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WSJM65R260XQ-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: WSJM65R260XQ-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 100+ ¥2.508
  • 200+ ¥2.4662
  • 300+ ¥2.4035
  • 400+ ¥2.3617
合计:¥250.80
标准包装数量:50

HCS65R320S-FM-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: HCS65R320S-FM-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 100+ ¥2.5668
  • 200+ ¥2.524
  • 300+ ¥2.4599
  • 400+ ¥2.4171
合计:¥256.68
标准包装数量:50

TPA65R260M 碳化硅场效应管

  • 型号: TPA65R260M
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:20A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:20A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:100
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 100+ ¥2.7
  • 200+ ¥2.655
  • 300+ ¥2.5875
  • 400+ ¥2.5425
合计:¥270.00
标准包装数量:50

SPA11N60C3-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: SPA11N60C3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥3.2376
  • 100+ ¥3.1836
  • 150+ ¥3.1027
  • 200+ ¥3.0487
合计:¥161.88
标准包装数量:50

SSFU6511 碳化硅场效应管

  • 型号: SSFU6511
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥7.2
  • 100+ ¥7.08
  • 150+ ¥6.9
  • 200+ ¥6.78
合计:¥360.00
标准包装数量:50

IMBF170R1K0M1XTMA1 碳化硅场效应管

  • 型号: IMBF170R1K0M1XTMA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-263-7L
  • 描述: ID:6A,VDSS:1700V,RDON:700mR,VGS:-4~+18V,TYPE:N沟道,
    ID:6A,VDSS:1700V,RDON:700mR,VGS:-4~+18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 800+ ¥10.3632
  • 1600+ ¥10.1905
  • 2400+ ¥9.9314
  • 3200+ ¥9.7587
合计:¥8,290.56
标准包装数量:800

NTHL1000N170M1 碳化硅场效应管

  • 型号: NTHL1000N170M1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:5A,VDSS:1700V,RDON:1000mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:5A,VDSS:1700V,RDON:1000mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥10.5456
  • 60+ ¥10.3698
  • 90+ ¥10.1062
  • 120+ ¥9.9304
合计:¥316.37
标准包装数量:30

FCPF11N60T-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: FCPF11N60T-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥11.4
  • 100+ ¥11.21
  • 150+ ¥10.925
  • 200+ ¥10.735
合计:¥570.00
标准包装数量:50

IXTP12N65X2M-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: IXTP12N65X2M-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:9A,VDSS:650V,RDON:320mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:9A,VDSS:650V,RDON:320mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥12.54
  • 100+ ¥12.331
  • 150+ ¥12.0175
  • 200+ ¥11.8085
合计:¥627.00
标准包装数量:50

SPA15N65C3XKSA1-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: SPA15N65C3XKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:9A,VDSS:650V,RDON:320mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:9A,VDSS:650V,RDON:320mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥17.1
  • 100+ ¥16.815
  • 150+ ¥16.3875
  • 200+ ¥16.1025
合计:¥855.00
标准包装数量:50

SIHG075N65E-GE3-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: SIHG075N65E-GE3-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:36A,VDSS:650V,RDON:75mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:36A,VDSS:650V,RDON:75mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥19.722
  • 60+ ¥19.3933
  • 90+ ¥18.9003
  • 120+ ¥18.5715
合计:¥591.66
标准包装数量:30

NTHL027N65S3HF-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: NTHL027N65S3HF-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:108A,VDSS:650V,RDON:20mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
    ID:108A,VDSS:650V,RDON:20mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
  • 120+ ¥21.47
合计:¥684.00
标准包装数量:30

HSCT3060AL 碳化硅场效应管

  • 型号: HSCT3060AL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:49A,VDSS:650V,RDON:33mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
    ID:49A,VDSS:650V,RDON:33mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥30.3389
  • 60+ ¥29.8332
  • 90+ ¥29.0748
  • 120+ ¥28.5691
合计:¥910.17
标准包装数量:30

FCH029N65S3-F155-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: FCH029N65S3-F155-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:99A,VDSS:650V,RDON:26mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
    ID:99A,VDSS:650V,RDON:26mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥39.9
  • 60+ ¥39.235
  • 90+ ¥38.2375
  • 120+ ¥37.5725
合计:¥1,197.00
标准包装数量:30

IPW60R045CPFKSA1-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: IPW60R045CPFKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:70A,VDSS:650V,RDON:44mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:70A,VDSS:650V,RDON:44mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥42.066
  • 60+ ¥41.3649
  • 90+ ¥40.3132
  • 120+ ¥39.6122
合计:¥1,261.98
标准包装数量:30

FCH023N65S3-F155-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: FCH023N65S3-F155-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:108A,VDSS:650V,RDON:20mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
    ID:108A,VDSS:650V,RDON:20mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥42.18
  • 60+ ¥41.477
  • 90+ ¥40.4225
  • 120+ ¥39.7195
合计:¥1,265.40
标准包装数量:30

CMS120N080B-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: CMS120N080B-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-263-7L
  • 描述: ID:30A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:-4/+18V,TYPE:N沟道,
    ID:30A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:-4/+18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 800+ ¥47.94
  • 1600+ ¥47.141
  • 2400+ ¥45.9425
  • 3200+ ¥45.1435
合计:¥38,352.00
标准包装数量:800

SCT3030ARHRC15 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3030ARHRC15
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:97A,VDSS:650V,RDON:25mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
    ID:97A,VDSS:650V,RDON:25mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥94.8
  • 60+ ¥93.22
  • 90+ ¥90.85
  • 120+ ¥89.27
合计:¥2,844.00
标准包装数量:30

UJ3C120040K3S-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: UJ3C120040K3S-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:63A,VDSS:1200V,RDON:32mR,TYPE:N沟道,
    ID:63A,VDSS:1200V,RDON:32mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥114
  • 60+ ¥112.1
  • 90+ ¥109.25
  • 120+ ¥107.35
合计:¥3,420.00
标准包装数量:30

NVBG015N065SC1-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: NVBG015N065SC1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-263-7L
  • 描述: ID:210A,VDSS:750V,RDON:11mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:210A,VDSS:750V,RDON:11mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:800
  • 增   量:800
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 800+ ¥125.4
  • 1600+ ¥123.31
  • 2400+ ¥120.175
  • 2400+ ¥120.175
合计:¥100,320.00
标准包装数量:800
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