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VBP165C30 碳化硅场效应管

  • 型号: VBP165C30
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

SCT3120ALHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3120ALHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

SCT3060ARHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3060ARHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

TW048Z65C-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: TW048Z65C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~9V。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~9V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

SCT3105KL-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3105KL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT2450KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2450KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT2160KEC-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2160KEC-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT4062KEHRC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4062KEHRC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

UJ3C120080K3S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UJ3C120080K3S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

C3M0075120K-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0075120K-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

AIMW120R080M1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMW120R080M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
    TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 100+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 150+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥1,098.36
标准包装数量:300

IMZ120R060M1HXKSA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMZ120R060M1HXKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT3105KLGC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3105KLGC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT2450KEHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2450KEHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

MXP120A080FW-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXP120A080FW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT4090KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4090KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT2160KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2160KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

P3M12040K3-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: P3M12040K3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

VBP112MC100 碳化硅场效应管

  • 型号: VBP112MC100
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,1200V,100A,RDS(ON)=21mΩ@VGS=100V,VGS= -10~22V;
    TO247;N—Channel沟道,1200V,100A,RDS(ON)=21mΩ@VGS=100V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥102.5136 ¥113.904
  • 10+ ¥100.805 ¥112.0056
  • 15+ ¥98.2422 ¥109.158
合计:¥512.57
标准包装数量:300

VBP112MC100-4L 碳化硅场效应管

  • 型号: VBP112MC100-4L
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO-247
    TO-247
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥102.5136 ¥113.904
  • 10+ ¥100.805 ¥112.0056
  • 10+ ¥100.805 ¥112.0056
合计:¥512.57
标准包装数量:300
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