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AOK065V65X2-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AOK065V65X2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+20V,Vth=2~5V;适用于高效率、高功率密度、高温严苛环境下的电力电子场景;如工业窑炉余热回收控制系统、AI商业综合体储能系统、电池储能柜等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+20V,Vth=2~5V;适用于高效率、高功率密度、高温严苛环境下的电力电子场景;如工业窑炉余热回收控制系统、AI商业综合体储能系统、电池储能柜等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥17.2881 ¥18.198
  • 50+ ¥16.721 ¥17.601
  • 100+ ¥16.2954 ¥17.153
  • 200+ ¥16.0123 ¥16.855
合计:¥34.58
标准包装数量:300

TW083Z65C-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: TW083Z65C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+20V,Vth=2~5V;适用于多种高效率、高功率密度的电力电子场景;如AI储能系统、大功率充电桩、工业窑炉余热回收系统以及康复机器人关节伺服驱动逆变桥等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+20V,Vth=2~5V;适用于多种高效率、高功率密度的电力电子场景;如AI储能系统、大功率充电桩、工业窑炉余热回收系统以及康复机器人关节伺服驱动逆变桥等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥17.2881 ¥18.198
  • 50+ ¥16.721 ¥17.601
  • 100+ ¥16.2954 ¥17.153
  • 200+ ¥16.0123 ¥16.855
合计:¥34.58
标准包装数量:300

SCT4036DRHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4036DRHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~7V;适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的工业与能源场景;例如AI康复机器人、电动垂直起降飞行器、AI自动化生产线等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~7V;适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的工业与能源场景;例如AI康复机器人、电动垂直起降飞行器、AI自动化生产线等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥18.8594 ¥19.852
  • 50+ ¥18.241 ¥19.201
  • 100+ ¥17.7774 ¥18.713
  • 200+ ¥17.4677 ¥18.387
合计:¥37.72
标准包装数量:300

SCT4045DWAHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4045DWAHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

SCT4045DW7-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4045DW7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

G3F75MT12K-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: G3F75MT12K-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

NSF080120L4A0Q-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NSF080120L4A0Q-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

SCT2080KEGC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2080KEGC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

SCT4036KEHRC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4036KEHRC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

G3R75MT12D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: G3R75MT12D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

NBG095N065SC1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NBG095N065SC1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

SCT4065DWAHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4065DWAHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

FF06100FA-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: FF06100FA-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=1.5~4.5V;适用于高功率密度、高效率和高可靠性的航空及工业应用。
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=1.5~4.5V;适用于高功率密度、高效率和高可靠性的航空及工业应用。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:2000

SCT4062KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4062KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

NSF040120L4A1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NSF040120L4A1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

AS2M040120P-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AS2M040120P-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

TW030Z120C-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: TW030Z120C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

MXP120A045SL-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXP120A045SL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(on)35mΩ@VGS=18Vtyp,VGS=-10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求严苛的电力电子场景;例如水电配套储能系统、新能源发电逆变器、电动汽车及充电基础设施等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

IMBG120R017M2H-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMBG120R017M2H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~4.5V;适用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景;如太阳能光伏逆变器、储能系统、电动汽车车载充电机、电驱系统、智能网联环卫车等。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~4.5V;适用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景;如太阳能光伏逆变器、储能系统、电动汽车车载充电机、电驱系统、智能网联环卫车等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥110.0119 ¥115.802
  • 30+ ¥106.4057 ¥112.006
  • 60+ ¥103.7001 ¥109.158
  • 100+ ¥101.897 ¥107.26
合计:¥110.01
标准包装数量:800

SCT012W90G3-4AG-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT012W90G3-4AG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,1200V,100A,RDS(ON),15mΩ@18V,-10/+22Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO247适用于高效率、高功率密度、高温可靠性和高频开关要求严苛的场景;如电动游艇、分体式飞行汽车、集中式独立储能电站、工业机器人、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。 N沟道,1200V,100A,RDS(ON),15mΩ@18V,-10/+22Vgs(±V);2~4Vth(V)封装:TO247适用于高效率、高功率密度、高温可靠性和高频开关要求严苛的场景;如电动游艇、分体式飞行汽车、集中式独立储能电站、工业机器人、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 1+ ¥110.0119 ¥115.802
  • 30+ ¥106.4057 ¥112.006
  • 60+ ¥103.7001 ¥109.158
  • 60+ ¥103.7001 ¥109.158
合计:¥110.01
标准包装数量:300
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