处理中...

{{item.name}}

TW083N65C-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: TW083N65C-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

SCT3105KR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3105KR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCH2080KEC-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCH2080KEC-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

UF4C120053K4S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UF4C120053K4S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

MXP120A080FW-GE3-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXP120A080FW-GE3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

GP2T080A120U-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: GP2T080A120U-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

C3M0075120K-A-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0075120K-A-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

C3M0040120K-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0040120K-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

APT80SM120B-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: APT80SM120B-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

S2M0040120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: S2M0040120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

DMWSH120H43SM3-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: DMWSH120H43SM3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

C3M0032120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0032120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

IMW120R030M1HXKSA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R030M1HXKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

AIMW120R045M1XKSA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMW120R045M1XKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

DIW120SIC059-AQ-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: DIW120SIC059-AQ-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

IMW120R030M1H-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R030M1H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,1200V,100A,RDS(ON)=21mΩ@VGS=100V,VGS= -10~22V;
    TO247;N—Channel沟道,1200V,100A,RDS(ON)=21mΩ@VGS=100V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 100+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 150+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥1,318.03
标准包装数量:300

UJ3C120040K3S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UJ3C120040K3S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

IMW120R045M1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R045M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 通孔安装 TO-247 N-沟道 1200V 60A 40mΩ@ 60A,10V
    通孔安装 TO-247 N-沟道 1200V 60A 40mΩ@ 60A,10V
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 100+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 150+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥1,318.03
标准包装数量:300

VBL712MC30 碳化硅场效应管

  • 型号: VBL712MC30
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: TO263
    TO263
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥39.541 ¥43.9344
  • 100+ ¥38.882 ¥43.2022
  • 150+ ¥37.8934 ¥42.1038
合计:¥1,977.05
标准包装数量:1000

NTH4L020N120SC1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NTH4L020N120SC1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO-247
    TO-247
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥102.5136 ¥113.904
  • 100+ ¥100.805 ¥112.0056
  • 100+ ¥100.805 ¥112.0056
合计:¥5,125.68
标准包装数量:300
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧