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BSS131H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS131H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=240 V, 110 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=240 V, 110 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:719
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.6195
  • 10+ ¥0.5308
  • 50+ ¥0.4679
  • 100+ ¥0.4344
  • 500+ ¥0.4131
  • 1000+ ¥0.4013
合计:¥0.62
标准包装数量:3000

IRLML6244TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLML6244TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 6.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 6.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:43393
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.1262
  • 50+ ¥0.9094
  • 150+ ¥0.8112
  • 500+ ¥0.695
  • 3000+ ¥0.6432
  • 6000+ ¥0.6125
合计:¥5.63
标准包装数量:3000

IRFR9120NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR9120NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:DPAK-5,SOP-8,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 6.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 6.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:13203
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.9111
  • 50+ ¥1.5014
  • 150+ ¥1.3262
  • 500+ ¥1.1106
  • 2000+ ¥1.0146
  • 4000+ ¥0.9571
合计:¥9.56
标准包装数量:2000

IRF9Z24NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9Z24NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 12 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 12 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:6718
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.1069
  • 10+ ¥1.9937
  • 50+ ¥1.8303
  • 100+ ¥1.6664
  • 500+ ¥1.595
  • 1000+ ¥1.4889
合计:¥2.11
标准包装数量:50

IRFR3607TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3607TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:2000,TO-252,TO-252-2,TO-252-3
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D-Pak (TO-252AA)封装, 通孔安装
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.125
  • 10+ ¥2.063
  • 100+ ¥2.022
  • 500+ ¥1.963
合计:¥2.13
标准包装数量:2000

BSP129H6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSP129H6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: 1.8W(Ta) 20V 1V@ 108µA 5.7nC@ 5 V 1个N沟道 240V 6Ω@ 350mA,10V 350mA 108pF@25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
    1.8W(Ta) 20V 1V@ 108µA 5.7nC@ 5 V 1个N沟道 240V 6Ω@ 350mA,10V 350mA 108pF@25V SOT-223 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
  • 库   存:4000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.2457
  • 10+ ¥1.8721
  • 50+ ¥1.7531
  • 100+ ¥1.6051
  • 500+ ¥1.4949
  • 1000+ ¥1.406
合计:¥2.25
标准包装数量:1000

IRLL024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:5698
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.1857
  • 10+ ¥2.5105
  • 30+ ¥2.2296
合计:¥3.19
标准包装数量:2500

IRF640NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF640NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:29146
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8228
  • 10+ ¥3.9914
  • 30+ ¥3.5807
  • 100+ ¥3.1701
  • 500+ ¥2.53
  • 800+ ¥2.4
合计:¥4.82
标准包装数量:800

BSC027N04LS G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC027N04LS G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: N 通道 40V 24A(Ta),100A(Tc) 8-PowerTDFN
    N 通道 40V 24A(Ta),100A(Tc) 8-PowerTDFN
  • 库   存:1789
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.8267
  • 10+ ¥4.0445
  • 30+ ¥3.6367
  • 100+ ¥3.2601
  • 500+ ¥2.8929
  • 1000+ ¥2.7737
合计:¥4.83
标准包装数量:5000

IPD35N10S3L-26 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD35N10S3L-26
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 71W 20V 2.4V 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 24mΩ@ 10V 35A 2.07nF@ 25V TO-252 支架安装,贴片安装 2.41mm(高度)
    71W 20V 2.4V 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 24mΩ@ 10V 35A 2.07nF@ 25V TO-252 支架安装,贴片安装 2.41mm(高度)
  • 库   存:2429
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.263
  • 10+ ¥5.0049
  • 50+ ¥4.6313
  • 100+ ¥4.296
  • 500+ ¥3.9598
  • 1000+ ¥3.7593
合计:¥5.26
标准包装数量:2500

IPC50N04S55R8ATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPC50N04S55R8ATMA1
  • 厂牌:INFINEON
  • 封装:TDSON-8-33
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPC系列, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 IPC系列, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:184
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6355
  • 10+ ¥5.1563
  • 100+ ¥4.5135
合计:¥5.64
标准包装数量:5000

IRF8788TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF8788TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 24 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 24 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:2829
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.6875
  • 10+ ¥5.4167
  • 50+ ¥5.0184
  • 100+ ¥4.55
  • 500+ ¥4.3196
  • 1000+ ¥4.0625
合计:¥5.69
标准包装数量:4000

BSC011N03LSI 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC011N03LSI
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 2.5W 20V 2V 68nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 15V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
    2.5W 20V 2V 68nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 15V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
  • 库   存:46
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.463
  • 10+ ¥6.1552
  • 50+ ¥5.7026
  • 100+ ¥5.1704
  • 500+ ¥4.9086
  • 1000+ ¥4.6164
合计:¥6.46
标准包装数量:5000

BSC123N08NS3G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC123N08NS3G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SON
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 55 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 55 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:9948
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.8686
  • 10+ ¥5.7645
  • 30+ ¥5.2093
  • 100+ ¥4.6837
  • 500+ ¥4.3664
  • 1000+ ¥4.2076
合计:¥6.87
标准包装数量:5000

BSC110N15NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC110N15NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies/IR
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    125KW 20V 4.6V 28nC@ 10V 2个N沟道 150V 11mΩ@ 10V 76A 2.08nF@ 75V TDSON(EP) 贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:354
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.9333
  • 10+ ¥6.328
  • 30+ ¥5.453
  • 100+ ¥4.8153
合计:¥6.93
标准包装数量:5000

IPB80N06S4-05 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB80N06S4-05
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-263
  • 描述: 107W 20V 4V 62nC@ 10V 60V 5.4mΩ@ 10V 5nF@ 25V TO-263
    107W 20V 4V 62nC@ 10V 60V 5.4mΩ@ 10V 5nF@ 25V TO-263
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.3458
  • 10+ ¥7.8349
  • 50+ ¥7.1109
  • 100+ ¥6.2949
  • 500+ ¥5.9075
合计:¥8.35
标准包装数量:1000

IPB072N15N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB072N15N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: N 通道 150V 100A(Tc) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
    N 通道 150V 100A(Tc) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 库   存:32230
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.3318
  • 10+ ¥8.8308
  • 50+ ¥8.1118
  • 100+ ¥7.281
  • 500+ ¥6.8758
  • 1000+ ¥6.4305
合计:¥9.33
标准包装数量:1000

IPB107N20N3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB107N20N3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3811
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥11.3141
  • 10+ ¥9.7277
  • 30+ ¥8.6234
  • 100+ ¥7.6145
  • 500+ ¥7.1684
  • 1000+ ¥6.9705
合计:¥11.31
标准包装数量:1000

IKW40N120CS6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IKW40N120CS6
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 20V 285nC 1.2KV 4.7Ω@10V,950mA 80A 2.7nF@25V TO-247-3
    20V 285nC 1.2KV 4.7Ω@10V,950mA 80A 2.7nF@25V TO-247-3
  • 库   存:9
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥26.3973
合计:¥26.40
标准包装数量:30

IPW60R017C7XKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW60R017C7XKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: Infineon N沟道MOS管 600V CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 109 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道MOS管 600V CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 109 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:37
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥140.7865
  • 10+ ¥131.8798
  • 10+ ¥131.8798
合计:¥140.79
标准包装数量:240
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