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SCT20N120H 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N120H
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-2
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SiC MOSFET系列, Vds=1200 V, 20 A, H2PAK-2封装, 表面贴装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SiC MOSFET系列, Vds=1200 V, 20 A, H2PAK-2封装, 表面贴装, 3引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 1000+ $5.934 ¥48.9555
合计:¥48,955.50
标准包装数量:1000

SCT040H65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040H65G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 1000+ $6.3392 ¥52.2984
合计:¥52,298.40
标准包装数量:1000

SCTW35N65G2VAG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW35N65G2VAG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:119
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥80.4745
  • 5+ ¥78.8724
  • 10+ ¥75.7439
  • 50+ ¥74.1732
  • 100+ ¥72.5912
  • 250+ ¥71.0092
合计:¥80.47
标准包装数量:0

SCT014HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT014HU65G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:1200
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 600+ $11.73 ¥96.7725
合计:¥58,063.50
标准包装数量:600

SCT30N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT30N120
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:3600
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 30+ $14.605 ¥120.4913
  • 60+ $14.5245 ¥119.8271
  • 90+ $14.4785 ¥119.4476
  • 150+ $14.421 ¥118.9733
  • 300+ $14.2945 ¥117.9296
合计:¥3,614.74
标准包装数量:30

SCT011H75G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT011H75G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK
  • 描述: 144nC@ 18V 652W 3.831nF@ 400V 15mΩ@ 18V 750V 22V H2PAK
    144nC@ 18V 652W 3.831nF@ 400V 15mΩ@ 18V 750V 22V H2PAK
  • 库   存:4000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 1000+ $14.7085 ¥121.3451
合计:¥121,345.10
标准包装数量:1000

SCT015W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT015W120G3-4AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 3.512nF@ 800V 1.2KV 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    3.512nF@ 800V 1.2KV 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:660
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 30+ $16.352 ¥134.904
  • 60+ $16.2624 ¥134.1648
  • 90+ $16.2064 ¥133.7028
  • 120+ $16.1616 ¥133.3332
  • 150+ $16.0384 ¥132.3168
合计:¥4,047.12
标准包装数量:30

SCTH60N120G2-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH60N120G2-7
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:649
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥140.1792
  • 5+ ¥135.0802
  • 10+ ¥132.7298
  • 50+ ¥130.3794
  • 100+ ¥128.029
合计:¥140.18
标准包装数量:0

SCTW60N120G2 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW60N120G2
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=1200 V, 60 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=1200 V, 60 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:30
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥153.7568
  • 5+ ¥146.3576
  • 10+ ¥141.9732
  • 50+ ¥137.5888
  • 100+ ¥133.2044
  • 250+ ¥128.82
合计:¥153.76
标准包装数量:0

M1F45M12W2-1LA 碳化硅场效应管

  • 型号: M1F45M12W2-1LA
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 100nC@ 18V 2.086nF@800V 64mΩ@ 20A,18V 30A 1.2KV 5V@1mA 22V 通孔安装
    100nC@ 18V 2.086nF@800V 64mΩ@ 20A,18V 30A 1.2KV 5V@1mA 22V 通孔安装
  • 库   存:105
  • 起订量:9
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 1+ ¥490.9127
  • 11+ ¥367.2507
  • 110+ ¥326.095
合计:¥4,418.21
标准包装数量:1

ADP61075W3-L 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP61075W3-L
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 1.312μC@ 18V 869W 36.07nF@ 400V 1.6mΩ@ 18V 623A 750V 22V 贴片安装
    1.312μC@ 18V 869W 36.07nF@ 400V 1.6mΩ@ 18V 623A 750V 22V 贴片安装
  • 库   存:72
  • 起订量:6
  • 增   量:6
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 6+ $1207.5 ¥9961.875
合计:¥59,771.25
标准包装数量:6

SCT055HU65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT055HU65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, HU3PAK封装, 表面贴装
  • 库   存:8400
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-15工作日
  • 600+ ¥59.3762
  • 2400+ ¥58.1288
  • 4800+ ¥57.6299
  • 9600+ ¥57.3804
合计:¥35,625.72
标准包装数量:600

SCT070HU120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT070HU120G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: 37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 1.2KV 223W 1 87mΩ@ 18V 30A 1.2KV 22V 1个N沟道 HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
    37nC@ 18V 223KW 900pF@ 850V 1.2KV 223W 1 87mΩ@ 18V 30A 1.2KV 22V 1个N沟道 HU-3PAK 贴片安装 14mm*11.8m*3.5mm
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥65.4545
合计:¥39,272.70
标准包装数量:600

SCTW35N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW35N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW35系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW35系列, Vds=650 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥80.5896
合计:¥48,353.76
标准包装数量:600

SCTWA50N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA50N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: 100μA 122nC@ 20 V 318W(Tc) 1.9nF@400V 1 69mΩ@ 40A,20V 65A 1.2KV 3V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 25.54mm(高度)
    100μA 122nC@ 20 V 318W(Tc) 1.9nF@400V 1 69mΩ@ 40A,20V 65A 1.2KV 3V@1mA 25V,10V 独立式 1个N沟道 通孔安装 25.54mm(高度)
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥154.103
合计:¥92,461.80
标准包装数量:600

SCTWA60N120G2-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA60N120G2-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
    STMicroelectronics MOS管 SCTW系列, Vds=1200 V, 60 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥163.3414
合计:¥98,004.84
标准包装数量:600

SCTH90N65G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH90N65G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH90系列, Vds=650 V, 116 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH90系列, Vds=650 V, 116 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥174.3487
合计:¥174,348.70
标准包装数量:1000

SCTH100N65G2-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH100N65G2-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=650 V, 98 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥177.9851
合计:¥177,985.10
标准包装数量:1000

SCTWA90N65G2V-4 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA90N65G2V-4
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTWA90N65G2V-4系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTWA90N65G2V-4系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247-4封装, 通孔安装, 4引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥187.42
合计:¥112,452.00
标准包装数量:600

SCTH70N120G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH70N120G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    MOS管 SCTH70N系列, Vds=1200 V, 90 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥187.42
合计:¥235,773.70
标准包装数量:1000
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