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SCT1000N170 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT1000N170
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247-3
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCT1000N170系列, Vds=1700 V, 7 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:3
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥26.4
  • 10+ ¥25.0633
  • 100+ ¥24.1463
  • 500+ ¥23.0233
  • 1000+ ¥22
合计:¥26.40
标准包装数量:30

SCTH40N120G2V7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH40N120G2V7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:10000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-16工作日
    内地交货(含增值税)
    8-18工作日
  • 1000+ $11.2383 ¥93.3903
合计:¥93,390.30
标准包装数量:1000

SCT019HU120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT019HU120G3AG
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:HU-3PAK
  • 描述: 90A 1.2KV HU-3PAK 贴片安装
    90A 1.2KV HU-3PAK 贴片安装
  • 库   存:9
  • 起订量:3
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-12工作日
    内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ $17.1447 ¥144.0159
  • 5+ $16.8704 ¥141.7116
  • 10+ $16.459 ¥139.4074
  • 50+ $16.1846 ¥135.951
  • 100+ $15.7732 ¥132.4946
  • 250+ $15.4989 ¥130.1904
合计:¥432.05
标准包装数量:0

A1F25M12W2-F1 碳化硅场效应管

  • 型号: A1F25M12W2-F1
  • 厂牌:STMICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: 147nC@ 18V 3.5nF@800V 34mΩ@ 50A,18V 1.2KV 4.9V@5mA 底座安装
    147nC@ 18V 3.5nF@800V 34mΩ@ 50A,18V 1.2KV 4.9V@5mA 底座安装
  • 库   存:9
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-13工作日
  • 1+ ¥1577.7198
  • 5+ ¥1549.034
  • 10+ ¥1549.034
合计:¥1,577.72
标准包装数量:0

SCT040H65G3-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040H65G3-7
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 1000+ $5.4165 ¥44.6861
合计:¥44,686.10
标准包装数量:1000

SCT055W65G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT055W65G3-4AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 32nC@ 18V 210W 721pF@ 400V 72mΩ@ 18V 30A 650V 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    32nC@ 18V 210W 721pF@ 400V 72mΩ@ 18V 30A 650V 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:311
  • 起订量:11
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 5+ $5.75 ¥47.4375
  • 25+ $5.6235 ¥46.3939
  • 75+ $5.543 ¥45.7298
  • 150+ $5.497 ¥45.3503
  • 400+ $5.336 ¥44.022
合计:¥521.81
标准包装数量:30

SCT040W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT040W120G3-4AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 10μA 56nC@ 18V 312W 1.329nF@ 800V 1.2KV 54mΩ@ 18V 40A 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装 21mm*15.8mm*5mm
    10μA 56nC@ 18V 312W 1.329nF@ 800V 1.2KV 54mΩ@ 18V 40A 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装 21mm*15.8mm*5mm
  • 库   存:2400
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 中国香港
    6-14工作日
    内地交货(含增值税)
    7-15工作日
  • 30+ $7.5488 ¥62.2776
  • 90+ $7.4928 ¥61.8156
  • 120+ $7.4704 ¥61.6308
  • 300+ $7.4256 ¥61.2612
  • 450+ $7.3696 ¥60.7992
合计:¥1,868.33
标准包装数量:30

SCTL35N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTL35N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTL35N65G2V系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTL35N65G2V系列, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV封装, 表面贴装, 5引脚
  • 库   存:5655
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 3000+ ¥79.1945
合计:¥237,583.50
标准包装数量:1

SCT025H120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT025H120G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: 55A 1.2KV 1个N沟道 H2PAK-7 贴片安装
    55A 1.2KV 1个N沟道 H2PAK-7 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 1000+ $10.327 ¥85.1978
合计:¥85,197.80
标准包装数量:1000

SCT020H120G3AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT020H120G3AG
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: 121nC@ 18V 555W 3.465nF@ 800V 28mΩ@ 18V 1.2KV 22V H2PAK-7 贴片安装
    121nC@ 18V 555W 3.465nF@ 800V 28mΩ@ 18V 1.2KV 22V H2PAK-7 贴片安装
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 1000+ $10.5915 ¥87.3799
合计:¥87,379.90
标准包装数量:1000

SCTW90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW90N65G2V
  • 厂牌:ST MICROELECTRONICS
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTW90系列, Vds=650 V, 119 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:10
  • 起订量:4
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 中国香港
    7-14工作日
    内地交货(含增值税)
    8-15工作日
  • 2+ $16.9395 ¥139.7509
  • 10+ $16.7095 ¥137.8534
  • 25+ $16.5945 ¥136.9046
  • 75+ $16.445 ¥135.6712
  • 150+ $16.215 ¥133.7738
合计:¥559.00
标准包装数量:1

ADP360120W3 碳化硅场效应管

  • 型号: ADP360120W3
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics SiC 电源开关电源芯片, 6通道, 1200 V电源
    STMicroelectronics SiC 电源开关电源芯片, 6通道, 1200 V电源
  • 库   存:5
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-14工作日
  • 1+ ¥29272.7096
合计:¥29,272.71
标准包装数量:1

SCT10N120 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT10N120
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥32.2358
合计:¥19,341.48
标准包装数量:600

SCT070W120G3-4AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT070W120G3-4AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247-4
  • 描述: 41nC@ 18V 236W 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
    41nC@ 18V 236W 900pF@ 850V 87mΩ@ 18V 1.2KV 22V 1个N沟道 HIP-247-4 通孔安装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥63.4889
合计:¥38,093.34
标准包装数量:600

SCTH35N65G2V-7 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH35N65G2V-7
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH35系列, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 SCTH35系列, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥73.1203
合计:¥73,120.30
标准包装数量:1000

SCTH35N65G2V-7AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTH35N65G2V-7AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:H2PAK-7
  • 描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45 A, H2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:1000
  • 起订量:1000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 1000+ ¥76.167
合计:¥76,167.00
标准包装数量:1000

SCTW40N120G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW40N120G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    MOS管 SCTW40N系列, Vds=1200 V, 36 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥98.7714
合计:¥59,262.84
标准包装数量:600

SCTW100N65G2AG 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW100N65G2AG
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:--
  • 描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
    STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 33 A, H2PAK - 7封装, 表面贴装, 7引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥181.3266
合计:¥108,795.96
标准包装数量:600

SCTWA90N65G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTWA90N65G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-247
  • 描述: 157nC@ 18V 565W(Tc) 3.38nF@400V 24mΩ@ 50A,18V 119A 650V 5V@1mA 22V 1个N沟道 TO-247 通孔安装
    157nC@ 18V 565W(Tc) 3.38nF@400V 24mΩ@ 50A,18V 119A 650V 5V@1mA 22V 1个N沟道 TO-247 通孔安装
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥186.5354
合计:¥111,921.24
标准包装数量:600

SCTW70N120G2V 碳化硅场效应管

  • 型号: SCTW70N120G2V
  • 厂牌:STMicroelectronics
  • 封装:HIP-247
  • 描述: N沟道增强型MOS管 SCTW70N系列, Vds=1200 V, 91 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
    N沟道增强型MOS管 SCTW70N系列, Vds=1200 V, 91 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
  • 库   存:600
  • 起订量:600
  • 增   量:600
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    16-24周
  • 600+ ¥186.5354
合计:¥146,299.62
标准包装数量:600
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