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BSS139 H6327 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS139 H6327
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 360mW 20V 2.3nC@ 5V 1个N沟道 250V 14Ω@ 10V 60pF@ 25V SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
    360mW 20V 2.3nC@ 5V 1个N沟道 250V 14Ω@ 10V 60pF@ 25V SOT-23-3 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
  • 库   存:5729
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.6679
  • 10+ ¥1.5884
  • 50+ ¥1.4716
  • 100+ ¥1.3523
  • 500+ ¥1.2996
  • 1000+ ¥1.2204
合计:¥1.67
标准包装数量:3000

IRF9540NPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9540NPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 23 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 23 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:156332
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.309
  • 50+ ¥1.7372
  • 150+ ¥1.5021
  • 500+ ¥1.2923
  • 2500+ ¥1.2346
  • 5000+ ¥1.2
合计:¥11.55
标准包装数量:50

IRF4905PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF4905PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 74 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 74 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:785
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    1-2工作日
    内地交货(含增值税)
    2-5工作日
  • 1+ $0.3 ¥2.7555
  • 10+ $0.28 ¥2.5718
  • 100+ $0.25 ¥2.2963
  • 500+ $0.23 ¥2.1126
合计:¥2.76
标准包装数量:50

IRF7416TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7416TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 20V 1V@ 250µA 92nC@ 10 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
    2.5W(Ta) 20V 1V@ 250µA 92nC@ 10 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SOIC-8 贴片安装 1.75mm(高度)
  • 库   存:561
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.7734
  • 10+ ¥2.1879
  • 30+ ¥1.9305
  • 100+ ¥1.6137
  • 500+ ¥1.4751
  • 1000+ ¥1.3959
合计:¥2.77
标准包装数量:4000

IRLL2705TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLL2705TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOT-223
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1109
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.8844
  • 10+ ¥2.7625
  • 50+ ¥2.5808
  • 100+ ¥2.3631
  • 500+ ¥2.2545
  • 1000+ ¥2.132
合计:¥2.88
标准包装数量:2500

IRF3710PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF3710PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 57 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:8336
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥2.9751
  • 10+ ¥2.4864
  • 50+ ¥2.1588
  • 100+ ¥1.8812
  • 500+ ¥1.792
  • 1000+ ¥1.7325
合计:¥2.98
标准包装数量:50

IRF1405PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF1405PBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-220AB
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 169 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 169 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:424
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.2308
  • 10+ ¥3.0878
  • 50+ ¥2.8763
  • 100+ ¥2.625
合计:¥3.23
标准包装数量:50

IRFR5505TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5505TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2990
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.243
  • 10+ ¥2.5461
  • 30+ ¥2.2483
  • 100+ ¥1.8811
  • 500+ ¥1.7128
  • 1000+ ¥1.6137
合计:¥3.24
标准包装数量:2000

IRFR3710ZTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3710ZTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 42 A, DPAK封装, 印刷电路板
  • 库   存:10368
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.2205
  • 10+ ¥4.0195
  • 50+ ¥3.7239
  • 100+ ¥3.3764
  • 500+ ¥3.2054
  • 1000+ ¥3.0146
合计:¥4.22
标准包装数量:2000

IRLR2908TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR2908TRPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 39 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.0326
  • 10+ ¥4.7967
  • 50+ ¥4.4484
  • 100+ ¥4.0392
  • 500+ ¥3.8372
  • 1000+ ¥3.6111
合计:¥5.03
标准包装数量:2000

BSC030N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC030N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 1个N沟道 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 1个N沟道 80V 3mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:44675
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.9963
  • 10+ ¥4.9128
  • 30+ ¥4.236
  • 100+ ¥3.6825
  • 500+ ¥3.5119
  • 1000+ ¥3.4
合计:¥6.00
标准包装数量:5000

IRFR4620TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR4620TRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:7999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.4858
  • 10+ ¥6.2873
  • 30+ ¥5.6929
  • 100+ ¥5.0986
  • 500+ ¥3.97
合计:¥7.49
标准包装数量:3000

BSC072N08NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC072N08NS5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 69W 20V 3.8V 29nC@ 10V 1个N沟道 80V 7.2mΩ@ 10V,37A 74A 2.1nF@ 40V TDSON-8
    69W 20V 3.8V 29nC@ 10V 1个N沟道 80V 7.2mΩ@ 10V,37A 74A 2.1nF@ 40V TDSON-8
  • 库   存:5426
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.98
  • 10+ ¥9.5048
  • 50+ ¥8.8059
  • 100+ ¥7.984
  • 500+ ¥7.5798
  • 1000+ ¥7.1286
合计:¥9.98
标准包装数量:5000

IKW50N65EH5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IKW50N65EH5
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 275W 20V 20V 31nC 2个P沟道 650V 60A 1.2nF TO-247-3
    275W 20V 20V 31nC 2个P沟道 650V 60A 1.2nF TO-247-3
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥15
  • 10+ ¥14.2857
  • 50+ ¥13.2353
  • 100+ ¥12
  • 500+ ¥11.3924
  • 1000+ ¥10.7143
合计:¥15.00
标准包装数量:30

IRFP3703PBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFP3703PBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-247AC
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 210 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 210 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:275
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥22.2616
  • 10+ ¥21.2015
  • 50+ ¥19.6426
  • 100+ ¥17.8093
合计:¥22.26
标准包装数量:400

IRFS4010TRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS4010TRLPBF
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 180 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:8
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥22.8465
  • 10+ ¥20.2948
  • 30+ ¥18.7321
合计:¥22.85
标准包装数量:800

IPT017N12NM6 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPT017N12NM6
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:--
  • 描述: 1个N沟道 331A
    1个N沟道 331A
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥23.6149
  • 10+ ¥22.1737
  • 50+ ¥20.1202
  • 100+ ¥17.8109
  • 500+ ¥16.7147
  • 1000+ ¥15.5184
合计:¥23.61
标准包装数量:2000

IPB020N10N5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB020N10N5
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263
  • 描述: 375W 20V 2.2V 210nC 1个N沟道 100V 1.7mΩ 120A 15.6nF TO-263 10mm*9.25mm*4.4mm
    375W 20V 2.2V 210nC 1个N沟道 100V 1.7mΩ 120A 15.6nF TO-263 10mm*9.25mm*4.4mm
  • 库   存:999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥31.9303
  • 10+ ¥29.7257
  • 50+ ¥26.4285
  • 100+ ¥24.9
  • 500+ ¥23.5322
合计:¥31.93
标准包装数量:1000

IPW65R019C7FKSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPW65R019C7FKSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TO-247
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 75 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 75 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:24
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥119.97
  • 10+ ¥110.51
合计:¥119.97
标准包装数量:30

IPB117N20NFD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB117N20NFD
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK
  • 描述: 300KW 20V 4V 65nC@ 10V 1个N沟道 200V 11.7mΩ@ 10V 84A 5nF@ 100V D2PAK 支架安装,贴片安装 4.57mm(高度)
    300KW 20V 4V 65nC@ 10V 1个N沟道 200V 11.7mΩ@ 10V 84A 5nF@ 100V D2PAK 支架安装,贴片安装 4.57mm(高度)
  • 库   存:49
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥216.8145
  • 1+ ¥216.8145
合计:¥216.81
标准包装数量:1000
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