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SCT4065DEHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4065DEHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

SCT040W65G3-4-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040W65G3-4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

SCT3060AL-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3060AL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

S2M0080120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: S2M0080120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

VBP112MC30 碳化硅场效应管

  • 型号: VBP112MC30
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
    TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 100+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 150+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥1,098.36
标准包装数量:300

UF3C120080K4S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UF3C120080K4S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

IMW120R090M1H-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R090M1H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
    TO247;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=30V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 100+ ¥21.6011 ¥24.0012
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合计:¥1,098.36
标准包装数量:300

C3M0075120K1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0075120K1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
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    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
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合计:¥109.84
标准包装数量:300

AIMZH120R080M1T-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMZH120R080M1T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT3080KR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3080KR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

C2M0080120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C2M0080120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

CMF10120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: CMF10120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

IMZ120R060M1H-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMZ120R060M1H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: TO247-4L;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V;
    TO247-4L;N—Channel沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V;
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 100+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 150+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥1,098.36
标准包装数量:300

P3M12080K3-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: P3M12080K3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

C2M0040120D-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: C2M0040120D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

AIMW120R045M1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMW120R045M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 通孔安装 TO-247 N-沟道 1200V 60A 40mΩ@ 60A,10V
    通孔安装 TO-247 N-沟道 1200V 60A 40mΩ@ 60A,10V
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 100+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 150+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥1,318.03
标准包装数量:300

SCT3040KLHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3040KLHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

MXPQ120A045SW-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXPQ120A045SW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

AS1M040120T-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: AS1M040120T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

SCT3040KLHRC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3040KLHRC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
合计:¥131.80
标准包装数量:300
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