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SCTW40N120G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2VAG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS (EUR S&D)
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:2760
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 中国香港
    3-5周
    内地交货(含增值税)
    3-5周
  • 30+ $12.581 ¥108.1966
  • 60+ $11.6052 ¥99.8047
  • 90+ $10.7337 ¥92.3098
  • 150+ $10.4007 ¥89.446
  • 300+ $10.101 ¥86.8686
  • 720+ $9.8346 ¥84.5776
合计:¥3,245.90
标准包装数量:30

SCT20N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 100μA 45nC@ 20 V 175W(Tc) 650pF@400V 1 290mΩ@ 10A,20V 20A 1.2KV 3.5V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 20.15mm(高度)
    100μA 45nC@ 20 V 175W(Tc) 650pF@400V 1 290mΩ@ 10A,20V 20A 1.2KV 3.5V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 20.15mm(高度)
  • 库   存:172
  • 起订量:8
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 4+ $7.3255 ¥60.4354
  • 20+ $7.245 ¥59.7713
  • 75+ $7.1875 ¥59.2969
  • 200+ $7.1415 ¥58.9174
  • 750+ $7.038 ¥58.0635
合计:¥483.48
标准包装数量:1

SCT10N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥41.2776
合计:¥24,766.56
标准包装数量:600

SCT040HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040HU65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 10 A, 胶带和卷装封装, 表面贴装
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 10 A, 胶带和卷装封装, 表面贴装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥77.3464
合计:¥46,407.84
标准包装数量:600

SCTWA20N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA20N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 20 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 20 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥82.85
合计:¥49,710.00
标准包装数量:600

SCT20N120AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型SiC 电源模块 SCT系列, Vds=1200 V, 16 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥86.5847
合计:¥51,950.82
标准包装数量:600

SCTH40N120G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH40N120G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: MOS管 SCTH40N系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    MOS管 SCTH40N系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥92.678
合计:¥92,678.00
标准包装数量:1000

SCT30N120H 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT30N120H
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-2
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCT30N120H系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCT30N120H系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥120.6878
合计:¥120,687.80
标准包装数量:1000

SCT50N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT50N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 65 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 65 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥151.1546
合计:¥90,692.76
标准包装数量:600

SCTWA30N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA30N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥156.0686
合计:¥93,641.16
标准包装数量:600

SCTL90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTL90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
    N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 3000+ ¥181.6214
合计:¥544,864.20
标准包装数量:3000

SCTWA60N12G2-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N12G2-4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
    10μA 101nC@ 18V 388W 2.086nF@ 800V 58mΩ@ 18V 1.2KV 5V 22V
  • 库   存:200
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:5000

ADP480120W3-L 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP480120W3-L
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 1.258μC@ 18V 869W 37.42nF@ 800V 2.6mΩ@ 18V 488A 1.2KV 22V 贴片安装
    1.258μC@ 18V 869W 37.42nF@ 800V 2.6mΩ@ 18V 488A 1.2KV 22V 贴片安装
  • 库   存:0
  • 起订量:6
  • 增   量:6
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 3000+ ¥181.6214
合计:¥64,069.09
标准包装数量:6

SCTWA50N120-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA50N120-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 122nC@ 20V 318W 1.9nF@ 400V 69mΩ@ 20V 1.2KV 25V
    122nC@ 20V 318W 1.9nF@ 400V 69mΩ@ 20V 1.2KV 25V
  • 库   存:0
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:600

SCTWA35N65G2V4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA35N65G2V4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 5μA 73nC@ 20V 240W 1.37nF@ 400V 67mΩ@ 20V 650V 5V 22V
    5μA 73nC@ 20V 240W 1.37nF@ 400V 67mΩ@ 20V 650V 5V 22V
  • 库   存:0
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
合计:0.00
标准包装数量:600
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