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CDMSJ22013.8-650 SL 碳化硅场效应管

  • 型号: CDMSJ22013.8-650 SL
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥9.6
  • 100+ ¥9.44
  • 150+ ¥9.2
  • 200+ ¥9.04
合计:¥480.00
标准包装数量:50

STW20N65M5-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: STW20N65M5-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:25A,VDSS:800V,RDON:165mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:25A,VDSS:800V,RDON:165mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥10.26
  • 60+ ¥10.089
  • 90+ ¥9.8325
  • 120+ ¥9.6615
合计:¥307.80
标准包装数量:30

STFU23N80K5-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: STFU23N80K5-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-220F
  • 描述: ID:20A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
    ID:20A,VDSS:650V,RDON:160mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:50
  • 增   量:50
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  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 50+ ¥12.54
  • 100+ ¥12.331
  • 150+ ¥12.0175
  • 200+ ¥11.8085
合计:¥627.00
标准包装数量:50

G3R75MT12K 碳化硅场效应管

  • 型号: G3R75MT12K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:36A,VDSS:1200V,RDON:80mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:36A,VDSS:1200V,RDON:80mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
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  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥21.7296
  • 60+ ¥21.3674
  • 90+ ¥20.8242
  • 120+ ¥20.462
合计:¥651.89
标准包装数量:30

IMW120R090M1H 碳化硅场效应管

  • 型号: IMW120R090M1H
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:32A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
    ID:32A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
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  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥22.2516
  • 60+ ¥21.8807
  • 90+ ¥21.3245
  • 120+ ¥20.9536
合计:¥667.55
标准包装数量:30

IXFH18N65X2-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: IXFH18N65X2-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:25A,VDSS:800V,RDON:165mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
    ID:25A,VDSS:800V,RDON:165mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
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  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥22.8
  • 60+ ¥22.42
  • 90+ ¥21.85
  • 120+ ¥21.47
合计:¥684.00
标准包装数量:30

TW140N120C,S1F 碳化硅场效应管

  • 型号: TW140N120C,S1F
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:17A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:-4~+18V,TYPE:N沟道,
    ID:17A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:-4~+18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
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  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥24.6756
  • 60+ ¥24.2643
  • 90+ ¥23.6475
  • 120+ ¥23.2362
合计:¥740.27
标准包装数量:30

HTW083Z65C 碳化硅场效应管

  • 型号: HTW083Z65C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:29A,VDSS:650V,RDON:60mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
    ID:29A,VDSS:650V,RDON:60mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
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  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥27.456
  • 60+ ¥26.9984
  • 90+ ¥26.312
  • 120+ ¥25.8544
合计:¥823.68
标准包装数量:30

NVHL160N120SC1 碳化硅场效应管

  • 型号: NVHL160N120SC1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:18A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:18A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
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  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥28.8
  • 60+ ¥28.32
  • 90+ ¥27.6
  • 120+ ¥27.12
合计:¥864.00
标准包装数量:30

IPW60R031CFD7XKSA1-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:99A,VDSS:650V,RDON:26mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
    ID:99A,VDSS:650V,RDON:26mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    7-9工作日
  • 30+ ¥29.64
  • 60+ ¥29.146
  • 90+ ¥28.405
  • 120+ ¥27.911
合计:¥889.20
标准包装数量:30

C3M0040120D-HXY 碳化硅场效应管

  • 型号: C3M0040120D-HXY
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:60A,VDSS:1200V,RDON:40mR,TYPE:N沟道,
    ID:60A,VDSS:1200V,RDON:40mR,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥34.2
  • 60+ ¥33.63
  • 90+ ¥32.775
  • 120+ ¥32.205
合计:¥1,026.00
标准包装数量:30

HTW048Z65C 碳化硅场效应管

  • 型号: HTW048Z65C
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:49A,VDSS:650V,RDON:33mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
    ID:49A,VDSS:650V,RDON:33mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥34.848
  • 60+ ¥34.2672
  • 90+ ¥33.396
  • 120+ ¥32.8152
合计:¥1,045.44
标准包装数量:30

UJ3C120070K3S 碳化硅场效应管

  • 型号: UJ3C120070K3S
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:32A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
    ID:32A,VDSS:1200V,RDON:75mR,VGS:15V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥36
  • 60+ ¥35.4
  • 90+ ¥34.5
  • 120+ ¥33.9
合计:¥1,080.00
标准包装数量:30

HIMZA120R040M1HXKSA1 碳化硅场效应管

  • 型号: HIMZA120R040M1HXKSA1
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:78A,VDSS:1200V,RDON:40mR,VGS:18V,TYPE:N沟道,
    ID:78A,VDSS:1200V,RDON:40mR,VGS:18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥36.96
  • 60+ ¥36.344
  • 90+ ¥35.42
  • 120+ ¥34.804
合计:¥1,108.80
标准包装数量:30

AIMZH120R160M1T 碳化硅场效应管

  • 型号: AIMZH120R160M1T
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:19A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:19A,VDSS:1200V,RDON:160mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥37.32
  • 60+ ¥36.698
  • 90+ ¥35.765
  • 120+ ¥35.143
合计:¥1,119.60
标准包装数量:30

HSCT040W120G3 碳化硅场效应管

  • 型号: HSCT040W120G3
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:55A,VDSS:1200V,RDON:40mR,VGS:18V,TYPE:N沟道,
    ID:55A,VDSS:1200V,RDON:40mR,VGS:18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥47.94
  • 60+ ¥47.141
  • 90+ ¥45.9425
  • 120+ ¥45.1435
合计:¥1,438.20
标准包装数量:30

C2M0040065K 碳化硅场效应管

  • 型号: C2M0040065K
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:49A,VDSS:650V,RDON:45mR,VGS:-4/+18V,TYPE:N沟道,
    ID:49A,VDSS:650V,RDON:45mR,VGS:-4/+18V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥48
  • 60+ ¥47.2
  • 90+ ¥46
  • 120+ ¥45.2
合计:¥1,440.00
标准包装数量:30

SCT3030AR 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT3030AR
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247-4L
  • 描述: ID:97A,VDSS:650V,RDON:25mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
    ID:97A,VDSS:650V,RDON:25mR,VGS:-5~+20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥94.8
  • 60+ ¥93.22
  • 90+ ¥90.85
  • 120+ ¥89.27
合计:¥2,844.00
标准包装数量:30

HSCT20N170 碳化硅场效应管

  • 型号: HSCT20N170
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:72A,VDSS:1700V,RDON:45mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:72A,VDSS:1700V,RDON:45mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥119.358
  • 60+ ¥117.3687
  • 90+ ¥114.3848
  • 120+ ¥112.3955
合计:¥3,580.74
标准包装数量:30

SCT20N170 碳化硅场效应管

  • 型号: SCT20N170
  • 厂牌:HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
  • 封装:TO-247
  • 描述: ID:72A,VDSS:1700V,RDON:45mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
    ID:72A,VDSS:1700V,RDON:45mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
  • 库   存:360000
  • 起订量:30
  • 增   量:30
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    10-11工作日
  • 30+ ¥140.4
  • 60+ ¥138.06
  • 90+ ¥134.55
  • 90+ ¥134.55
合计:¥4,212.00
标准包装数量:30
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