处理中...

{{item.name}}

BSS214NWH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS214NWH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-323
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=20 V, 1.5 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:8
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5746
  • 10+ ¥0.5473
  • 50+ ¥0.507
  • 100+ ¥0.4659
  • 500+ ¥0.4478
  • 1000+ ¥0.4205
合计:¥0.57
标准包装数量:3000

BSS131 H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS131 H6327
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT
  • 描述: 360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
    360W 20V 1.8V 2.1nC@ 10V 1个N沟道 240V 14Ω@ 10V 110mA 58pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装 2.9mm*130cm*1mm
  • 库   存:111
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5919
  • 10+ ¥0.4917
  • 50+ ¥0.4136
  • 100+ ¥0.3797
  • 500+ ¥0.3409
  • 1000+ ¥0.3201
合计:¥0.59
标准包装数量:3000

BSS169 H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169 H6327
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT-23,SOT-23-3
  • 描述: 360mW 20V 1.8V 2.1nC@ 7V 1个N沟道 100V 5.3Ω@ 0V,2.9Ω@ 10V 170mA 51pF@ 25V SOT-23,SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
    360mW 20V 1.8V 2.1nC@ 7V 1个N沟道 100V 5.3Ω@ 0V,2.9Ω@ 10V 170mA 51pF@ 25V SOT-23,SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
  • 库   存:77286
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.7342
  • 50+ ¥0.5905
  • 150+ ¥0.5166
  • 500+ ¥0.4557
  • 3000+ ¥0.4344
  • 6000+ ¥0.42
合计:¥3.67
标准包装数量:3000

IRLML0030TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML0030TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:68320
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥0.9155
  • 50+ ¥0.7284
  • 150+ ¥0.6365
  • 500+ ¥0.5673
  • 3000+ ¥0.5127
  • 6000+ ¥0.4853
合计:¥4.58
标准包装数量:3000

IRLML2060TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML2060TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,MICRO-3,SOT-23,TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 1.2 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:11356
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.0601
  • 50+ ¥0.8553
  • 150+ ¥0.7525
  • 500+ ¥0.6756
  • 3000+ ¥0.4823
  • 6000+ ¥0.4516
合计:¥5.30
标准包装数量:3000

IRLR8726TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR8726TRLPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: 75W(Tc) 20V 2.35V@ 50µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 25A,10V 86A 2.15nF@15V TO-252 贴片安装 2.52mm(高度)
    75W(Tc) 20V 2.35V@ 50µA 23nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 25A,10V 86A 2.15nF@15V TO-252 贴片安装 2.52mm(高度)
  • 库   存:1945
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.2375
  • 50+ ¥0.987
  • 150+ ¥0.879
合计:¥6.19
标准包装数量:3000

IRF8736TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8736TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 50µA 26nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.8mΩ@ 18A,10V 18A 2.315nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 50µA 26nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.8mΩ@ 18A,10V 18A 2.315nF@15V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:1087
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.5238
  • 10+ ¥1.4545
  • 50+ ¥1.3521
  • 100+ ¥1.2466
  • 500+ ¥1.1999
  • 1000+ ¥1.1294
合计:¥1.52
标准包装数量:4000

IRFR120NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR120NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:2000,TO-252,TO-252-3
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 A, 9.4 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 A, 9.4 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
  • 库   存:27638
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.7683
  • 50+ ¥1.4137
  • 150+ ¥1.2619
  • 500+ ¥0.9599
  • 2000+ ¥0.8756
  • 4000+ ¥0.8249
合计:¥8.84
标准包装数量:2000

IRF540NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF540NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:589
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.6251
  • 50+ ¥2.0745
  • 150+ ¥1.8164
  • 500+ ¥1.5862
合计:¥13.13
标准包装数量:1000

IRF3710PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3710PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:8336
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.9751
  • 10+ ¥2.4864
  • 50+ ¥2.1588
  • 100+ ¥1.8812
  • 500+ ¥1.792
  • 1000+ ¥1.7325
合计:¥2.98
标准包装数量:50

IRFR3710ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
  • 库   存:10368
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2205
  • 10+ ¥4.0195
  • 50+ ¥3.7239
  • 100+ ¥3.3764
  • 500+ ¥3.2054
  • 1000+ ¥3.0146
合计:¥4.22
标准包装数量:2000

IRLR2908TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2908TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0326
  • 10+ ¥4.7967
  • 50+ ¥4.4484
  • 100+ ¥4.0392
  • 500+ ¥3.8372
  • 1000+ ¥3.6111
合计:¥5.03
标准包装数量:2000

IPA60R180P7S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPA60R180P7S
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L
  • 描述: 26W(Tc) 20V 4V@ 280µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 650V 180mΩ@ 5.6A,10V 18A 1.081nF@400V TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L 通孔安装
    26W(Tc) 20V 4V@ 280µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 650V 180mΩ@ 5.6A,10V 18A 1.081nF@400V TO-220,TO-220-3,TO-220AB,TO-220FP-3,TO-220TV-5L 通孔安装
  • 库   存:104
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.625
  • 10+ ¥5.3571
  • 50+ ¥4.9632
  • 100+ ¥4.5
  • 500+ ¥4.2722
  • 1000+ ¥4.0179
合计:¥5.63
标准包装数量:50

IPD90P04P4L-04 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD90P04P4L-04
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252-3
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=40 V, 90 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=40 V, 90 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:20
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8
  • 10+ ¥5.2958
  • 50+ ¥5.1602
  • 100+ ¥5
合计:¥5.80
标准包装数量:2500

IRFB4227PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFB4227PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:16593
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.0596
  • 10+ ¥5.1315
  • 50+ ¥4.08
  • 100+ ¥3.56
  • 500+ ¥3.4
  • 1000+ ¥3.3
合计:¥6.06
标准包装数量:50

IRFR4620TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4620TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.4858
  • 10+ ¥6.2873
  • 30+ ¥5.6929
  • 100+ ¥5.0986
  • 500+ ¥3.97
合计:¥7.49
标准包装数量:3000

IRFP4110PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP4110PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:154
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.5799
  • 10+ ¥9.1237
  • 50+ ¥8.858
  • 100+ ¥8.6
合计:¥9.58
标准包装数量:25

SPW20N60C3 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SPW20N60C3
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247
  • 描述: 208KW 20V 3.9V 87nC@ 10V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 10V 20.7A 2.4nF@ 25V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*530cm*20.95mm
    208KW 20V 3.9V 87nC@ 10V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 10V 20.7A 2.4nF@ 25V TO-247 导线安装,通孔安装 15.9mm*530cm*20.95mm
  • 库   存:1198
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.3861
  • 10+ ¥10.8439
  • 50+ ¥10.0466
  • 100+ ¥9.1089
  • 500+ ¥8.6477
  • 1000+ ¥8.133
合计:¥11.39
标准包装数量:30

IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD90P04P405ATMA2
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313封装, 表面贴装
    P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313封装, 表面贴装
  • 库   存:1684
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.9812
  • 10+ ¥11.4106
  • 50+ ¥10.5716
  • 100+ ¥9.5849
  • 500+ ¥9.0996
  • 1000+ ¥8.558
合计:¥11.98
标准包装数量:2500

IMZC120R017M2HXKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IMZC120R017M2HXKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道 1.2KV 97A 通孔安装
    1个N沟道 1.2KV 97A 通孔安装
  • 库   存:29
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥106.1787
  • 1+ ¥106.1787
合计:¥106.18
标准包装数量:240
暂无数据
查看更多
收起
很抱歉,未能找到与“ ”相关参数的商品
点击下方按钮,我们将免费为您人工寻货
咨询客服
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧