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DMN62D0UDW-13-VB 未分类

  • 型号: DMN62D0UDW-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.35A,RDS(ON),2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6适用于各种低功耗和小尺寸电子设备的开关和控制应用。其高电压容限和优异的温度稳定性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.35A,RDS(ON),2000mΩ@10V,2400mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6适用于各种低功耗和小尺寸电子设备的开关和控制应用。其高电压容限和优异的温度稳定性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.2376 ¥0.264
  • 100+ ¥0.2336 ¥0.2596
  • 150+ ¥0.2277 ¥0.253
合计:¥11.88
标准包装数量:3000

BSZ018NE2LSATMA1-VB 未分类

  • 型号: BSZ018NE2LSATMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V)封装:QFN8(3X3)
    台积电流片,长电封测。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V)封装:QFN8(3X3)
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.2692 ¥1.4102
  • 100+ ¥1.248 ¥1.3867
  • 150+ ¥1.2164 ¥1.3515
合计:¥63.46
标准包装数量:3000

DMTH10H025LK3Q-13-VB 未分类

  • 型号: DMTH10H025LK3Q-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.3803 ¥2.6448
  • 100+ ¥2.3406 ¥2.6007
  • 150+ ¥2.2811 ¥2.5346
合计:¥119.02
标准包装数量:2500

DMTH10H015LPS-13-VB 未分类

  • 型号: DMTH10H015LPS-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6968 ¥2.9964
  • 100+ ¥2.6519 ¥2.9465
  • 150+ ¥2.5844 ¥2.8716
合计:¥134.84
标准包装数量:5000

DMTH10H010LPS-13-VB 未分类

  • 型号: DMTH10H010LPS-13-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)可用于车载电源管理、车辆电力系统和车辆控制单元等应用。其高性能和可靠性使其能够满足汽车行业对稳定性和安全性的严格要求。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.6968 ¥2.9964
  • 100+ ¥2.6519 ¥2.9465
  • 150+ ¥2.5844 ¥2.8716
合计:¥134.84
标准包装数量:5000

AUIRF540ZXKMA1-VB 未分类

  • 型号: AUIRF540ZXKMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:1000

TK6R7P06PLRQ-VB 未分类

  • 型号: TK6R7P06PLRQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V)封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,97A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V)封装:TO252 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.8555 ¥3.1728
  • 100+ ¥2.8079 ¥3.1199
  • 150+ ¥2.7365 ¥3.0406
合计:¥142.78
标准包装数量:2500

PMPB13XNEAX-VB 未分类

  • 型号: PMPB13XNEAX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,12A,RDS(ON),20mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-2.4Vth(V) 封装:SC70-6
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,12A,RDS(ON),20mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-2.4Vth(V) 封装:SC70-6
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:5000

MTN10N65BE3-VB 未分类

  • 型号: MTN10N65BE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:1000

HYG400P10LR1D-VB 未分类

  • 型号: HYG400P10LR1D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252可用于电源开关模块中的开关电路和功率控制,确保电源系统的高效稳定运行,并降低功率损耗。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.92Vth(V) 封装:TO252可用于电源开关模块中的开关电路和功率控制,确保电源系统的高效稳定运行,并降低功率损耗。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.2833 ¥4.7592
  • 100+ ¥4.2119 ¥4.6799
  • 150+ ¥4.1048 ¥4.5609
合计:¥214.17
标准包装数量:2500

PSMN3R2-40YLDX-VB 未分类

  • 型号: PSMN3R2-40YLDX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.7mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,刷新了中压MOSFET的性能极限。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.7mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,刷新了中压MOSFET的性能极限。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

PSMN7R0-30YL,115-VB 未分类

  • 型号: PSMN7R0-30YL,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

BUK9Y12-40E,115-VB 未分类

  • 型号: BUK9Y12-40E,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,40V耐压、100A电流承载能力及1.6mΩ(@VGS=10V)的导通电阻。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,40V耐压、100A电流承载能力及1.6mΩ(@VGS=10V)的导通电阻。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

PSMN6R1-30YLDX-VB 未分类

  • 型号: PSMN6R1-30YLDX-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

PSMN3R5-30YL,115-VB 未分类

  • 型号: PSMN3R5-30YL,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,30V,90A,RDS(ON),2.3mΩ@10V,3.2mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5~2.5Vth(V).
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

PSMN2R6-40YS,115-VB 未分类

  • 型号: PSMN2R6-40YS,115-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.7mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,刷新了中压MOSFET的性能极限。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
    台积电流片,长电封测。 一款LFPAK56/SOT669封装的单N沟道MOSFET,以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.7mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,刷新了中压MOSFET的性能极限。主要适用于:工业自动化:伺服驱动器、数据中心电源; 新能源汽车:电控系统、车载充电机(OBC);消费电子:高端板卡供电;
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.7596 ¥5.2884
  • 100+ ¥4.6803 ¥5.2003
  • 150+ ¥4.5613 ¥5.0681
合计:¥237.98
标准包装数量:5000

MTE5D0N10BRE3-VB 未分类

  • 型号: MTE5D0N10BRE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.5534 ¥6.1704
  • 100+ ¥5.4608 ¥6.0676
  • 150+ ¥5.322 ¥5.9133
合计:¥277.67
标准包装数量:1000

IPTC054N15NM5-VB 未分类

  • 型号: IPTC054N15NM5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,150V,150A,RDS(ON)=6.2mΩ@10V,20Vgs(±V),2~4Vth(V)封装:TOLT
    台积电流片,长电封测。N沟道,150V,150A,RDS(ON)=6.2mΩ@10V,20Vgs(±V),2~4Vth(V)封装:TOLT
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥14.6448 ¥16.272
  • 10+ ¥14.4007 ¥16.0008
  • 15+ ¥14.0346 ¥15.594
合计:¥73.22
标准包装数量:1200

RBA015N10R1SBPW-VB 未分类

  • 型号: RBA015N10R1SBPW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT,适用于新能源、工业自动化等高功率应用场景
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,415A,RDS(ON),1.2mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TOLT,适用于新能源、工业自动化等高功率应用场景
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥19.0382 ¥21.1536
  • 100+ ¥18.7209 ¥20.801
  • 150+ ¥18.245 ¥20.2722
合计:¥951.91
标准包装数量:1200

C3M0120065J-VB 未分类

  • 型号: C3M0120065J-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~4.5V;高电压和电流能力,适用于适用于电动汽车直流快充、储能系统等场景?。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~4.5V;高电压和电流能力,适用于适用于电动汽车直流快充、储能系统等场景?。
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