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IRLR8726TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR8726TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 86 A, DPAK封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 86 A, DPAK封装, 通孔安装
  • 库   存:2911
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0026
  • 50+ ¥0.7947
  • 150+ ¥0.7003
  • 500+ ¥0.5899
  • 2000+ ¥0.5409
  • 4000+ ¥0.5114
合计:¥5.01
标准包装数量:2000

IRLML2244TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2244TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:DIP-4,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:60926
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.936
  • 50+ ¥1.579
  • 150+ ¥1.4134
  • 500+ ¥1.2414
  • 3000+ ¥1.1652
合计:¥9.68
标准包装数量:3000

BSP315PH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP315PH6327XTSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 1.17 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 1.17 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:287
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.9412
  • 10+ ¥2.7778
  • 50+ ¥2.5424
  • 100+ ¥2.2727
  • 500+ ¥2.1429
  • 1000+ ¥2
合计:¥2.94
标准包装数量:1000

IPW50R190CEFKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW50R190CEFKSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装 21.1mm(高度)
    127W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 18.5A 1.137nF@100V TO-247 通孔安装 21.1mm(高度)
  • 库   存:15
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-2工作日
    内地交货(含增值税)
    2-3工作日
  • 1+ $0.4 ¥3.34
合计:¥3.34
标准包装数量:1

BSL606SNH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSL606SNH6327XTSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TSOP
  • 描述: 2W(Ta) 20V 2.3V@ 15µA 5.6nC@ 5 V 1个N沟道 60V 60mΩ@ 4.5A,10V 4.5A 657pF@25V TSOP 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.1mm
    2W(Ta) 20V 2.3V@ 15µA 5.6nC@ 5 V 1个N沟道 60V 60mΩ@ 4.5A,10V 4.5A 657pF@25V TSOP 贴片安装 2.9mm*1.6mm*1.1mm
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3517
  • 10+ ¥2.6374
  • 30+ ¥2.3189
  • 100+ ¥1.9419
  • 500+ ¥1.6841
合计:¥3.35
标准包装数量:3000

BSP372N H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP372N H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 1.8KW 20V 1.8V 9.5nC@ 10V 1个N沟道 100V 230mΩ@ 10V 247pF@ 25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*350cm*1.6mm
    1.8KW 20V 1.8V 9.5nC@ 10V 1个N沟道 100V 230mΩ@ 10V 247pF@ 25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*350cm*1.6mm
  • 库   存:1453
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.3784
  • 10+ ¥2.6573
  • 30+ ¥2.3266
  • 100+ ¥1.9429
  • 500+ ¥1.7635
  • 1000+ ¥1.6639
合计:¥3.38
标准包装数量:1000

IRFL014NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFL014NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=55 V, 1.9 a, SOT-223封装, 表面贴装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=55 V, 1.9 a, SOT-223封装, 表面贴装
  • 库   存:4999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.4041
  • 10+ ¥3.5872
  • 50+ ¥3.2278
  • 100+ ¥2.782
  • 500+ ¥2.1785
  • 1000+ ¥2.0736
合计:¥4.40
标准包装数量:2500

IRFB4310ZPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4310ZPBF
  • 厂牌:INFINEON
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 127 A, TO-220AB封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 127 A, TO-220AB封装, 通孔安装
  • 库   存:397
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.4648
  • 10+ ¥4.3122
  • 100+ ¥4.234
合计:¥4.46
标准包装数量:50

BSC047N08NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC047N08NS3G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: 2.5KW 20V 3.5V 52nC@ 10V 1个N沟道 80V 4.7mΩ@ 10V 100A 3.6nF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.5V 52nC@ 10V 1个N沟道 80V 4.7mΩ@ 10V 100A 3.6nF@ 40V SON 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:469
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.695
  • 10+ ¥3.5252
  • 100+ ¥3.2541
  • 500+ ¥3.0639
合计:¥4.70
标准包装数量:5000

IRFS4227TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS4227TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 62 A, D2Pak,TO-262封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 62 A, D2Pak,TO-262封装, 通孔安装
  • 库   存:2353
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.3494
  • 10+ ¥5.1045
  • 50+ ¥4.87
  • 100+ ¥4.7333
  • 500+ ¥4.6005
合计:¥5.35
标准包装数量:800

BSC010N04LS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC010N04LS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 2V 95nC@ 10V,49nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 1mΩ@ 10V 38A 6.8nF@ 20V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 2V 95nC@ 10V,49nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 1mΩ@ 10V 38A 6.8nF@ 20V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:251
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.5579
  • 10+ ¥4.5056
  • 30+ ¥3.9806
  • 100+ ¥3.4655
  • 500+ ¥3.1486
合计:¥5.56
标准包装数量:5000

IRF5210PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF5210PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 40 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 40 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:2438
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.5337
  • 10+ ¥6.2226
  • 50+ ¥5.7651
  • 100+ ¥5.227
  • 500+ ¥4.9623
  • 1000+ ¥4.667
合计:¥6.53
标准包装数量:50

IRFB4110PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4110PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:25
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.6594
  • 10+ ¥5.6828
  • 50+ ¥4.4154
  • 100+ ¥3.8511
  • 600+ ¥3.6729
  • 900+ ¥3.564
合计:¥6.66
标准包装数量:50

IRLZ44NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLZ44NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: 3.8W(Ta),110W(Tc) 16V 2V@ 250µA 48nC@ 5 V 1个N沟道 55V 22mΩ@ 25A,10V 47A 1.7nF@25V D2PAK 贴片安装 5.08mm(高度)
    3.8W(Ta),110W(Tc) 16V 2V@ 250µA 48nC@ 5 V 1个N沟道 55V 22mΩ@ 25A,10V 47A 1.7nF@25V D2PAK 贴片安装 5.08mm(高度)
  • 库   存:145
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.6653
  • 10+ ¥6.5457
  • 30+ ¥5.918
  • 100+ ¥5.0197
  • 500+ ¥4.7191
  • 800+ ¥4.5793
合计:¥7.67
标准包装数量:800

BSC039N06NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC039N06NS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.3V 27nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.9mΩ@ 10V 100A 2nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.3V 27nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.9mΩ@ 10V 100A 2nF@ 30V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:14
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.7538
  • 10+ ¥7.2884
  • 30+ ¥6.4896
  • 100+ ¥5.5963
  • 500+ ¥5.0009
  • 1000+ ¥4.8214
合计:¥8.75
标准包装数量:5000

IRFB4321PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4321PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 85 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 85 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.0651
  • 10+ ¥10.4611
  • 50+ ¥8.8686
  • 100+ ¥7.8992
合计:¥12.07
标准包装数量:50

IRFP4321PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4321PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 78 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 78 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:649
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.6892
  • 10+ ¥10.7078
  • 25+ ¥9.4842
  • 100+ ¥8.2453
  • 400+ ¥7.6787
  • 800+ ¥7.4305
合计:¥12.69
标准包装数量:25

SPB17N80C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPB17N80C3
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: 227W 20V 3.9V 88nC@ 10V 1个N沟道 800V 290mΩ@ 10V 17A 2.3nF@ 100V D2PAK 支架安装,贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
    227W 20V 3.9V 88nC@ 10V 1个N沟道 800V 290mΩ@ 10V 17A 2.3nF@ 100V D2PAK 支架安装,贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
  • 库   存:470
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥15.6839
  • 10+ ¥13.2606
  • 30+ ¥11.768
  • 100+ ¥9.2641
  • 500+ ¥8.574
  • 1000+ ¥8.2766
合计:¥15.68
标准包装数量:1000

BSC012N06NSATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC012N06NSATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TSON-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 306 A, TSON-8-3封装, 表面贴装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 306 A, TSON-8-3封装, 表面贴装
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥31.6281
  • 10+ ¥29.1952
  • 50+ ¥25.6444
  • 100+ ¥24.0214
  • 500+ ¥22.5915
合计:¥31.63
标准包装数量:5000

IPB017N10N5LF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB017N10N5LF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-263
  • 描述: 313KW 20V 4.1V 195nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.7mΩ@ 10V 256A 650pF@ 50V TO-263 贴片安装 10mm*925cm*4.4mm
    313KW 20V 4.1V 195nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.7mΩ@ 10V 256A 650pF@ 50V TO-263 贴片安装 10mm*925cm*4.4mm
  • 库   存:43
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥37.5
  • 10+ ¥34.6154
  • 50+ ¥30.4054
  • 100+ ¥28.481
  • 100+ ¥28.481
合计:¥37.50
标准包装数量:1000
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