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SCT040W65G3-4-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040W65G3-4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~7V;适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的工业与能源场景;例如AI康复机器人、电动垂直起降飞行器、AI自动化生产线等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~7V;适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的工业与能源场景;例如AI康复机器人、电动垂直起降飞行器、AI自动化生产线等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥18.8594 ¥19.852
  • 50+ ¥18.241 ¥19.201
  • 100+ ¥17.7774 ¥18.713
  • 200+ ¥17.4677 ¥18.387
合计:¥37.72
标准包装数量:300

SCT4065DEHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4065DEHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~5V;适用于AI智能配电网储能系统、光储柴微网系统、AI康复机器人主电源管理等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~5V;适用于AI智能配电网储能系统、光储柴微网系统、AI康复机器人主电源管理等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥18.8594 ¥19.852
  • 50+ ¥18.241 ¥19.201
  • 100+ ¥17.7774 ¥18.713
  • 200+ ¥17.4677 ¥18.387
合计:¥37.72
标准包装数量:300

SCT3060AL-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3060AL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~5V;适用于AI智能配电网储能系统、光储柴微网系统、AI康复机器人主电源管理等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~5V;适用于AI智能配电网储能系统、光储柴微网系统、AI康复机器人主电源管理等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥18.8594 ¥19.852
  • 50+ ¥18.241 ¥19.201
  • 100+ ¥17.7774 ¥18.713
  • 200+ ¥17.4677 ¥18.387
合计:¥37.72
标准包装数量:300

AIMZH120R080M1T-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMZH120R080M1T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IMW120R090M1H-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R090M1H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

S2M0080120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: S2M0080120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

VBP112MC30 碳化硅场效应管

  • 型号: VBP112MC30
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IMBG65R163M1HXTMA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMBG65R163M1HXTMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

VBQT165C30K 碳化硅场效应管

  • 型号: VBQT165C30K
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:--
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=1.5~4.5V;适用于高功率密度、高效率和高可靠性的航空及工业应用。
    台积电流片,长电封测。TOLL;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=1.5~4.5V;适用于高功率密度、高效率和高可靠性的航空及工业应用。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:2000

C3M0120065J-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0120065J-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,650V;35A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=1.5~4.5V;可用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景,尤其适用于对高压、高频、高温稳定性有严格要求的系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:800

UF3C120080K4S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UF3C120080K4S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

SCT3080KR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3080KR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

C3M0075120K1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0075120K1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -4/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度和高频开关等场景;如人形机器人中央高压电源系统、低空物流无人机充电驿站、新能源发电与储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

CMF10120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: CMF10120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高效率、高功率密度、高可靠性要求的严苛电力电子场景;如电动垂直起降飞行器、低空物流无人机充电驿站、工业级电磁灶、智能烤箱、太阳能光伏逆变器与储能变流器等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥23.5743 ¥24.815
  • 30+ ¥22.801 ¥24.001
  • 60+ ¥22.2215 ¥23.391
  • 100+ ¥21.8348 ¥22.984
合计:¥47.15
标准包装数量:300

AIMW120R045M1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMW120R045M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥26.8746 ¥28.289
  • 30+ ¥25.9939 ¥27.362
  • 60+ ¥25.3327 ¥26.666
  • 100+ ¥24.8919 ¥26.202
合计:¥53.75
标准包装数量:300

MXPQ120A045SW-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXPQ120A045SW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

C2M0040120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C2M0040120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

SCT3040KLHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3040KLHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,65A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=18V,VGS= -10/+22V,Vth=2~4V;适用于高功率、高效率、高可靠性要求的场景;例如电动汽车直流快充桩、AI智能汽车空调压缩机控制器、工业AI电机预测性维护系统以及水电配套储能系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

IMW120R045M1XKSA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R045M1XKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:300
  • 增   量:300
  • 批   次:--
  • 中国香港
    14-16工作日
    内地交货(含增值税)
    15-17工作日
  • 15+ $6.8346 ¥57.8891
合计:¥17,366.73
标准包装数量:300

IMBG120R022M2HXTMA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMBG120R022M2HXTMA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263-7
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~4.5V;适用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景;如太阳能光伏逆变器、储能系统、电动汽车车载充电机、电驱系统、智能网联环卫车等。
    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道,1200V;100A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=18V,VGS=-10/+20V;Vth=2~4.5V;适用于高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景;如太阳能光伏逆变器、储能系统、电动汽车车载充电机、电驱系统、智能网联环卫车等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥110.0119 ¥115.802
  • 30+ ¥106.4057 ¥112.006
  • 60+ ¥103.7001 ¥109.158
  • 60+ ¥103.7001 ¥109.158
合计:¥110.01
标准包装数量:800
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