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SCT1000N170 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT1000N170
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247-3
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥26.4
  • 10+ ¥25.0633
  • 100+ ¥24.1463
  • 500+ ¥23.0233
  • 1000+ ¥22
合计:¥26.40
标准包装数量:30

SCT070W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT070W120G3-4AG
  • 厂牌:ST
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 41nC@ 18V 236W 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    41nC@ 18V 236W 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:6379
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 600+ ¥25.82
  • 1200+ ¥25.2003
  • 2400+ ¥24.7872
  • 4800+ ¥24.3741
合计:¥15,492.00
标准包装数量:600

SCTW60N120G2 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW60N120G2
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247
  • 描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=1200 V, 60 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=1200 V, 60 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:28
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥150.8097
  • 5+ ¥135.1255
  • 10+ ¥132.7125
  • 50+ ¥130.2995
  • 100+ ¥130.2995
  • 250+ ¥130.2995
合计:¥301.62
标准包装数量:0

A1F25M12W2-F1 碳化硅场效应管

  • 型号: A1F25M12W2-F1
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 147nC@ 18V 3.5nF@800V 34mΩ@ 50A,18V 1.2KV 4.9V@5mA 底座安装
    147nC@ 18V 3.5nF@800V 34mΩ@ 50A,18V 1.2KV 4.9V@5mA 底座安装
  • 库   存:9
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥1536.593
  • 5+ ¥1508.6549
  • 10+ ¥1508.6549
合计:¥1,536.59
标准包装数量:0

SCT040H65G3-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040H65G3-7
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 1000+ $8.1025 ¥66.8456
合计:¥66,845.60
标准包装数量:1000

SCT025H120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT025H120G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: 55A 1.2KV 1个N沟道 H2PAK-7 贴片安装
    55A 1.2KV 1个N沟道 H2PAK-7 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 1000+ $15.435 ¥127.3388
合计:¥127,338.80
标准包装数量:1000

SCT020H120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT020H120G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: 121nC@ 18V 555W 3.465nF@ 800V 28mΩ@ 18V 1.2KV 22V H2PAK-7 贴片安装
    121nC@ 18V 555W 3.465nF@ 800V 28mΩ@ 18V 1.2KV 22V H2PAK-7 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    10-16工作日
    内地交货(含增值税)
    13-18工作日
  • 1000+ $15.8375 ¥130.6594
合计:¥130,659.40
标准包装数量:1000

SCT015W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT015W120G3-4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 3.512nF@ 800V 1.2KV 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    3.512nF@ 800V 1.2KV 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:580
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-13工作日
    内地交货(含增值税)
    7-14工作日
  • 1+ $29.392 ¥243.9536
  • 10+ $23.1012 ¥191.74
  • 100+ $19.98 ¥165.834
合计:¥243.95
标准包装数量:1

ADP360120W3 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP360120W3
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics SiC 电源开关电源芯片, 6通道, 1200 V电源
    STMicroelectronics SiC 电源开关电源芯片, 6通道, 1200 V电源
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 1+ ¥30620.3172
合计:¥30,620.32
标准包装数量:1

SCT10N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥33.0624
合计:¥19,837.44
标准包装数量:600

SCT040H65G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040H65G3AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=650 V, 30 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥65.6208
合计:¥65,620.80
标准包装数量:1000

SCTH35N65G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH35N65G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH35系列, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH35系列, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥74.9952
合计:¥74,995.20
标准包装数量:1000

SCTL35N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTL35N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTL35N65G2V系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTL35N65G2V系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 3000+ ¥86.7888
合计:¥260,366.40
标准包装数量:3000

SCTW40N120G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥101.304
合计:¥60,782.40
标准包装数量:600

SCTH40N120G2V7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH40N120G2V7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 1000+ ¥104.4288
合计:¥104,428.80
标准包装数量:1000

SCT30N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT30N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥124.992
合计:¥74,995.20
标准包装数量:600

SCTW90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥185.0688
合计:¥111,041.28
标准包装数量:600

SCTW100N65G2AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW100N65G2AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥185.976
合计:¥111,585.60
标准包装数量:600

SCTWA90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247
  • 描述: 157nC@ 18V 565W(Tc) 3.38nF@400V 24mΩ@ 50A,18V 119A 650V 5V@1mA 22V 1个N沟道 TO-247 通孔安装
    157nC@ 18V 565W(Tc) 3.38nF@400V 24mΩ@ 50A,18V 119A 650V 5V@1mA 22V 1个N沟道 TO-247 通孔安装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥191.3184
合计:¥114,791.04
标准包装数量:600

SCTW70N120G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW70N120G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: N沟道增强型MOS管 SCTW70N系列, Vds=1200 V, 91 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    N沟道增强型MOS管 SCTW70N系列, Vds=1200 V, 91 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    36-50周
  • 600+ ¥191.3184
合计:¥150,050.88
标准包装数量:600
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