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SI2317A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2317A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
    MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1417
  • 6000+ ¥0.1393
  • 9000+ ¥0.1358
合计:¥425.10
标准包装数量:3000

FDN306P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN306P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺.此产品非常适用于电池管理应用.
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺.此产品非常适用于电池管理应用.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.147
  • 6000+ ¥0.1446
  • 9000+ ¥0.1409
合计:¥441.00
标准包装数量:3000

FDN304P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN304P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,具备5A大电流处理能力.凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场景中,实现高效稳定的功率控制与切换功能.
    P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,具备5A大电流处理能力.凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场景中,实现高效稳定的功率控制与切换功能.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2037
  • 6000+ ¥0.2003
  • 9000+ ¥0.1952
合计:¥611.10
标准包装数量:3000

IRLML2030 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2030
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
    N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2303
  • 6000+ ¥0.2264
  • 9000+ ¥0.2207
合计:¥690.90
标准包装数量:3000

AO6400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6400
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: 是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造.适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品.SOT23-6;N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
    是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造.适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品.SOT23-6;N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

IRF7807 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7807
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道,30V,8.3A
    N沟道,30V,8.3A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2745
  • 6000+ ¥0.27
  • 9000+ ¥0.2631
合计:¥823.50
标准包装数量:3000

CEM9926A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CEM9926A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道,20V,6A,27mΩ@4.5V
    N沟道,20V,6A,27mΩ@4.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3755
  • 6000+ ¥0.3692
  • 9000+ ¥0.3598
合计:¥1,126.50
标准包装数量:3000

BSP318S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP318S
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块传感器模块LED驱动模块和便携式电子产品等领域.SOT223;N-Channel沟道,60V;4.5A;RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.3861
  • 2000+ ¥0.3797
  • 3000+ ¥0.37
合计:¥386.10
标准包装数量:1000

IRF7470 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7470
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道 40V 10A
    N沟道 40V 10A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.5951
  • 6000+ ¥0.5852
  • 9000+ ¥0.5703
合计:¥1,785.30
标准包装数量:3000

FDS6679AZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS6679AZ
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟 -30V -13A
    P沟 -30V -13A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.836
  • 6000+ ¥0.8221
  • 9000+ ¥0.8012
合计:¥2,508.00
标准包装数量:3000

IRF7493 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7493
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.9918
  • 6000+ ¥0.9753
  • 9000+ ¥0.9505
合计:¥2,975.40
标准包装数量:3000

IRF9310 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9310
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V
    P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥1.1513
  • 6000+ ¥1.1321
  • 9000+ ¥1.1033
合计:¥3,453.90
标准包装数量:3000

IRLR2908 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2908
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 单路N型场效应晶体管,适用于汽车电子模块工业控制模块等领域.TO252;N-Channel沟道,100V;40A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
    单路N型场效应晶体管,适用于汽车电子模块工业控制模块等领域.TO252;N-Channel沟道,100V;40A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥1.2292
  • 5000+ ¥1.2087
  • 7500+ ¥1.178
合计:¥3,073.00
标准包装数量:2500

BSZ100N06LS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ100N06LS3G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
    N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 5000+ ¥1.5267
  • 10000+ ¥1.5013
  • 15000+ ¥1.4631
合计:¥7,633.50
标准包装数量:5000

IRLU3110Z 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLU3110Z
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-251
  • 描述: N沟道,100V,63A,14mΩ@10V
    N沟道,100V,63A,14mΩ@10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥1.6861
  • 6000+ ¥1.658
  • 9000+ ¥1.6159
合计:¥5,058.30
标准包装数量:3000

IRF2807S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF2807S
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: 单极性N型沟道MOSFET,适用于需要高性能高可靠性和高效率的功率电子模块,如电源管理电动车辆和工业自动化等领域.TO263;N-Channel沟道,80V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;
    单极性N型沟道MOSFET,适用于需要高性能高可靠性和高效率的功率电子模块,如电源管理电动车辆和工业自动化等领域.TO263;N-Channel沟道,80V;120A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥1.7322
  • 1600+ ¥1.7033
  • 2400+ ¥1.66
合计:¥1,385.76
标准包装数量:800

SPD06N80C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD06N80C3
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: N沟道,800V,6A,900mΩ@10V
    N沟道,800V,6A,900mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥1.7712
  • 2000+ ¥1.7416
  • 3000+ ¥1.6974
合计:¥1,771.20
标准包装数量:1000

IPD068N10N3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD068N10N3G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: --
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥2.0368
  • 5000+ ¥2.0029
  • 7500+ ¥1.952
合计:¥5,092.00
标准包装数量:2500

IRFB7434G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB7434G
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥2.2139
  • 2000+ ¥2.1771
  • 3000+ ¥2.1217
合计:¥2,213.90
标准包装数量:1000

IRFP150N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP150N
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-247
  • 描述: N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
  • 库   存:250
  • 起订量:250
  • 增   量:250
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 250+ ¥3.4113
  • 500+ ¥3.3544
  • 500+ ¥3.3544
合计:¥852.83
标准包装数量:250
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