处理中...

{{item.name}}

FDN360P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN360P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能.此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.255
  • 6000+ ¥0.2508
  • 9000+ ¥0.2444
合计:¥765.00
标准包装数量:3000

AOD407 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD407
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域.
    采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5668
  • 5000+ ¥0.5573
  • 7500+ ¥0.5432
合计:¥1,417.00
标准包装数量:2500

IRFR024 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR024
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.5951
  • 5000+ ¥0.5852
  • 7500+ ¥0.5703
合计:¥1,487.75
标准包装数量:2500

IRLR8726 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR8726
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
    N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6441
  • 5000+ ¥0.6334
  • 7500+ ¥0.6173
合计:¥1,610.25
标准包装数量:2500

IRF7313 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7313
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 该SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET,专为30V电压下中高电流应用设计.每个通道最大连续电流可达8.5A,适用于电源转换负载切换及电池管理系统,具有低导通电阻与高效能表现,是现代电子设备实现精准功率控制的理想双通道解决方案.
    该SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET,专为30V电压下中高电流应用设计.每个通道最大连续电流可达8.5A,适用于电源转换负载切换及电池管理系统,具有低导通电阻与高效能表现,是现代电子设备实现精准功率控制的理想双通道解决方案.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

IRF7303 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7303
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 双N沟道 30V 4.9A
    双N沟道 30V 4.9A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7085
  • 6000+ ¥0.6967
  • 9000+ ¥0.6789
合计:¥2,125.50
标准包装数量:3000

FQD17P06 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FQD17P06
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的.此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度.此类器件适用于开关模式电源音频放大器直流电机控制和可变开关电源应用.
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的.此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度.此类器件适用于开关模式电源音频放大器直流电机控制和可变开关电源应用.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7138
  • 5000+ ¥0.7019
  • 7500+ ¥0.684
合计:¥1,784.50
标准包装数量:2500

IRFHM4234 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFHM4234
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin DFN T/R
    Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin DFN T/R
  • 库   存:4000
  • 起订量:4000
  • 增   量:4000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 4000+ ¥0.797
  • 8000+ ¥0.7837
  • 12000+ ¥0.7638
合计:¥3,188.00
标准包装数量:4000

IRF7341 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7341
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 高效能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,适用于60V电压环境,具备6.5A强劲连续电流处理能力.特别适合于消费级电子产品中的电源转换负载开关及逆变器应用,其出色的低导通电阻与高速切换性能,确保系统稳定运作并优化能源效率.
    高效能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,适用于60V电压环境,具备6.5A强劲连续电流处理能力.特别适合于消费级电子产品中的电源转换负载开关及逆变器应用,其出色的低导通电阻与高速切换性能,确保系统稳定运作并优化能源效率.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.797
  • 6000+ ¥0.7837
  • 9000+ ¥0.7638
合计:¥2,391.00
标准包装数量:3000

IRFZ34N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ34N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
    N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.9316
  • 2000+ ¥0.9161
  • 3000+ ¥0.8928
合计:¥931.60
标准包装数量:1000

IRF7451 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7451
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 是一款单通道N型MOS场效应管,采用Trench技术,适用于小型电路板的设计和布局.SOP8;N-Channel沟道,150V;5.4A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    是一款单通道N型MOS场效应管,采用Trench技术,适用于小型电路板的设计和布局.SOP8;N-Channel沟道,150V;5.4A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.9741
  • 2000+ ¥0.9579
  • 3000+ ¥0.9335
合计:¥974.10
标准包装数量:1000

IRF530NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF530NS
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: 应用于高频开关电源有源功率因数校正.
    应用于高频开关电源有源功率因数校正.
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥1.13
  • 1600+ ¥1.1112
  • 2400+ ¥1.0829
合计:¥904.00
标准包装数量:800

IRFR13N20D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR13N20D
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,200V,13A,235mΩ@10V
    N沟道,200V,13A,235mΩ@10V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥1.1513
  • 5000+ ¥1.1321
  • 7500+ ¥1.1033
合计:¥2,878.25
标准包装数量:2500

IRF9Z24N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z24N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
    P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.1513
  • 2000+ ¥1.1321
  • 3000+ ¥1.1033
合计:¥1,151.30
标准包装数量:1000

BTA24-600BWRG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BTA24-600BWRG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
    可控硅晶闸管大量应用家用电器,电源等领域
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.5905
  • 2000+ ¥1.564
  • 3000+ ¥1.5242
合计:¥1,590.50
标准包装数量:1000

IRF3710Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3710Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 单N沟道场效应管,适用于需要高功率高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块电动工具汽车电子和工业自动化等.TO220;N-Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
    单N沟道场效应管,适用于需要高功率高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块电动工具汽车电子和工业自动化等.TO220;N-Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7251
  • 2000+ ¥1.6964
  • 3000+ ¥1.6532
合计:¥1,725.10
标准包装数量:1000

IRFB3307Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB3307Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥3.0145
  • 2000+ ¥2.9643
  • 3000+ ¥2.8889
合计:¥3,014.50
标准包装数量:1000

IRFB38N20D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB38N20D
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: 适合电池管理系统AC/DC转换及各类消费电子产品.集成双极性通道,提供优越的开关特性和低导通电阻,确保在正负电压下稳定工作,提升系统效能与节能表现.
    适合电池管理系统AC/DC转换及各类消费电子产品.集成双极性通道,提供优越的开关特性和低导通电阻,确保在正负电压下稳定工作,提升系统效能与节能表现.
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥4.6227
  • 2000+ ¥4.5457
  • 3000+ ¥4.4301
合计:¥4,622.70
标准包装数量:1000

IRFP260N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP260N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-247
  • 描述: N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
  • 库   存:250
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 250+ ¥4.7998
  • 500+ ¥4.7198
  • 750+ ¥4.5998
合计:¥1,199.95
标准包装数量:250

FDN304P-EV 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN304P-EV
  • 厂牌:EVVO Semiconductor
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 460mW(Ta) 1.5V@ 250µA 20nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 52mΩ@ 2.4A,4.5V 1.312nF@10V SOT-23 贴片安装
    460mW(Ta) 1.5V@ 250µA 20nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 52mΩ@ 2.4A,4.5V 1.312nF@10V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 3000+ $0.2075 ¥1.72
  • 3000+ $0.2075 ¥1.72
合计:¥5,160.00
标准包装数量:1
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧