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IKA15N60T-VB IGBT单管

  • 型号: IKA15N60T-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
  • 库   存:20
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥3.4666 ¥3.6491
合计:¥17.33
标准包装数量:1000

AOTF5B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOTF5B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

AOTF10B60D-VB IGBT单管

  • 型号: AOTF10B60D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.5971 ¥4.839
  • 100+ ¥4.446 ¥4.68
  • 200+ ¥4.333 ¥4.561
  • 300+ ¥4.2579 ¥4.482
合计:¥45.97
标准包装数量:1000

NGTB15N60R2FG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB15N60R2FG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

STGP20H60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGP20H60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于需要高耐压、高抗扰性、感性负载驱动的场景,尤其在汽车电子、工业控制、储能系统及航空电子等领域有典型应用。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于需要高耐压、高抗扰性、感性负载驱动的场景,尤其在汽车电子、工业控制、储能系统及航空电子等领域有典型应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥6.821 ¥7.18
  • 50+ ¥6.5968 ¥6.944
  • 100+ ¥6.4296 ¥6.768
  • 200+ ¥6.3175 ¥6.65
合计:¥68.21
标准包装数量:1000

IKP20N65H5-VB IGBT单管

  • 型号: IKP20N65H5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于需要高耐压、高抗扰性、感性负载驱动的场景,尤其在汽车电子、工业控制、储能系统及航空电子等领域有典型应用。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于需要高耐压、高抗扰性、感性负载驱动的场景,尤其在汽车电子、工业控制、储能系统及航空电子等领域有典型应用。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.1507 ¥7.527
  • 50+ ¥6.917 ¥7.281
  • 100+ ¥6.7412 ¥7.096
  • 200+ ¥6.6234 ¥6.972
合计:¥71.51
标准包装数量:1000

AOTF20B65M1-VB IGBT单管

  • 型号: AOTF20B65M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中等功率、高可靠性要求的电力电子系统;如工业自动化设备、智能电池管理系统、工业变频器与伺服驱动器等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中等功率、高可靠性要求的电力电子系统;如工业自动化设备、智能电池管理系统、工业变频器与伺服驱动器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥7.1507 ¥7.527
  • 50+ ¥6.917 ¥7.281
  • 100+ ¥6.7412 ¥7.096
  • 200+ ¥6.6234 ¥6.972
合计:¥71.51
标准包装数量:1000

STGB19NC60HDT4-VB IGBT单管

  • 型号: STGB19NC60HDT4-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
    台积电流片,长电封测。TO263;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、快速开关特性和良好的热管理能力;适用于高可靠性储能系统、工业PLC或变频器输出模块等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.1719 ¥8.602
  • 50+ ¥7.904 ¥8.32
  • 100+ ¥7.7036 ¥8.109
  • 200+ ¥7.5696 ¥7.968
合计:¥40.86
标准包装数量:800

NGTB30N60SWG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB30N60SWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

STGW20NC60VD-VB IGBT单管

  • 型号: STGW20NC60VD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

STGWA30HP65FB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA30HP65FB2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

IKW30N65WR5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW30N65WR5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

NGTB40N65IHRWG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N65IHRWG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW40N60DTP-VB IGBT单管

  • 型号: IKW40N60DTP-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW20N60H3-VB IGBT单管

  • 型号: IKW20N60H3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

STGW40H65FB-VB IGBT单管

  • 型号: STGW40H65FB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=40A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率密度、高可靠性和高动态响应的电力电子系统;如电动水上运动装备、电动垂直起降飞行器、高功率工业或特种设备等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

STGWA20M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA20M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW50N65ES5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW50N65ES5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

AIKW50N65DH5-VB IGBT单管

  • 型号: AIKW50N65DH5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGHL75T65LQDT-VB IGBT单管

  • 型号: FGHL75T65LQDT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
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  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
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