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K1717-VB SOT89-3 未分类

  • 型号: K1717-VB SOT89-3
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3适用于各种功率电路应用。其具有高额定漏极-源极电压和额定漏极电流,适用于要求较高电压和电流的电路设计。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.7139 ¥0.7932
  • 100+ ¥0.702 ¥0.78
  • 150+ ¥0.6842 ¥0.7602
合计:¥35.70
标准包装数量:1000

AP9446YT-VB 未分类

  • 型号: AP9446YT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;0.0025Ω@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.6V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;0.0025Ω@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.6V;
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  • 起订量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.2692 ¥1.4102
  • 100+ ¥1.248 ¥1.3867
  • 150+ ¥1.2164 ¥1.3515
合计:¥63.46
标准包装数量:5000

D3NK50Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D3NK50Z-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);4Vth(V) 封装:TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
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    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:2500

50N06-VB TO220F 未分类

  • 型号: 50N06-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F高电压和适中的电流特性使其成为工业自动化设备中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如工业电机控制和照明调节。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F高电压和适中的电流特性使其成为工业自动化设备中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如工业电机控制和照明调节。
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    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:1000

6R520C6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R520C6-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

D11NM60N-VB TO252 未分类

  • 型号: D11NM60N-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

6R600E6-VB TO252 未分类

  • 型号: 6R600E6-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
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    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

10NM60ND-VB TO252 未分类

  • 型号: 10NM60ND-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

D3NK80Z-VB TO252 未分类

  • 型号: D3NK80Z-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252该MOSFET可用于电动车充电器中的开关电源模块,以支持高电压和高电流的充电需求,并提高充电效率。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:2500

AONS62614-VB 未分类

  • 型号: AONS62614-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:5000

18NF25-VB TO263 未分类

  • 型号: 18NF25-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
    台积电流片,长电封测。N沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263可用作电源开关的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:800

SiR626DP-VB 未分类

  • 型号: SiR626DP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
    台积电流片,长电封测。60V;180A;RDS(ON)=0.002Ω@VGS=10V;RDS(ON)=0.003Ω@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;VBsemi的VBGQA1602是一款单极性N型沟道场效应(Single N),采用SGT工艺制造,封装为DFN8(5X6)。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.9668 ¥4.4076
  • 100+ ¥3.9007 ¥4.3341
  • 150+ ¥3.8016 ¥4.224
合计:¥198.34
标准包装数量:5000

90N15F4-VB TO263 未分类

  • 型号: 90N15F4-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263一款单N型功率场效应管,具有高性能和可靠性,适用于多种电力应用。高电压和大电流能力使其成为电动车电机控制模块中的理想选择,用于驱动电动车电机并实现精准的速度和扭矩控制。
    台积电流片,长电封测。150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263一款单N型功率场效应管,具有高性能和可靠性,适用于多种电力应用。高电压和大电流能力使其成为电动车电机控制模块中的理想选择,用于驱动电动车电机并实现精准的速度和扭矩控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥6.3461 ¥7.0512
  • 100+ ¥6.2403 ¥6.9337
  • 150+ ¥6.0817 ¥6.7574
合计:¥317.31
标准包装数量:800

15NM60ND-VB TO220 未分类

  • 型号: 15NM60ND-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥6.3461 ¥7.0512
  • 100+ ¥6.2403 ¥6.9337
  • 150+ ¥6.0817 ¥6.7574
合计:¥317.31
标准包装数量:1000

75NF20-VB TO220 未分类

  • 型号: 75NF20-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,75A,RDS(ON),28mΩ@10V,33.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥7.6151 ¥8.4612
  • 100+ ¥7.4882 ¥8.3202
  • 150+ ¥7.2978 ¥8.1087
合计:¥380.76
标准包装数量:1000

FCH165N65S3R0-F155-VB 未分类

  • 型号: FCH165N65S3R0-F155-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V)?封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V)?封装:TO247在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥8.7869 ¥9.7632
  • 100+ ¥8.6405 ¥9.6005
  • 150+ ¥8.4208 ¥9.3564
合计:¥439.35
标准包装数量:300

6R250P-VB TO263 未分类

  • 型号: 6R250P-VB TO263
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥9.5191 ¥10.5768
  • 100+ ¥9.3605 ¥10.4005
  • 150+ ¥9.1225 ¥10.1361
合计:¥475.96
标准包装数量:800

13N80K5-VB TO220F 未分类

  • 型号: 13N80K5-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
    台积电流片,长电封测。N沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥9.5191 ¥10.5768
  • 100+ ¥9.3605 ¥10.4005
  • 150+ ¥9.1225 ¥10.1361
合计:¥475.96
标准包装数量:1000

110N20N-VB TO220 未分类

  • 型号: 110N20N-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,200V,88A,RDS(ON),9.9mΩ@10V,11.88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220该型号为单晶N沟道场效应管,其Trench技术和低漏极电阻确保了高效的电流控制和稳定的功率输出,适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥9.5191 ¥10.5768
  • 100+ ¥9.3605 ¥10.4005
  • 150+ ¥9.1225 ¥10.1361
合计:¥475.96
标准包装数量:1000

GSFA20106-VB 未分类

  • 型号: GSFA20106-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO247封装,设计用于高电压和高电流应用。该MOSFET具有200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),阈值电压为4V。它采用先进的SGT(Super Gate Trench)技术,提供低导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为8.5mΩ,最大漏极电流(ID)为120A。特别适合用于高功率和高效电源管理应用,在高负载条件下能够保持卓越的性能和稳定性。
    台积电流片,长电封测。一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO247封装,设计用于高电压和高电流应用。该MOSFET具有200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),阈值电压为4V。它采用先进的SGT(Super Gate Trench)技术,提供低导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为8.5mΩ,最大漏极电流(ID)为120A。特别适合用于高功率和高效电源管理应用,在高负载条件下能够保持卓越的性能和稳定性。
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