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IRLR8726TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR8726TRLPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: 75W(Tc) 20V 2.35V@ 50µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 25A,10V 86A 2.15nF@15V TO-252 贴片安装 2.52mm(高度)
    75W(Tc) 20V 2.35V@ 50µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 25A,10V 86A 2.15nF@15V TO-252 贴片安装 2.52mm(高度)
  • 库   存:1945
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2375
  • 50+ ¥0.987
  • 150+ ¥0.879
合计:¥6.19
标准包装数量:3000

IRLML6246TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6246TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-223,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:144
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.3775
  • 50+ ¥1.0527
  • 150+ ¥0.9099
  • 500+ ¥0.7361
  • 3000+ ¥0.6591
  • 6000+ ¥0.613
合计:¥6.89
标准包装数量:3000

IRF8736TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8736TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 50µA 26nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.8mΩ@ 18A,10V 18A 2.315nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 50µA 26nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.8mΩ@ 18A,10V 18A 2.315nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:1087
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5238
  • 10+ ¥1.4545
  • 50+ ¥1.3521
  • 100+ ¥1.2466
  • 500+ ¥1.1999
  • 1000+ ¥1.1294
合计:¥1.52
标准包装数量:4000

IRF9530NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:97718
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.918
  • 50+ ¥1.5051
  • 150+ ¥1.3282
  • 500+ ¥1.1074
  • 2000+ ¥1.009
  • 5000+ ¥0.95
合计:¥9.59
标准包装数量:50

IRF9540NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9540NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 23 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 23 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:155802
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.209
  • 50+ ¥1.6372
  • 150+ ¥1.4021
  • 500+ ¥1.1923
  • 2500+ ¥1.1346
  • 5000+ ¥1.1
合计:¥11.05
标准包装数量:50

IRF9Z34NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z34NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 19 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 19 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6476
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8661
  • 10+ ¥2.2939
  • 50+ ¥2.156
  • 100+ ¥1.8593
  • 500+ ¥1.7294
  • 1000+ ¥1.6504
合计:¥2.87
标准包装数量:50

IRF3710PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3710PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:25585
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.0975
  • 10+ ¥2.5849
  • 50+ ¥2.2573
  • 100+ ¥1.9801
  • 500+ ¥1.8909
  • 1000+ ¥1.8315
合计:¥3.10
标准包装数量:50

IRF7309TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7309TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3 A,4 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 3 A,4 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:541
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.1959
  • 10+ ¥2.9423
  • 50+ ¥2.6916
  • 100+ ¥2.5176
  • 500+ ¥2.3664
  • 1000+ ¥2.2255
合计:¥3.20
标准包装数量:4000

IRFR5505TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5505TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2590
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.4403
  • 10+ ¥2.6574
  • 30+ ¥2.3276
  • 100+ ¥1.9115
  • 500+ ¥1.7325
  • 1000+ ¥1.6236
合计:¥3.44
标准包装数量:2000

IRFR2405TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR2405TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 56 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 56 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1464
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.9036
  • 10+ ¥4.6543
  • 50+ ¥4.2907
  • 100+ ¥3.8676
  • 500+ ¥3.6614
  • 1000+ ¥3.4325
合计:¥4.90
标准包装数量:2000

IRLR2908TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2908TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0326
  • 10+ ¥4.7967
  • 50+ ¥4.4484
  • 100+ ¥4.0392
  • 500+ ¥3.8372
  • 1000+ ¥3.6111
合计:¥5.03
标准包装数量:2000

IRFR3710ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
  • 库   存:9718
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.7626
  • 10+ ¥4.5684
  • 30+ ¥3.9716
  • 100+ ¥3.3966
  • 500+ ¥3.0499
合计:¥5.76
标准包装数量:2000

BSC030N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC030N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 1个N沟道 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 1个N沟道 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:44244
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.0847
  • 10+ ¥4.9274
  • 30+ ¥4.2336
  • 100+ ¥3.68
  • 500+ ¥3.51
  • 1000+ ¥3.4
合计:¥6.08
标准包装数量:5000

IRF4905STRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF4905STRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 70 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 70 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5490
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.7891
  • 10+ ¥5.7818
  • 30+ ¥5.0688
  • 100+ ¥4.5144
  • 500+ ¥3.5739
  • 800+ ¥3.465
合计:¥6.79
标准包装数量:800

IRFR4620TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4620TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.5266
  • 10+ ¥6.2996
  • 30+ ¥5.7025
  • 100+ ¥5.1009
  • 500+ ¥3.97
合计:¥7.53
标准包装数量:3000

BSC026N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC026N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.8V 74nC@ 10V 2个N沟道 80V 2.6mΩ@ 10V 184A 5.2nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.8V 74nC@ 10V 2个N沟道 80V 2.6mΩ@ 10V 184A 5.2nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:5938
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.1692
  • 10+ ¥7.7802
  • 50+ ¥7.2081
  • 100+ ¥6.5354
  • 500+ ¥6.2045
  • 1000+ ¥5.8352
合计:¥8.17
标准包装数量:5000

SPW20N60C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPW20N60C3
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 208KW 20V 3.9V 87nC@ 10V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 10V 20.7A 2.4nF@ 25V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*530cm*20.95mm
    208KW 20V 3.9V 87nC@ 10V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 10V 20.7A 2.4nF@ 25V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*530cm*20.95mm
  • 库   存:958
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.3861
  • 10+ ¥10.8439
  • 50+ ¥10.0466
  • 100+ ¥9.1089
  • 500+ ¥8.6477
  • 1000+ ¥8.133
合计:¥11.39
标准包装数量:30

IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD90P04P405ATMA2
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313封装, 表面贴装
    P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313封装, 表面贴装
  • 库   存:1684
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.9812
  • 10+ ¥11.4106
  • 50+ ¥10.5716
  • 100+ ¥9.5849
  • 500+ ¥9.0996
  • 1000+ ¥8.558
合计:¥11.98
标准包装数量:2500

IPT017N12NM6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT017N12NM6
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道 331A
    1个N沟道 331A
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥23.6149
  • 10+ ¥22.1737
  • 50+ ¥20.1202
  • 100+ ¥17.8109
  • 500+ ¥16.7147
  • 1000+ ¥15.5184
合计:¥23.61
标准包装数量:2000

IPW65R019C7FKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW65R019C7FKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 75 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 75 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:24
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥119.97
  • 1+ ¥119.97
合计:¥119.97
标准包装数量:30
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