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SCT040W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040W120G3-4AG
  • 厂牌:ST(意法半导体)
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 10μA 56nC@ 18V 312W 1.329nF@ 800V 1.2KV 54mΩ@ 18V 40A 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装 21mm*15.8mm*5mm
    10μA 56nC@ 18V 312W 1.329nF@ 800V 1.2KV 54mΩ@ 18V 40A 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装 21mm*15.8mm*5mm
  • 库   存:200
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥20.4494
  • 600+ ¥19.8594
  • 12000+ ¥19.765
  • 18000+ ¥19.5998
合计:¥204.49
标准包装数量:600

SCT20N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120
  • 厂牌:ST(意法半导体)
  • 封装:--
  • 描述: 100μA 45nC@ 20 V 175W(Tc) 650pF@400V 1 290mΩ@ 10A,20V 20A 1.2KV 3.5V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 20.15mm(高度)
    100μA 45nC@ 20 V 175W(Tc) 650pF@400V 1 290mΩ@ 10A,20V 20A 1.2KV 3.5V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 20.15mm(高度)
  • 库   存:600
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10+ ¥33.9604
  • 600+ ¥33.04
  • 12000+ ¥32.863
  • 18000+ ¥32.6152
合计:¥339.60
标准包装数量:600

SCT019HU120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT019HU120G3AG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: 90A 1.2KV HU-3PAK 贴片安装
    90A 1.2KV HU-3PAK 贴片安装
  • 库   存:9
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥130.3811
  • 5+ ¥116.8215
  • 10+ ¥114.7354
  • 50+ ¥112.6493
  • 100+ ¥112.6493
  • 250+ ¥112.6493
合计:¥260.76
标准包装数量:0

SCTWA10N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA10N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA10N120系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA10N120系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:497
  • 起订量:58
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 1+ ¥96.2916
  • 10+ ¥75.4721
  • 30+ ¥69.3909
  • 120+ ¥63.9682
  • 270+ ¥63.385
合计:¥4,024.67
标准包装数量:1

SCT10N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥42.336
合计:¥25,401.60
标准包装数量:600

SCT055W65G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT055W65G3-4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 32nC@ 18V 210W 721pF@ 400V 72mΩ@ 18V 30A 650V 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    32nC@ 18V 210W 721pF@ 400V 72mΩ@ 18V 30A 650V 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥62.496
合计:¥37,497.60
标准包装数量:600

SCT055HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT055HU65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥64.512
合计:¥38,707.20
标准包装数量:600

SCT040HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040HU65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 10 A, 胶带和卷装封装, 表面贴装
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 10 A, 胶带和卷装封装, 表面贴装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥79.3296
合计:¥47,597.76
标准包装数量:600

SCTWA20N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA20N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 20 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 20 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥84.9744
合计:¥50,984.64
标准包装数量:600

SCT20N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥88.8048
合计:¥53,282.88
标准包装数量:600

SCTH40N120G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH40N120G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: MOS管 SCTH40N系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    MOS管 SCTH40N系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥95.0544
合计:¥95,054.40
标准包装数量:1000

SCTW40N120G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2VAG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥112.4928
合计:¥67,495.68
标准包装数量:600

SCT50N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT50N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 65 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 65 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥155.0304
合计:¥93,018.24
标准包装数量:600

SCTWA60N12G2-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N12G2-4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
    10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
  • 库   存:200
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:0

ADP480120W3-L 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP480120W3-L
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 1.258μC@ 18V 869W 37.42nF@ 800V 2.6mΩ@ 18V 488A 1.2KV 22V 贴片安装
    1.258μC@ 18V 869W 37.42nF@ 800V 2.6mΩ@ 18V 488A 1.2KV 22V 贴片安装
  • 库   存:0
  • 起订量:6
  • 增   量:6
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 600+ ¥155.0304
合计:¥95,748.35
标准包装数量:6
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