nF@25V TO-220F 通孔安装
    50W 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 650V 1.2Ω@ 5A,10V 1.037nF@25V TO-220F 通孔安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.2398
  • 2000+ ¥1.2191
  • 3000+ ¥1.1882
合计:¥1,239.80
标准包装数量:1000

BSZ100N06LS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ100N06LS3G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
    N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥1.5267
  • 10000+ ¥1.5013
  • 15000+ ¥1.4631
合计:¥7,633.50
标准包装数量:5000

SPD06N80C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD06N80C3
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,800V,6A,900mΩ@10V
    N沟道,800V,6A,900mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7712
  • 2000+ ¥1.7416
  • 3000+ ¥1.6974
合计:¥1,771.20
标准包装数量:1000

IPD068N10N3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD068N10N3G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥2.0368
  • 5000+ ¥2.0029
  • 7500+ ¥1.952
合计:¥5,092.00
标准包装数量:2500

IRFB7434G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7434G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥2.2139
  • 2000+ ¥2.1771
  • 3000+ ¥2.1217
合计:¥2,213.90
标准包装数量:1000

IRFB4115 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4115
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220封装,专为高功率应用设计.具有150V的漏源耐压和高达120A的连续电流处理能力,适用于各类电源转换电机驱动与大电流开关场合,提供卓越能效与可靠性.
    此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220封装,专为高功率应用设计.具有150V的漏源耐压和高达120A的连续电流处理能力,适用于各类电源转换电机驱动与大电流开关场合,提供卓越能效与可靠性.
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥3.0816
  • 2000+ ¥3.0302
  • 3000+ ¥2.9532
合计:¥3,081.60
标准包装数量:1000

IRFP150N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP150N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-247
  • 描述: N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
  • 库   存:250
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 250+ ¥3.4113
  • 500+ ¥3.3544
  • 750+ ¥3.2691
合计:¥852.83
标准包装数量:250

SPP11N60C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPP11N60C3
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220
    MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥4.7998
  • 2000+ ¥4.7198
  • 2000+ ¥4.7198
合计:¥4,799.80
标准包装数量:1000
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