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BSS214NWH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS214NWH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-323
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:8
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5746
  • 10+ ¥0.5473
  • 50+ ¥0.507
  • 100+ ¥0.4659
  • 500+ ¥0.4478
  • 1000+ ¥0.4205
合计:¥0.57
标准包装数量:3000

BSS131 H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS131 H6327
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT
  • 描述: 360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
    360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
  • 库   存:111
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5919
  • 10+ ¥0.4917
  • 50+ ¥0.4136
  • 100+ ¥0.3797
  • 500+ ¥0.3409
  • 1000+ ¥0.3201
合计:¥0.59
标准包装数量:3000

IRLML5103TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML5103TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,MICRO-3,MICRO-3,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:18899
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6747
  • 10+ ¥0.6426
  • 50+ ¥0.5954
  • 100+ ¥0.5471
  • 500+ ¥0.5258
  • 1000+ ¥0.4937
合计:¥0.67
标准包装数量:3000

BSS169 H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169 H6327
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT-23,SOT-23-3
  • 描述: 360mW 20V 1.8V 2.1nC@ 7V 1个N沟道 100V 5.3Ω@ 0V,2.9Ω@ 10V 170mA 51pF@ 25V SOT-23,SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
    360mW 20V 1.8V 2.1nC@ 7V 1个N沟道 100V 5.3Ω@ 0V,2.9Ω@ 10V 170mA 51pF@ 25V SOT-23,SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
  • 库   存:37777
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7342
  • 50+ ¥0.5905
  • 150+ ¥0.5166
  • 500+ ¥0.4557
  • 3000+ ¥0.4344
  • 6000+ ¥0.42
合计:¥3.67
标准包装数量:3000

IRLML0030TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML0030TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:64406
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.8908
  • 50+ ¥0.7084
  • 150+ ¥0.6172
  • 500+ ¥0.5477
  • 3000+ ¥0.4928
  • 6000+ ¥0.4654
合计:¥4.45
标准包装数量:3000

IRLML2060TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2060TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,MICRO-3,SOT-23,TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:11101
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0633
  • 50+ ¥0.8556
  • 150+ ¥0.7525
  • 500+ ¥0.6757
  • 3000+ ¥0.4823
  • 6000+ ¥0.4516
合计:¥5.32
标准包装数量:3000

IRFR120NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:2000,TO-252,TO-252-3
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 A, 9.4 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 A, 9.4 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
  • 库   存:30937
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.511
  • 10+ ¥1.4391
  • 50+ ¥1.3333
  • 100+ ¥1.2252
  • 500+ ¥1.1774
  • 1000+ ¥1.1056
合计:¥1.51
标准包装数量:2000

IRF540NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF540NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:53
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.8396
  • 50+ ¥1.4045
  • 150+ ¥1.1673
  • 500+ ¥1.0087
  • 2000+ ¥0.9647
  • 5000+ ¥0.938
合计:¥9.20
标准包装数量:1000

IRFZ34NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ34NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 29 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:15528
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.0049
  • 10+ ¥1.8875
  • 50+ ¥1.7487
  • 100+ ¥1.5739
  • 500+ ¥1.4821
  • 1000+ ¥1.4156
合计:¥2.00
标准包装数量:50

IRFZ48NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ48NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 64 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 64 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:147
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8348
  • 10+ ¥2.6998
  • 50+ ¥2.5013
  • 100+ ¥2.2678
  • 500+ ¥2.153
  • 1000+ ¥2.0248
合计:¥2.83
标准包装数量:50

IRF7105TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7105TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=25 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=25 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:149
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.6484
  • 10+ ¥3.7743
  • 30+ ¥3.3464
  • 100+ ¥2.9126
  • 500+ ¥2.2377
  • 1000+ ¥2.0989
合计:¥4.65
标准包装数量:4000

IRFB4227PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4227PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:16293
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8166
  • 10+ ¥4.6327
  • 50+ ¥4.3573
  • 100+ ¥4.0217
  • 500+ ¥3.8526
  • 1000+ ¥3.6598
合计:¥4.82
标准包装数量:50

IRL530NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL530NSTRLPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: MOS管, Vds=100 V, 17 A, D2PAK封装, 表面贴装
    MOS管, Vds=100 V, 17 A, D2PAK封装, 表面贴装
  • 库   存:588
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.2543
  • 10+ ¥5.0041
  • 50+ ¥4.6361
  • 100+ ¥4.2034
  • 500+ ¥3.9906
  • 1000+ ¥3.7531
合计:¥5.25
标准包装数量:800

IPA60R180P7S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPA60R180P7S
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L
  • 描述: 26W(Tc) 20V 4V@ 280µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 650V 180mΩ@ 5.6A,10V 18A 1.081nF@400V TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L 通孔安装
    26W(Tc) 20V 4V@ 280µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 650V 180mΩ@ 5.6A,10V 18A 1.081nF@400V TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L 通孔安装
  • 库   存:104
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.625
  • 10+ ¥5.3571
  • 50+ ¥4.9632
  • 100+ ¥4.5
  • 500+ ¥4.2722
  • 1000+ ¥4.0179
合计:¥5.63
标准包装数量:50

IRFP4110PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4110PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:101
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.5799
  • 10+ ¥9.1237
  • 50+ ¥8.858
  • 100+ ¥8.6
合计:¥9.58
标准包装数量:25

IRFP4227PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4227PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:19105
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.3159
  • 10+ ¥8.7116
  • 25+ ¥7.7002
  • 100+ ¥6.67
  • 500+ ¥6.21
  • 1000+ ¥6
合计:¥10.32
标准包装数量:25

IRL40SC228 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL40SC228
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 557 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 557 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:351
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.0464
  • 10+ ¥9.2827
  • 30+ ¥8.1891
  • 100+ ¥7.0553
  • 500+ ¥6.5564
  • 800+ ¥6.3283
合计:¥11.05
标准包装数量:800

IPT017N12NM6ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT017N12NM6ATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道 120V 331A 贴片安装
    1个N沟道 120V 331A 贴片安装
  • 库   存:785
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥18.1048
  • 10+ ¥17.2427
  • 50+ ¥15.9748
  • 100+ ¥14.4838
  • 500+ ¥13.7505
  • 1000+ ¥12.932
合计:¥18.10
标准包装数量:2000

IAUT300N10S5N015 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUT300N10S5N015
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:HSOF-8
  • 描述: 375W 20V 3.8V 31nC 2个N沟道 100V 15.66nF@15V 300A 16.011nF@ 50V HSOF-8
    375W 20V 3.8V 31nC 2个N沟道 100V 15.66nF@15V 300A 16.011nF@ 50V HSOF-8
  • 库   存:45
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥20.1954
  • 10+ ¥18.814
  • 50+ ¥16.5
  • 100+ ¥14.3
合计:¥20.20
标准包装数量:2000

ISC022N10NM6ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: ISC022N10NM6ATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TSON-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 230 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 230 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥33.7367
  • 10+ ¥31.1415
  • 50+ ¥27.3541
  • 100+ ¥25.6228
  • 100+ ¥25.6228
合计:¥33.74
标准包装数量:5000
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