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SCT014HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT014HU65G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:1200
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 600+ $17.535 ¥144.6638
合计:¥86,798.28
标准包装数量:600

SCT011H75G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT011H75G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK
  • 描述: 144nC@ 18V 652W 3.831nF@ 400V 15mΩ@ 18V 750V 22V H2PAK
    144nC@ 18V 652W 3.831nF@ 400V 15mΩ@ 18V 750V 22V H2PAK
  • 库   存:4000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 1000+ $21.98 ¥181.335
合计:¥181,335.00
标准包装数量:1000

M1F45M12W2-1LA 碳化硅场效应管

  • 型号: M1F45M12W2-1LA
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 100nC@ 18V 2.086nF@800V 64mΩ@ 20A,18V 30A 1.2KV 5V@1mA 22V 通孔安装
    100nC@ 18V 2.086nF@800V 64mΩ@ 20A,18V 30A 1.2KV 5V@1mA 22V 通孔安装
  • 库   存:103
  • 起订量:8
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 1+ ¥513.5116
  • 11+ ¥384.1576
  • 55+ ¥341.1073
合计:¥4,108.09
标准包装数量:1

ADP61075W3-L 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP61075W3-L
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 1.312μC@ 18V 869W 36.07nF@ 400V 1.6mΩ@ 18V 623A 750V 22V 贴片安装
    1.312μC@ 18V 869W 36.07nF@ 400V 1.6mΩ@ 18V 623A 750V 22V 贴片安装
  • 库   存:72
  • 起订量:6
  • 增   量:6
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 6+ $1837.5 ¥15159.375
合计:¥90,956.25
标准包装数量:6

SCT055HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT055HU65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥64.512
合计:¥38,707.20
标准包装数量:600

SCT070HU120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT070HU120G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: 37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 1.2KV 223W 1 87mΩ@ 18V 30A 1.2KV 22V 1个N沟道 HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
    37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 1.2KV 223W 1 87mΩ@ 18V 30A 1.2KV 22V 1个N沟道 HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥67.1328
合计:¥40,279.68
标准包装数量:600

SCTH35N65G2V-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH35N65G2V-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥78.12
合计:¥78,120.00
标准包装数量:1000

SCTW35N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW35N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW35系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW35系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥82.656
合计:¥49,593.60
标准包装数量:600

SCTWA35N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA35N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA35N65G2V系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCTWA35N65G2V系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥83.664
合计:¥50,198.40
标准包装数量:600

SCTW35N65G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW35N65G2VAG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥85.7808
合计:¥51,468.48
标准包装数量:600

SCT30N120H 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT30N120H
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-2
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCT30N120H系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型SiC 电源模块 SCT30N120H系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥123.7824
合计:¥123,782.40
标准包装数量:1000

SCTH60N120G2-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH60N120G2-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥151.3008
合计:¥151,300.80
标准包装数量:1000

SCTWA50N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA50N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 100μA 122nC@ 20 V 318W(Tc) 1.9nF@400V 1 69mΩ@ 40A,20V 65A 1.2KV 3V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 25.54mm(高度)
    100μA 122nC@ 20 V 318W(Tc) 1.9nF@400V 1 69mΩ@ 40A,20V 65A 1.2KV 3V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 25.54mm(高度)
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥158.0544
合计:¥94,832.64
标准包装数量:600

SCTWA30N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA30N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥160.0704
合计:¥96,042.24
标准包装数量:600

SCTWA60N120G2-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N120G2-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
    STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥167.5296
合计:¥100,517.76
标准包装数量:600

SCTH90N65G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH90N65G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH90系列, Vds=650 V, 116 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH90系列, Vds=650 V, 116 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥178.8192
合计:¥178,819.20
标准包装数量:1000

SCTH100N65G2-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH100N65G2-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥182.5488
合计:¥182,548.80
标准包装数量:1000

SCTL90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTL90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
    N沟道MOS管 SCTL90N系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 3000+ ¥186.2784
合计:¥558,835.20
标准包装数量:3000

SCTWA90N65G2V-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA90N65G2V-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTWA90N65G2V-4系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTWA90N65G2V-4系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥192.2256
合计:¥115,335.36
标准包装数量:600

SCTH70N120G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH70N120G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥192.2256
合计:¥241,819.20
标准包装数量:1000
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