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SCT3120AL-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3120AL-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

NTH4L095N065SC1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NTH4L095N065SC1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

SCT3080ARHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3080ARHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,30A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥16.1093 ¥17.8992
  • 10+ ¥15.8408 ¥17.6009
  • 15+ ¥15.4381 ¥17.1534
合计:¥80.55
标准包装数量:300

SCT4065DR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4065DR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,650V,40A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

SCT4065DE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4065DE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,650V;40A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2~5V。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥17.5738 ¥19.5264
  • 10+ ¥17.2809 ¥19.201
  • 15+ ¥16.8415 ¥18.7128
合计:¥87.87
标准包装数量:300

SCT3080KRC15-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3080KRC15-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;该器件的高效率和高功率密度使其成为电动汽车和混合动力车辆中的理想选择,用于电机控制器和电池管理系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

UJ3C120070K3S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UJ3C120070K3S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SICW120N120H-BP-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SICW120N120H-BP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT4036KEC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4036KEC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT2280KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2280KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

NSF080120L3A0-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: NSF080120L3A0-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:50
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 50+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 100+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 150+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥1,098.36
标准包装数量:300

SCT2080KE-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT2080KE-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

SCT3080KLHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3080KLHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V,30A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于工业高压应用场合,如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥21.9672 ¥24.408
  • 10+ ¥21.6011 ¥24.0012
  • 15+ ¥21.0519 ¥23.391
合计:¥109.84
标准包装数量:300

UF3C120040K3S-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: UF3C120040K3S-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

SCT3040KLGC11-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3040KLGC11-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

SCT4062KEHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4062KEHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

SCT3040KR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3040KR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

SCT4050KRHR-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT4050KRHR-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
    台积电流片,长电封测。TO247-4L;N沟道,1200V,60A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS= -10~22V,Vth=2.5~4.5V;适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

MXP120A045SW-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: MXP120A045SW-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3L
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 5+ ¥26.3606 ¥29.2896
  • 10+ ¥25.9213 ¥28.8014
  • 15+ ¥25.2623 ¥28.0692
合计:¥131.80
标准包装数量:300

IMW120R040M1HXKSA1-VB 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R040M1HXKSA1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
    台积电流片,长电封测。TO247;N沟道,1200V;60A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=18V,VGS=-10~22V;Vth=2.5~4.5V;高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。
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