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新品推荐 | 安世半导体中国推出双通道低侧门极驱动器NGD31251及其车规版本,有效提升系统可靠性

时间:2026-06-17 11:27:00 来源:安世公众号 有0人参与

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安世半导体中国近日全新发布双通道低侧栅极驱动器NGD31251,并同步推出符合车规级标准的NGD31251-Q100版本


新品聚焦低侧栅极驱动器在实际应用中的核心痛点,从芯片鲁棒性、传输延时、驱动能力三大维度完成性能优化,有效提升系统运行稳定性与转换效率。


凭借优异的综合表现,该系列驱动器可广泛适配充电桩、通信电源、服务器电源、车载充电机与直直转换器、电动汽车加热器等多元应用场景,为工业及车载电源类方案提供可靠的驱动支撑


产品特点


▶VDD最大耐压28V

输入引脚最大耐压-10V28V

驱动电流典型值±5A

最大工作频率至1MHz

▶VDD欠压保护4.2V

▶-40℃140℃工作结温

 

产品优势

 

更强鲁棒性,运行更可靠

NGD31251对关键引脚的最大耐压能力进行了针对性提升。

为有效抵御变压器干扰与地线噪声,其输入引脚支持-10V28V宽耐压范围,抗干扰能力显著增强。

同时,针对应用场景中雷击浪涌、电源尖峰等恶劣工况,NGD31251/Q100VDDOUT引脚耐压提升至28V,大幅降低芯片被瞬时过压击穿的风险,进一步保障电源系统稳定可靠运行。

 

超低开关延时,提升电源效率

NGD31251/Q100具备出色的时序性能,开通延时典型值低至11ns,关断延时仅13ns

更短的传输延时有助于客户优化系统死区设置,有效提升电源转换效率,实现更高能效表现。


典型应用

 

充电桩


充电桩电源模块前级通常采用Vienna PFC拓扑,NGD31251双通道延时匹配小于2ns,可严格保证PFCMOSFET管同时可靠开通与关断,保障前级稳定运行。

模块后级采用3-Level LLC拓扑,NGD31251搭配隔离信号变压器即可直接驱动LLCMOSFET,无需隔离驱动芯片,有效降低整体驱动成本。


充电桩充电模块应用


砖块电源

砖块电源输出侧通常采用全波整流拓扑,从散热和经济性的角度考虑,业界通常使用多个MOS并联。NGD31251单通道驱动能力5A,可支持多MOS并联同时开通和关断,非常适合驱动多个并联的MOSFET如搭配安世半导体PXN2R9-100RSPSMNS1R4-40MYX8MOSFET,即可一站式搭建出可靠的砖块电源方案


通讯基站5G砖块电源应用


服务器电源

3KW服务器电源的常用电路拓扑为Interleaved PFC+LLC架构。

NGD31251凭借双通道低延时驱动性能,非常适合驱动前级相位相差180°Interleaved PFC MOSFET;同时其高达5A的驱动能力,可精准驱动LLC整流MOSFET实现并联状态下的同步开通与关断。搭配安世半导体PSMNS1R4-40MYX8MOSFET,即可一站式搭建出可靠的12V服务器电源方案。




服务器电源应用


车载充电机与直直转换器(OBC/DCDC

车载DC-DC转换器的输出侧,通常采用多MOSFET并联的全波整流拓扑。NGD31251-Q100严格遵循AEC-Q100等车规认证标准,在高低温循环、湿热老化、电气应力冲击等测试中表现优异,能够确保车载电源系统长期稳定运行,良好适配新能源汽车等车规应用场景的高可靠性需求,搭配安世半导体BUK7J1R0-40H/Q100MOSFET,可一站式搭建出后级全波整流电路



电动汽车DCDC电源

电动汽车加热器(PTC Heater

电动汽车加热器通常采用IGBT等功率开关器件实现开关控制,NGD31251-Q100支持最高10A的驱动电流,能够稳定驱动各类大功率开关器件,适配电动汽车加热器的功率控制需求。


电动汽车加热器

产品选型

安世半导体中国已实现NGD31251NGD31251-Q100的稳定量产,客户可根据自身项目需求,灵活选用适配的芯片完成系统设计