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IRLML6244TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6244TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 6.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 6.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:38316
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1219
  • 50+ ¥0.8998
  • 150+ ¥0.8079
  • 500+ ¥0.6932
  • 3000+ ¥0.6422
  • 6000+ ¥0.6115
合计:¥5.61
标准包装数量:3000

IRLML0060TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML0060TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-223,SOT-23,SOT-23-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 2.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:14939
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.4288
  • 50+ ¥1.1744
  • 150+ ¥1.0701
  • 500+ ¥0.9399
  • 3000+ ¥0.7277
  • 6000+ ¥0.693
合计:¥7.14
标准包装数量:3000

IRFR9120NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9120NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:DPAK-5,SOP-8,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 6.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 6.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:13203
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.9111
  • 50+ ¥1.5014
  • 150+ ¥1.3262
  • 500+ ¥1.1106
  • 2000+ ¥1.0146
  • 4000+ ¥0.9571
合计:¥9.56
标准包装数量:2000

IRFR3607TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3607TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:2000,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.125
  • 10+ ¥2.063
  • 100+ ¥2.022
  • 500+ ¥1.963
合计:¥2.13
标准包装数量:2000

BSP129H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP129H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 1.8W(Ta) 20V 1V@ 108µA 5.7nC@ 5 V 1个N沟道 240V 6Ω@ 350mA,10V 350mA 108pF@25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
    1.8W(Ta) 20V 1V@ 108µA 5.7nC@ 5 V 1个N沟道 240V 6Ω@ 350mA,10V 350mA 108pF@25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
  • 库   存:3930
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2457
  • 10+ ¥1.8721
  • 50+ ¥1.7531
  • 100+ ¥1.6051
  • 500+ ¥1.4949
  • 1000+ ¥1.406
合计:¥2.25
标准包装数量:1000

IRLL024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5698
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.1857
  • 10+ ¥2.5105
  • 30+ ¥2.2296
合计:¥3.19
标准包装数量:2500

IRF640NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF640NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:25946
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.7518
  • 10+ ¥3.911
  • 30+ ¥3.4815
  • 100+ ¥3.0709
  • 500+ ¥2.4303
  • 800+ ¥2.3001
合计:¥4.75
标准包装数量:800

BSC027N04LS G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC027N04LS G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: N 通道 40V 24A(Ta),100A(Tc) 8-PowerTDFN
    N 通道 40V 24A(Ta),100A(Tc) 8-PowerTDFN
  • 库   存:1789
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8267
  • 10+ ¥4.0445
  • 30+ ¥3.6367
  • 100+ ¥3.2601
  • 500+ ¥2.8929
  • 1000+ ¥2.7737
合计:¥4.83
标准包装数量:5000

IPD35N10S3L-26 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD35N10S3L-26
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 71W 20V 2.4V 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 24mΩ@ 10V 35A 2.07nF@ 25V TO-252 支架安装,贴片安装 2.41mm(高度)
    71W 20V 2.4V 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 24mΩ@ 10V 35A 2.07nF@ 25V TO-252 支架安装,贴片安装 2.41mm(高度)
  • 库   存:2429
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.263
  • 10+ ¥5.0049
  • 50+ ¥4.6313
  • 100+ ¥4.296
  • 500+ ¥3.9598
  • 1000+ ¥3.7593
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

IPC50N04S55R8ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPC50N04S55R8ATMA1
  • 厂牌:INFINEON
  • 封装:TDSON-8-33
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPC系列, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 IPC系列, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:184
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6355
  • 10+ ¥5.1563
  • 100+ ¥4.5135
合计:¥5.64
标准包装数量:5000

IRF8788TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8788TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 24 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 24 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2829
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6875
  • 10+ ¥5.4167
  • 50+ ¥5.0184
  • 100+ ¥4.55
  • 500+ ¥4.3196
  • 1000+ ¥4.0625
合计:¥5.69
标准包装数量:4000

IRL540NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRL540NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 36 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 36 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3200
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.4101
  • 10+ ¥6.1048
  • 50+ ¥5.6559
  • 100+ ¥5.128
  • 500+ ¥4.8684
  • 1000+ ¥4.5786
合计:¥6.41
标准包装数量:800

SPD30P06P G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPD30P06P G
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252-3
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 30 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 30 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:485
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7023
  • 10+ ¥6.3554
  • 50+ ¥5.8419
  • 100+ ¥5.2327
  • 500+ ¥4.931
  • 1000+ ¥4.7593
合计:¥6.70
标准包装数量:2500

BSC110N15NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC110N15NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies/IR
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:114
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9333
  • 10+ ¥6.328
  • 30+ ¥5.453
  • 100+ ¥4.8153
合计:¥6.93
标准包装数量:5000

IPB072N15N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB072N15N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: N 通道 150V 100A(Tc) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
    N 通道 150V 100A(Tc) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 库   存:32018
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.3318
  • 10+ ¥8.8308
  • 50+ ¥8.1118
  • 100+ ¥7.281
  • 500+ ¥6.8758
  • 1000+ ¥6.4305
合计:¥9.33
标准包装数量:1000

BSC037N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC037N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 114W 20V 3.8V 46nC@ 10V 1个N沟道 80V 3.7mΩ@ 10V,50A 100A 4.2nF@ 40V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    114W 20V 3.8V 46nC@ 10V 1个N沟道 80V 3.7mΩ@ 10V,50A 100A 4.2nF@ 40V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:3761
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.5843
  • 10+ ¥9.1676
  • 50+ ¥8.5481
  • 100+ ¥7.8082
  • 500+ ¥7.4408
  • 1000+ ¥7.0285
合计:¥9.58
标准包装数量:5000

IPP023N10N5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPP023N10N5
  • 厂牌:Infineon Technologies/IR
  • 封装:TO-220
  • 描述: 375KW 20V 3.8V 168nC@ 10V 1个N沟道 100V 2.3mΩ@ 10V 120A 12nF@ 50V TO-220 导线安装,通孔安装 9.45mm(高度)
    375KW 20V 3.8V 168nC@ 10V 1个N沟道 100V 2.3mΩ@ 10V 120A 12nF@ 50V TO-220 导线安装,通孔安装 9.45mm(高度)
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.113
  • 10+ ¥9.914
  • 100+ ¥9.72
合计:¥10.11
标准包装数量:500

IPB107N20N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB107N20N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3781
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.6924
  • 10+ ¥9.0528
  • 30+ ¥8.0618
  • 100+ ¥7.0299
  • 500+ ¥6.5757
  • 1000+ ¥6.375
合计:¥10.69
标准包装数量:1000

IKW40N120CS6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IKW40N120CS6
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 20V 285nC 1.2KV 4.7Ω@10V,950mA 80A 2.7nF@25V TO-247-3
    20V 285nC 1.2KV 4.7Ω@10V,950mA 80A 2.7nF@25V TO-247-3
  • 库   存:9
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥32.8317
  • 10+ ¥28.2336
  • 30+ ¥22.924
  • 100+ ¥20.2473
合计:¥32.83
标准包装数量:30

IPW60R017C7XKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW60R017C7XKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 600V CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 109 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道MOS管 600V CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 109 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:37
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥140.7865
  • 10+ ¥131.8798
  • 10+ ¥131.8798
合计:¥140.79
标准包装数量:240
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