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BSS123N H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS123N H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT
  • 描述: 500mW 20V 1.8V 0.6nC@ 10V 2个N沟道 100V 6Ω@ 10V 190mA 15.7pF@ 25V SOT 贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
    500mW 20V 1.8V 0.6nC@ 10V 2个N沟道 100V 6Ω@ 10V 190mA 15.7pF@ 25V SOT 贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
  • 库   存:720
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.3555
  • 10+ ¥0.3385
  • 50+ ¥0.3136
  • 100+ ¥0.2882
  • 500+ ¥0.277
  • 1000+ ¥0.2601
合计:¥0.36
标准包装数量:3000

BSS138N H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS138N H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:25434
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.608
  • 50+ ¥0.5028
  • 150+ ¥0.4476
  • 500+ ¥0.4086
  • 3000+ ¥0.3127
  • 6000+ ¥0.297
合计:¥3.04
标准包装数量:3000

BSS139H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS139H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=250V, 100 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道MOS管, Vds=250V, 100 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:33000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.9957
  • 10+ ¥1.7745
  • 50+ ¥1.6739
  • 100+ ¥1.4939
  • 500+ ¥1.4106
  • 1000+ ¥1.3323
  • 3000+ ¥1.2595
合计:¥2.00
标准包装数量:3000

IRLB8314PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLB8314PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 171 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 171 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:8986
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.5125
  • 10+ ¥2.8647
  • 50+ ¥2.585
  • 100+ ¥2.248
  • 500+ ¥2.0991
  • 1000+ ¥2.01
合计:¥3.51
标准包装数量:50

BSC026N04LS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC026N04LS
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 2.5W 20V 2V 32nC@ 10V 1个N沟道 40V 2.6mΩ@ 10V 119A 2.3nF@ 20V TDSON-8 贴片安装 5.15mm*5.9mm*1mm
    2.5W 20V 2V 32nC@ 10V 1个N沟道 40V 2.6mΩ@ 10V 119A 2.3nF@ 20V TDSON-8 贴片安装 5.15mm*5.9mm*1mm
  • 库   存:5800
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.4562
  • 10+ ¥3.4866
  • 30+ ¥3.0004
  • 100+ ¥2.5148
  • 500+ ¥2.2275
  • 1000+ ¥2.079
合计:¥4.46
标准包装数量:5000

IPD60R180P7S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD60R180P7S
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:PQFN-8,TO-247,TO-252
  • 描述: 72KW 20V 4V 25nC@ 10V 2个N沟道 600V 180mΩ@ 10V 11A 1.081nF@ 400V PQFN-8,TO-247,TO-252
    72KW 20V 4V 25nC@ 10V 2个N沟道 600V 180mΩ@ 10V 11A 1.081nF@ 400V PQFN-8,TO-247,TO-252
  • 库   存:1539
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.1398
  • 10+ ¥4.1386
  • 30+ ¥3.6335
  • 100+ ¥3.1383
  • 500+ ¥2.8512
  • 1000+ ¥2.6928
合计:¥5.14
标准包装数量:2500

IRFB4020PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4020PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:189
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.1516
  • 10+ ¥4.1721
  • 50+ ¥3.6745
  • 100+ ¥3.1882
  • 500+ ¥2.9109
  • 1000+ ¥2.7623
合计:¥5.15
标准包装数量:50

IRLR2905TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2905TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 42 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 42 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:22207
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.3627
  • 10+ ¥4.3777
  • 30+ ¥3.8909
  • 100+ ¥3.4057
  • 500+ ¥2.6037
  • 1000+ ¥2.4552
合计:¥5.36
标准包装数量:2000

BSZ110N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ110N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TSDSON(EP)
  • 描述: 50KW 20V 3.8V 15nC@ 10V 80V 11mΩ@ 10V 20A 1.3nF@ 40V TSDSON(EP) 支架安装,贴片安装 3.3mm*330cm*1mm
    50KW 20V 3.8V 15nC@ 10V 80V 11mΩ@ 10V 20A 1.3nF@ 40V TSDSON(EP) 支架安装,贴片安装 3.3mm*330cm*1mm
  • 库   存:4652
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.4578
  • 10+ ¥5.9609
  • 50+ ¥5.2822
  • 100+ ¥4.5572
  • 500+ ¥4.2265
  • 1000+ ¥3.8736
合计:¥6.46
标准包装数量:5000

BSC011N03LSI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC011N03LSI
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 2.5W 20V 2V 68nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 15V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
    2.5W 20V 2V 68nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 15V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
  • 库   存:46
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.463
  • 10+ ¥6.1552
  • 50+ ¥5.7026
  • 100+ ¥5.1704
  • 500+ ¥4.9086
  • 1000+ ¥4.6164
合计:¥6.46
标准包装数量:5000

IPP075N15N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPP075N15N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220
  • 描述: 晶体管 - FET,MOSFET - 单 N通道 50V 100mA SOT-23-3
    晶体管 - FET,MOSFET - 单 N通道 50V 100mA SOT-23-3
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.78
  • 10+ ¥5.83
  • 100+ ¥5.1
合计:¥6.78
标准包装数量:50

IRFZ44NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFZ44NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: N沟道MOS管, Vds=55 V, 49 A, TO-262封装, 表面贴装
    N沟道MOS管, Vds=55 V, 49 A, TO-262封装, 表面贴装
  • 库   存:2601
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.1489
  • 10+ ¥5.8329
  • 30+ ¥5.1791
  • 100+ ¥4.5344
  • 500+ ¥3.3859
  • 800+ ¥3.1878
合计:¥7.15
标准包装数量:800

BSZ900N20NS3GATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSZ900N20NS3GATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TSDSON-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 15.2 A, PG-TSDSON-8封装, 表面贴装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 15.2 A, PG-TSDSON-8封装, 表面贴装
  • 库   存:5000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.5874
  • 10+ ¥7.2261
  • 50+ ¥6.6948
  • 100+ ¥6.152
  • 500+ ¥5.9123
  • 1000+ ¥5.5518
合计:¥7.59
标准包装数量:5000

IPB80N06S4-05 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB80N06S4-05
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-263
  • 描述: 107W 20V 4V 62nC@ 10V 60V 5.4mΩ@ 10V 5nF@ 25V TO-263
    107W 20V 4V 62nC@ 10V 60V 5.4mΩ@ 10V 5nF@ 25V TO-263
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.3458
  • 10+ ¥7.8349
  • 50+ ¥7.1109
  • 100+ ¥6.2949
  • 500+ ¥5.9075
合计:¥8.35
标准包装数量:1000

SPP17N80C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPP17N80C3
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=800 V, 17 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=800 V, 17 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:49
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.4219
  • 10+ ¥8.807
  • 50+ ¥7.2666
合计:¥10.42
标准包装数量:50

IPB107N20N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB107N20N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3781
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.6924
  • 10+ ¥9.0528
  • 30+ ¥8.0618
  • 100+ ¥7.0299
  • 500+ ¥6.5757
  • 1000+ ¥6.375
合计:¥10.69
标准包装数量:1000

IPT015N10N5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT015N10N5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:HSOF-8,TO-3P-3L
  • 描述: 375KW 20V 3.8V 169nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.5mΩ@ 10V 300A 12nF@ 50V HSOF-8,TO-3P-3L 支架安装,贴片安装 9.9mm*10.38m*2.3mm
    375KW 20V 3.8V 169nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.5mΩ@ 10V 300A 12nF@ 50V HSOF-8,TO-3P-3L 支架安装,贴片安装 9.9mm*10.38m*2.3mm
  • 库   存:5180
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.9897
  • 10+ ¥9.9892
  • 30+ ¥8.2665
  • 100+ ¥7.5636
  • 500+ ¥7.2765
  • 1000+ ¥7.128
合计:¥10.99
标准包装数量:2000

IRFP90N20DPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP90N20DPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 94 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 94 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1450
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥18.19
  • 10+ ¥15.51
  • 25+ ¥13.84
  • 100+ ¥12.12
  • 525+ ¥11.34
  • 1050+ ¥11.01
合计:¥18.19
标准包装数量:25

IPB017N10N5LFATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB017N10N5LFATMA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS系列, Vds=100 V, 180 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    Infineon N沟道MOS管 OptiMOS系列, Vds=100 V, 180 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:7
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥31.8853
  • 10+ ¥27.0539
  • 30+ ¥24.3574
  • 100+ ¥21.6227
  • 500+ ¥20.3645
  • 1000+ ¥19.8002
合计:¥31.89
标准包装数量:1000

IPT044N15N5ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT044N15N5ATMA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:HSOF-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 174 A, HSOF-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 174 A, HSOF-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:4
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥35.44
  • 10+ ¥33.6456
  • 100+ ¥32.4146
  • 500+ ¥30.907
  • 500+ ¥30.907
合计:¥35.44
标准包装数量:2000
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