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IRLML2803 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2803
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: --
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1328
  • 6000+ ¥0.1306
  • 9000+ ¥0.1273
合计:¥398.40
标准包装数量:3000

SI2317A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2317A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
    MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1417
  • 6000+ ¥0.1393
  • 9000+ ¥0.1358
合计:¥425.10
标准包装数量:3000

IRLML5103 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML5103
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
    P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.1505
  • 6000+ ¥0.148
  • 9000+ ¥0.1443
合计:¥451.50
标准包装数量:3000

FDN304P 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDN304P
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23
  • 描述: P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,具备5A大电流处理能力.凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场景中,实现高效稳定的功率控制与切换功能.
    P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,具备5A大电流处理能力.凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器电源转换等场景中,实现高效稳定的功率控制与切换功能.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2037
  • 6000+ ¥0.2003
  • 9000+ ¥0.1952
合计:¥611.10
标准包装数量:3000

AO6402A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO6402A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-23-6
  • 描述: N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V
    N-Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2657
  • 6000+ ¥0.2612
  • 9000+ ¥0.2546
合计:¥797.10
标准包装数量:3000

IRF7807 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7807
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: N沟道,30V,8.3A
    N沟道,30V,8.3A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.2745
  • 6000+ ¥0.27
  • 9000+ ¥0.2631
合计:¥823.50
标准包装数量:3000

IRF7205 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7205
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,特别针对30V电压下高效能开关与电源管理应用设计.拥有5.8A连续电流处理能力,适合于中等功率负载切换电池保护电路及各类电子设备的电源转换场景,具备出色的导通性能和低损耗特性
    这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET,特别针对30V电压下高效能开关与电源管理应用设计.拥有5.8A连续电流处理能力,适合于中等功率负载切换电池保护电路及各类电子设备的电源转换场景,具备出色的导通性能和低损耗特性
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.3188
  • 6000+ ¥0.3135
  • 9000+ ¥0.3055
合计:¥956.40
标准包装数量:3000

15N10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 15N10
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.4428
  • 5000+ ¥0.4354
  • 7500+ ¥0.4243
合计:¥1,107.00
标准包装数量:2500

IRF9333 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9333
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 是一款单通道功率场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择.SOP8;P-Channel沟道,-30V;-9A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
    是一款单通道功率场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择.SOP8;P-Channel沟道,-30V;-9A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥0.457
  • 2000+ ¥0.4493
  • 3000+ ¥0.4379
合计:¥457.00
标准包装数量:1000

FDD6776A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD6776A
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
    MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

FDD8586 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8586
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

FDD8896 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDD8896
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
    此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器.它经过了优化,可实现低门极电荷低 RDS(ON) 和快速开关.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6111
  • 5000+ ¥0.6009
  • 7500+ ¥0.5856
合计:¥1,527.75
标准包装数量:2500

IPD050N03LG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD050N03LG
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 此款N型场效应管提供100A的电流承载能力和30V的工作电压范围,适用于多种非工业领域.其内阻典型值低至3.8mΩ,显著降低了导通状态下的能耗.20V的VGS阈值电压确保了在广泛的应用环境中都能实现可靠的开关性能.该元件适合用于消费电子产品的电源管理高效能转换电路以及其他要求高性能和低功耗的应用场景中.
    此款N型场效应管提供100A的电流承载能力和30V的工作电压范围,适用于多种非工业领域.其内阻典型值低至3.8mΩ,显著降低了导通状态下的能耗.20V的VGS阈值电压确保了在广泛的应用环境中都能实现可靠的开关性能.该元件适合用于消费电子产品的电源管理高效能转换电路以及其他要求高性能和低功耗的应用场景中.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.6518
  • 5000+ ¥0.6409
  • 7500+ ¥0.6246
合计:¥1,629.50
标准包装数量:2500

AOD4185 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD4185
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-252
  • 描述: 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计,实现高效稳定的开关控制,是优化系统性能的理想半导体元件.
    专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计,实现高效稳定的开关控制,是优化系统性能的理想半导体元件.
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7085
  • 5000+ ¥0.6967
  • 7500+ ¥0.6789
合计:¥1,771.25
标准包装数量:2500

IRFL9014 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL9014
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOT-223
  • 描述: P沟道,-60V,-1.8A,500mΩ@-10V
    P沟道,-60V,-1.8A,500mΩ@-10V
  • 库   存:2500
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 2500+ ¥0.7085
  • 5000+ ¥0.6967
  • 7500+ ¥0.6789
合计:¥1,771.25
标准包装数量:2500

IRF7455 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7455
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: 该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装,专为处理高电流应用而设计.额定电压30V,可承载高达80A连续电流,特别适用于电源转换电池管理系统及大功率电子设备,具有出色的导通性能和散热效率,是现代电子系统中不可或缺的高性能半导体元件.
    该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装,专为处理高电流应用而设计.额定电压30V,可承载高达80A连续电流,特别适用于电源转换电池管理系统及大功率电子设备,具有出色的导通性能和散热效率,是现代电子系统中不可或缺的高性能半导体元件.
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.7439
  • 6000+ ¥0.7315
  • 9000+ ¥0.7129
合计:¥2,231.70
标准包装数量:3000

FDS6679AZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDS6679AZ
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:SOP-8
  • 描述: P沟 -30V -13A
    P沟 -30V -13A
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.836
  • 6000+ ¥0.8221
  • 9000+ ¥0.8012
合计:¥2,508.00
标准包装数量:3000

IRL3803S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL3803S
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-263
  • 描述: 单体N型场效应管,适用于中高功率和中电流的应用场景.TO263;N-Channel沟道,30V;98A;RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
    单体N型场效应管,适用于中高功率和中电流的应用场景.TO263;N-Channel沟道,30V;98A;RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
  • 库   存:800
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 800+ ¥1.0308
  • 1600+ ¥1.0136
  • 2400+ ¥0.9879
合计:¥824.64
标准包装数量:800

IRFB52N15D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB52N15D
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
    N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥3.6096
  • 2000+ ¥3.5495
  • 3000+ ¥3.4592
合计:¥3,609.60
标准包装数量:1000

IRFB4332 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4332
  • 厂牌:EVVOSEMI/翊欧
  • 封装:TO-220
  • 描述: N沟道,250V,120A,29mΩ@10V
    N沟道,250V,120A,29mΩ@10V
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 1000+ ¥6.1991
  • 2000+ ¥6.0957
  • 2000+ ¥6.0957
合计:¥6,199.10
标准包装数量:1000
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