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BSS138BK,215-VB 未分类

型号： BSS138BK,215-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.25A,RDS(ON),2800mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。

台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.25A,RDS(ON),2800mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥0.1587 ￥0.1763
100+ ￥0.156 ￥0.1733
150+ ￥0.152 ￥0.1689

合计：￥7.94

标准包装数量：3000

PMV48XPAR-VB 未分类

型号： PMV48XPAR-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-5A,RDS(ON),46mΩ@2.5V,34mΩ@4.5V,8Vgs(±V)；-0.45`-1Vth(V) 封装：SOT23-6具有低漏极-源极电阻、高栅极-源极电压和高漏极电流的特点。它适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-5A,RDS(ON),46mΩ@2.5V,34mΩ@4.5V,8Vgs(±V)；-0.45`-1Vth(V) 封装：SOT23-6具有低漏极-源极电阻、高栅极-源极电压和高漏极电流的特点。它适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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3-5工作日
50+ ￥0.238 ￥0.2644
100+ ￥0.234 ￥0.26
150+ ￥0.2281 ￥0.2534

合计：￥11.90

标准包装数量：3000

BSH108,215-VB 未分类

型号： BSH108,215-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。

台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥0.2856 ￥0.3173
100+ ￥0.2808 ￥0.312
150+ ￥0.2737 ￥0.3041

合计：￥14.28

标准包装数量：3000

PMV41XPAR-VB 未分类

型号： PMV41XPAR-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。 VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-0.5~-2V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ，在VGS=10V时为46mΩ，最大漏极电流（ID）为-5.6A（负数表示为P沟道器件），这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-3。

台积电流片，长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。 VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-0.5~-2V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ，在VGS=10V时为46mΩ，最大漏极电流（ID）为-5.6A（负数表示为P沟道器件），这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-3。

库存：400000
起订量：50
增量：1
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3-5工作日
50+ ￥0.2856 ￥0.3173
100+ ￥0.2808 ￥0.312
150+ ￥0.2737 ￥0.3041

合计：￥14.28

标准包装数量：3000

PMN16XNEX-VB 未分类

型号： PMN16XNEX-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.5~1.5Vth(V)封装：SOT23-6具有小型封装和低功耗特性，能够满足小型电子设备和低功率应用的要求，是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。

台积电流片，长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.5~1.5Vth(V)封装：SOT23-6具有小型封装和低功耗特性，能够满足小型电子设备和低功率应用的要求，是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。

库存：400000
起订量：50
增量：1
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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥0.6346 ￥0.7051
100+ ￥0.6241 ￥0.6934
150+ ￥0.6081 ￥0.6757

合计：￥31.73

标准包装数量：3000

PMPB55ENEAX-VB 未分类

型号： PMPB55ENEAX-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,14A,RDS(ON),19mΩ@10V,21mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V)

台积电流片，长电封测。N沟道,60V,14A,RDS(ON),19mΩ@10V,21mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5Vth(V)

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥0.6346 ￥0.7051
100+ ￥0.6241 ￥0.6934
150+ ￥0.6081 ￥0.6757

合计：￥31.73

标准包装数量：5000

2N7002BKS-VB 未分类

型号： 2N7002BKS-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.35A,RDS(ON),1800mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V) 封装：SOT23-6主要设计用于低压应用场合。其特性包括高漏极-源极电压、宽广的工作电压范围以及低的漏极-源极电阻。由于其性能特点，适用于各种低压电路和模块中。

台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.35A,RDS(ON),1800mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V) 封装：SOT23-6主要设计用于低压应用场合。其特性包括高漏极-源极电压、宽广的工作电压范围以及低的漏极-源极电阻。由于其性能特点，适用于各种低压电路和模块中。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥0.8726 ￥0.9695
100+ ￥0.8581 ￥0.9534
150+ ￥0.8362 ￥0.9291

合计：￥43.63

标准包装数量：3000

PMC85XP,115-VB 未分类

型号： PMC85XP,115-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。P沟道,-30V,-10A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.4~-1Vth(V)；QFN6(2X2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。

台积电流片，长电封测。P沟道,-30V,-10A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.4~-1Vth(V)；QFN6(2X2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥1.2692 ￥1.4102
100+ ￥1.248 ￥1.3867
150+ ￥1.2164 ￥1.3515

合计：￥63.46

标准包装数量：5000

PMPB09R5VPX-VB 未分类

型号： PMPB09R5VPX-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。P沟道,-30V,-10A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.4~-1Vth(V)；QFN6(2X2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。

台积电流片，长电封测。P沟道,-30V,-10A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.4~-1Vth(V)；QFN6(2X2)适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥1.2692 ￥1.4102
100+ ￥1.248 ￥1.3867
150+ ￥1.2164 ￥1.3515

合计：￥63.46

标准包装数量：5000

SW4N65DA-VB 未分类

型号： SW4N65DA-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；4Vth(V) 封装：TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。

台积电流片，长电封测。N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；4Vth(V) 封装：TO252用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。

库存：40000
起订量：50
增量：1
批次：--

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内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥1.5865 ￥1.7628
100+ ￥1.5601 ￥1.7334
150+ ￥1.5205 ￥1.6894

合计：￥79.33

标准包装数量：2500

BUK9624-55A,118-VB 未分类

型号： BUK9624-55A,118-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),32mΩ@10V,35mΩ@4.5V,10Vgs(±V)；1~3Vth(V)封装：TO263一款高性能的功率MOSFET，适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用场景的需求。

台积电流片，长电封测。N沟道,60V,50A,RDS(ON),32mΩ@10V,35mΩ@4.5V,10Vgs(±V)；1~3Vth(V)封装：TO263一款高性能的功率MOSFET，适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用场景的需求。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥2.2211 ￥2.4679
100+ ￥2.1841 ￥2.4268
150+ ￥2.1286 ￥2.3651

合计：￥111.06

标准包装数量：800

G300N04D3-VB 未分类

型号： G300N04D3-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。DFN8(3X3)；N沟道；VDS=40V；ID =28A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.8V；适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其小型封装和适中功率特性使其适用于需要高密度布局和中等功率输出的电子设备和系统。

台积电流片，长电封测。DFN8(3X3)；N沟道；VDS=40V；ID =28A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.8V；适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其小型封装和适中功率特性使其适用于需要高密度布局和中等功率输出的电子设备和系统。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥2.2211 ￥2.4679
100+ ￥2.1841 ￥2.4268
150+ ￥2.1286 ￥2.3651

合计：￥111.06

标准包装数量：5000

BUK762R7-30B,118-VB 未分类

型号： BUK762R7-30B,118-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5~2.5Vth(V)封装：TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。

台积电流片，长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5~2.5Vth(V)封装：TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥2.8557 ￥3.173
100+ ￥2.8082 ￥3.1202
150+ ￥2.7367 ￥3.0408

合计：￥142.79

标准包装数量：800

BUK663R5-30C,118-VB 未分类

型号： BUK663R5-30C,118-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5~2.5Vth(V)封装：TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。

台积电流片，长电封测。N沟道,30V,150A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.5~2.5Vth(V)封装：TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥2.8557 ￥3.173
100+ ￥2.8082 ￥3.1202
150+ ￥2.7367 ￥3.0408

合计：￥142.79

标准包装数量：800

PSMN1R1-30EL,127-VB 未分类

型号： PSMN1R1-30EL,127-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=30V；ID =150A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电源开关模块、电动工具控制器和电池管理系统等领域。

台积电流片，长电封测。TO262；N沟道；VDS=30V；ID =150A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块，如电源开关模块、电动工具控制器和电池管理系统等领域。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥2.8557 ￥3.173
100+ ￥2.8082 ￥3.1202
150+ ￥2.7367 ￥3.0408

合计：￥142.79

标准包装数量：1000

IRF4905LPBF-VB 未分类

型号： IRF4905LPBF-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。TO262；P沟道；VDS=-60V；ID =-53A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=-10V；VGS=±20V；Vth=-1~-3V

台积电流片，长电封测。TO262；P沟道；VDS=-60V；ID =-53A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=-10V；VGS=±20V；Vth=-1~-3V

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥3.173 ￥3.5256
100+ ￥3.1201 ￥3.4668
150+ ￥3.0408 ￥3.3787

合计：￥158.65

标准包装数量：1000

PSMN005-75P,127-VB 未分类

型号： PSMN005-75P,127-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~3.5Vth(V)封装：TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。

台积电流片，长电封测。N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~3.5Vth(V)封装：TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥3.4904 ￥3.8782
100+ ￥3.4322 ￥3.8135
150+ ￥3.3449 ￥3.7166

合计：￥174.52

标准包装数量：1000

AOW4S60-VB 未分类

型号： AOW4S60-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V)；3~5Vth(V)；TO262用于电动工具中的电机驱动模块，如电动钻控制器、电动锤控制器等，实现电动工具的高效驱动和精确控制。

台积电流片，长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V)；3~5Vth(V)；TO262用于电动工具中的电机驱动模块，如电动钻控制器、电动锤控制器等，实现电动工具的高效驱动和精确控制。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥3.9668 ￥4.4076
100+ ￥3.9007 ￥4.3341
150+ ￥3.8016 ￥4.224

合计：￥198.34

标准包装数量：1000

SiHFBC40L-E3-VB 未分类

型号： SiHFBC40L-E3-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V)；3~5Vth(V)；TO262用于电动工具中的电机驱动模块，如电动钻控制器、电动锤控制器等，实现电动工具的高效驱动和精确控制。

台积电流片，长电封测。N沟道,650V,7A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V)；3~5Vth(V)；TO262用于电动工具中的电机驱动模块，如电动钻控制器、电动锤控制器等，实现电动工具的高效驱动和精确控制。

库存：400000
起订量：50
增量：1
批次：--

数据手册

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥3.9668 ￥4.4076
100+ ￥3.9007 ￥4.3341
150+ ￥3.8016 ￥4.224

合计：￥198.34

标准包装数量：1000

NTBS9D0N10MC-VB 未分类

型号： NTBS9D0N10MC-VB
厂牌：VBsemi/微碧半导体
封装：--
描述：台积电流片，长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V)；3Vth(V) 封装：TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。

台积电流片，长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V)；3Vth(V) 封装：TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。

库存：40000
起订量：50
增量：1
批次：--

内地交货(含增值税)

3-5工作日
50+ ￥5.5534 ￥6.1704
100+ ￥5.4608 ￥6.0676
100+ ￥5.4608 ￥6.0676

合计：￥277.67

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