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BSH114,215-VB 未分类

  • 型号: BSH114,215-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,2A,RDS(ON),240mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.8Vth(V) 封装:SOT23
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,2A,RDS(ON),240mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.8Vth(V) 封装:SOT23
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.6346 ¥0.7051
  • 100+ ¥0.6241 ¥0.6934
  • 150+ ¥0.6081 ¥0.6757
合计:¥31.73
标准包装数量:3000

PHK12NQ03LT,518-VB 未分类

  • 型号: PHK12NQ03LT,518-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOP8适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,13A,RDS(ON),8mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:SOP8适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥0.9519 ¥1.0577
  • 100+ ¥0.9361 ¥1.0401
  • 150+ ¥0.9122 ¥1.0136
合计:¥47.60
标准包装数量:4000

02P03-VB TO252 未分类

  • 型号: 02P03-VB TO252
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V)封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V)封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.1113 ¥1.2348
  • 100+ ¥1.0928 ¥1.2142
  • 150+ ¥1.0651 ¥1.1834
合计:¥55.57
标准包装数量:2500

IRFHM4231TRPBF-VB 未分类

  • 型号: IRFHM4231TRPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;0.0025Ω@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.6V;
    台积电流片,长电封测。DFN3*3;N沟道;VDS=20V;ID =100A;RDS(ON)=0.0020Ω@VGS=10V;0.0025Ω@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.6V;
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.2692 ¥1.4102
  • 100+ ¥1.248 ¥1.3867
  • 150+ ¥1.2164 ¥1.3515
合计:¥63.46
标准包装数量:3000

PJD10P10A_L2_00001-VB 未分类

  • 型号: PJD10P10A_L2_00001-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-8.8Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-8.8Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:2500

SPD15P10PGBTMA1-VB 未分类

  • 型号: SPD15P10PGBTMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-8.8Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-8.8A,RDS(ON),250mΩ@10V,280mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-8.8Vth(V) 封装:TO252适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.5865 ¥1.7628
  • 100+ ¥1.5601 ¥1.7334
  • 150+ ¥1.5205 ¥1.6894
合计:¥79.33
标准包装数量:2500

BUK9219-55A,118-VB 未分类

  • 型号: BUK9219-55A,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,58A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,58A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.9039 ¥2.1154
  • 100+ ¥1.8721 ¥2.0801
  • 150+ ¥1.8245 ¥2.0272
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

BUK9225-55A,118-VB 未分类

  • 型号: BUK9225-55A,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,58A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,58A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO252 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.9039 ¥2.1154
  • 100+ ¥1.8721 ¥2.0801
  • 150+ ¥1.8245 ¥2.0272
合计:¥95.20
标准包装数量:2500

UTT18P10L-VB 未分类

  • 型号: UTT18P10L-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220可用于开关电源、直流电源和电池管理系统中,提高系统的效率和稳定性。
    台积电流片,长电封测。P沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220可用于开关电源、直流电源和电池管理系统中,提高系统的效率和稳定性。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥1.904 ¥2.1156
  • 100+ ¥1.8723 ¥2.0803
  • 150+ ¥1.8248 ¥2.0275
合计:¥95.20
标准包装数量:1000

PSMN022-30BL,118-VB 未分类

  • 型号: PSMN022-30BL,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
    台积电流片,长电封测。N沟道,30V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.0624 ¥2.2916
  • 100+ ¥2.0281 ¥2.2534
  • 150+ ¥1.9766 ¥2.1962
合计:¥103.12
标准包装数量:800

PSMN015-100P,127-VB 未分类

  • 型号: PSMN015-100P,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,20Vgs(±V);1~3Vth(V)封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥2.2211 ¥2.4679
  • 100+ ¥2.1841 ¥2.4268
  • 150+ ¥2.1286 ¥2.3651
合计:¥111.06
标准包装数量:1000

BUK764R4-60E,118-VB 未分类

  • 型号: BUK764R4-60E,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:800

BUK6607-55C,118-VB 未分类

  • 型号: BUK6607-55C,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
    台积电流片,长电封测。N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.173 ¥3.5256
  • 100+ ¥3.1201 ¥3.4668
  • 150+ ¥3.0408 ¥3.3787
合计:¥158.65
标准包装数量:800

IRL2910STRLPBF-VB 未分类

  • 型号: IRL2910STRLPBF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,70A,RDS(ON),20mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263可以用作电阻焊机的功率开关,用于控制焊接电流和保护电路。
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥3.4906 ¥3.8784
  • 100+ ¥3.4324 ¥3.8138
  • 150+ ¥3.3451 ¥3.7168
合计:¥174.53
标准包装数量:1000

BUK763R8-80E,118-VB 未分类

  • 型号: BUK763R8-80E,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,80V,215A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263可用作充电器的功率开关,帮助控制充电电流和电压,确保电动汽车的安全和快速充电。
    台积电流片,长电封测。N沟道,80V,215A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263可用作充电器的功率开关,帮助控制充电电流和电压,确保电动汽车的安全和快速充电。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥4.2836 ¥4.7596
  • 100+ ¥4.2122 ¥4.6802
  • 150+ ¥4.1051 ¥4.5612
合计:¥214.18
标准包装数量:800

BUK755R4-100E,127-VB 未分类

  • 型号: BUK755R4-100E,127-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5~4Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2.5~4Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.5528 ¥6.1698
  • 100+ ¥5.4603 ¥6.067
  • 150+ ¥5.3214 ¥5.9127
合计:¥277.64
标准包装数量:1000

PSMN7R0-100BS,118-VB 未分类

  • 型号: PSMN7R0-100BS,118-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,140A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO263适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.5528 ¥6.1698
  • 100+ ¥5.4603 ¥6.067
  • 150+ ¥5.3214 ¥5.9127
合计:¥277.64
标准包装数量:800

EKI10126-VB 未分类

  • 型号: EKI10126-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
    台积电流片,长电封测。一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。N沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
  • 库   存:40000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥5.5534 ¥6.1704
  • 100+ ¥5.4608 ¥6.0676
  • 150+ ¥5.322 ¥5.9133
合计:¥277.67
标准包装数量:1000

5R299P-VB TO220 未分类

  • 型号: 5R299P-VB TO220
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
    台积电流片,长电封测。N沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
  • 库   存:400000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥6.3461 ¥7.0512
  • 100+ ¥6.2403 ¥6.9337
  • 150+ ¥6.0817 ¥6.7574
合计:¥317.31
标准包装数量:1000

9R340C-VB TO220F 未分类

  • 型号: 9R340C-VB TO220F
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
    台积电流片,长电封测。N沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220F可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
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