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BSS169IXTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS169IXTSA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:SOT-23
  • 描述: Infineon N沟道耗尽型MOS管 BSS169I系列, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道耗尽型MOS管 BSS169I系列, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:2896
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥0.5333
  • 10+ ¥0.5063
  • 100+ ¥0.4878
  • 500+ ¥0.4651
  • 1000+ ¥0.4444
合计:¥0.53
标准包装数量:3000

IRF5803TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF5803TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,DIP-16,SOP-8,SOT-23,TSOP-6
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 3.4 A, TSOP-6封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 3.4 A, TSOP-6封装, 通孔安装
  • 库   存:12
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.1316
  • 10+ ¥1.0288
  • 30+ ¥0.953
  • 100+ ¥0.882
  • 500+ ¥0.84
  • 1000+ ¥0.8
合计:¥1.13
标准包装数量:416

BSS308PEH6327XTSA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSS308PEH6327XTSA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:3000,SOT-23
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=30 V, 1.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=30 V, 1.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:97309
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.2361
  • 10+ ¥1.0392
  • 50+ ¥0.8842
  • 100+ ¥0.7979
  • 500+ ¥0.7168
  • 1000+ ¥0.6394
  • 3000+ ¥0.5853
合计:¥1.24
标准包装数量:3000

IRFR3910TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR3910TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 15 A, TO-252AA封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 15 A, TO-252AA封装, 通孔安装
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.3721
  • 10+ ¥1.1435
  • 100+ ¥0.904
  • 500+ ¥0.8
合计:¥1.37
标准包装数量:2000

IRLR024NTRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR024NTRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:2000,TO-252
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:30853
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥1.5823
  • 50+ ¥1.2367
  • 150+ ¥1.0886
  • 500+ ¥0.9082
  • 2000+ ¥0.8367
  • 4000+ ¥0.7884
合计:¥7.91
标准包装数量:2000

BSC0902NS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0902NS
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON(EP)
  • 描述: 2.5KW 20V 2V 26nC 1个N沟道 30V 2.6mΩ@ 10V 100A 1.7nF@ 15V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
    2.5KW 20V 2V 26nC 1个N沟道 30V 2.6mΩ@ 10V 100A 1.7nF@ 15V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
  • 库   存:12
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥1.67
  • 10+ ¥1.36
  • 30+ ¥1.18
  • 100+ ¥0.89
合计:¥1.67
标准包装数量:5000

IRLR3410TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRLR3410TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252,TO-252-2
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:51398
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥2.8138
  • 50+ ¥2.3109
  • 150+ ¥2.0971
  • 500+ ¥1.6793
  • 2000+ ¥1.5622
  • 4000+ ¥1.4919
合计:¥14.07
标准包装数量:2000

IRF7343TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7343TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道耗尽型MOS管 IRF7343PbF系列, Vds=55 V, 3.4 A,4.7 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道耗尽型MOS管 IRF7343PbF系列, Vds=55 V, 3.4 A,4.7 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:7073
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥3.2979
  • 10+ ¥2.6835
  • 30+ ¥2.4259
  • 100+ ¥2.0988
  • 500+ ¥1.7226
  • 1000+ ¥1.6335
合计:¥3.30
标准包装数量:4000

IRF9952TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9952TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
  • 库   存:19835
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.0348
  • 10+ ¥3.3425
  • 30+ ¥3.0005
  • 100+ ¥2.6603
  • 500+ ¥2.17
  • 1000+ ¥2.06
合计:¥4.03
标准包装数量:4000

IRF9530NSTRLPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF9530NSTRLPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:D2PAK
  • 描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 14 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 14 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1838
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.19
  • 10+ ¥3.33
  • 30+ ¥2.95
  • 100+ ¥2.49
  • 500+ ¥1.98
  • 800+ ¥1.85
合计:¥4.19
标准包装数量:800

IPD70R360P7S 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPD70R360P7S
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-252
  • 描述: 59.5KW 16V 3.5V 16.4nC@ 10V 2个N沟道 700V 360mΩ@ 10V 7.5A 517pF@ 400V TO-252 贴片安装 6.5mm*622cm*2.3mm
    59.5KW 16V 3.5V 16.4nC@ 10V 2个N沟道 700V 360mΩ@ 10V 7.5A 517pF@ 400V TO-252 贴片安装 6.5mm*622cm*2.3mm
  • 库   存:329
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥4.295
  • 10+ ¥3.6118
  • 30+ ¥3.2707
  • 100+ ¥2.9303
  • 500+ ¥2.6402
  • 1000+ ¥2.5302
合计:¥4.30
标准包装数量:2500

IRF7820TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7820TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 3.7 A, SO-8封装, 通孔安装
    Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 3.7 A, SO-8封装, 通孔安装
  • 库   存:3884
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥5.8656
  • 10+ ¥5.5663
  • 50+ ¥5.1314
  • 100+ ¥4.6255
  • 500+ ¥4.3788
合计:¥5.87
标准包装数量:4000

IRF7815TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRF7815TRPBF
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:SOIC-8
  • 描述: 2.5W(Ta) 20V 5V@ 100µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 150V 43mΩ@ 3.1A,10V 5.1A 1.647nF@75V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
    2.5W(Ta) 20V 5V@ 100µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 150V 43mΩ@ 3.1A,10V 5.1A 1.647nF@75V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
  • 库   存:3999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥6.217
  • 10+ ¥5.1426
  • 30+ ¥4.5552
合计:¥6.22
标准包装数量:4000

IAUCN04S7N056DATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IAUCN04S7N056DATMA1
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:--
  • 描述: 2个N沟道 40V 62A 贴片安装
    2个N沟道 40V 62A 贴片安装
  • 库   存:4999
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥7.7996
  • 10+ ¥7.0285
  • 50+ ¥6.4117
  • 100+ ¥5.9039
  • 500+ ¥5.5165
  • 1000+ ¥5.2714
合计:¥7.80
标准包装数量:5000

BSC0702LS 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0702LS
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:TDSON-8-EP
  • 描述: N 通道 60V 100A(Tc) 8-PowerTDFN
    N 通道 60V 100A(Tc) 8-PowerTDFN
  • 库   存:2
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥9.4307
  • 10+ ¥8.5985
  • 30+ ¥8.02
  • 100+ ¥7.5538
  • 500+ ¥7.5241
  • 1000+ ¥7.425
合计:¥9.43
标准包装数量:5000

BSC320N20NS3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC320N20NS3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: N 通道 200V 36A(Tc) 8-PowerTDFN
    N 通道 200V 36A(Tc) 8-PowerTDFN
  • 库   存:4786
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.1736
  • 10+ ¥9.5973
  • 50+ ¥8.7643
  • 100+ ¥7.8153
  • 500+ ¥7.3634
  • 1000+ ¥6.8629
合计:¥10.17
标准包装数量:5000

BSC600N25NS3 G 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC600N25NS3 G
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TDSON-8
  • 描述: 125W 20V 4V 22nC@ 10V 1个N沟道 250V 60mΩ@ 10V 35A 1.77nF@ 100V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
    125W 20V 4V 22nC@ 10V 1个N沟道 250V 60mΩ@ 10V 35A 1.77nF@ 100V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
  • 库   存:5294
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥10.2635
  • 10+ ¥9.7486
  • 50+ ¥9.0001
  • 100+ ¥8.1239
  • 500+ ¥7.6963
  • 1000+ ¥7.2212
合计:¥10.26
标准包装数量:5000

IRFS7730TRL7PP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFS7730TRL7PP
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PARK-7PIN,TO-263
  • 描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=75 V, 269 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=75 V, 269 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:555
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥12.3378
  • 10+ ¥10.8138
  • 30+ ¥9.9661
  • 100+ ¥8.24
  • 500+ ¥7.8234
  • 800+ ¥7.6338
合计:¥12.34
标准包装数量:800

IPB110P06LM 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB110P06LM
  • 厂牌:Infineon Technologies
  • 封装:TO-263-3
  • 描述: 300W 20V 2V 281nC@ 10V 1个P沟道 60V 11mΩ@ 10V,100A 100A 8.5nF TO-263-3
    300W 20V 2V 281nC@ 10V 1个P沟道 60V 11mΩ@ 10V,100A 100A 8.5nF TO-263-3
  • 库   存:916
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥21.0521
  • 10+ ¥19.4327
  • 50+ ¥17.0693
  • 100+ ¥15.9889
  • 500+ ¥15.0372
合计:¥21.05
标准包装数量:1000

IPB720P15LMATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IPB720P15LMATMA1
  • 厂牌:INFINEON TECHNOLOGIES
  • 封装:D2PAK,TO-263
  • 描述: Infineon P沟道MOSFET管, Vds=150 V, 41 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
    Infineon P沟道MOSFET管, Vds=150 V, 41 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥22
  • 10+ ¥21
  • 10+ ¥21
合计:¥22.00
标准包装数量:1000
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