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STGB20H65DFB2-VB IGBT单管

  • 型号: STGB20H65DFB2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-263
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO263;600/650V;25A;VCEsat_1.9V@VGE=15V;VGEth(V)=5V;适用于需要高耐压、强抗短路能力和良好开关特性的工业电力电子场景。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO263;600/650V;25A;VCEsat_1.9V@VGE=15V;VGEth(V)=5V;适用于需要高耐压、强抗短路能力和良好开关特性的工业电力电子场景。
  • 库   存:5
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 5+ ¥5.3719 ¥6.887
合计:¥26.86
标准包装数量:1000

AOD7B65M3-VB IGBT单管

  • 型号: AOD7B65M3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

AOD5B65M1H-VB IGBT单管

  • 型号: AOD5B65M1H-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

IKD06N65ET6-VB IGBT单管

  • 型号: IKD06N65ET6-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

STGF6M65DF2-VB IGBT单管

  • 型号: STGF6M65DF2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于太阳能逆变器、小功率交流电机、直流无刷电机、电磁炉、工业感应加热电源等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.5758 ¥3.764
  • 100+ ¥3.458 ¥3.64
  • 200+ ¥3.3706 ¥3.548
  • 300+ ¥3.3117 ¥3.486
合计:¥53.64
标准包装数量:1000

HGTG30N60A4D-VB IGBT单管

  • 型号: HGTG30N60A4D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

FGH20N60UFDTU-VB IGBT单管

  • 型号: FGH20N60UFDTU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥9.4297 ¥9.926
  • 50+ ¥9.12 ¥9.6
  • 100+ ¥8.8882 ¥9.356
  • 200+ ¥8.7343 ¥9.194
合计:¥47.15
标准包装数量:300

IKW25T120-VB IGBT单管

  • 型号: IKW25T120-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;1200V,IC=25A,VCEsat=1.55V(type)@VGE=15V,VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、高可靠性要求的电能转换场景;如逆变器、充电桩、储能变流器等系统。
    台积电流片,长电封测。TO247;1200V,IC=25A,VCEsat=1.55V(type)@VGE=15V,VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、高可靠性要求的电能转换场景;如逆变器、充电桩、储能变流器等系统。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥13.3589 ¥14.062
  • 50+ ¥12.921 ¥13.601
  • 100+ ¥12.5923 ¥13.255
  • 200+ ¥12.3728 ¥13.024
合计:¥66.79
标准包装数量:300

IKW50N65EH5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW50N65EH5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

AOK50B65H1-VB IGBT单管

  • 型号: AOK50B65H1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGHL50T65MQDT-VB IGBT单管

  • 型号: FGHL50T65MQDT-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

STGWA60V60DF-VB IGBT单管

  • 型号: STGWA60V60DF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

NGTB75N60FL2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB75N60FL2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.5V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于高可靠性、大电流、中低开关频率的电力电子场景;如工业电机驱动、变频器、大功率充电桩、通用高功率开关电源与UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

IRGP4063D-VB IGBT单管

  • 型号: IRGP4063D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT;TO-247;600/650V;60A;VCEsat(V)typ1.7@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);具有低饱和压降、高开关速度、高结温耐受能力以及集成快速恢复二极管等特点;适用于电网储能系统、通信电源、服务器电源、工业电源以及可再生能源系统等。
    台积电流片,长电封测。IGBT;TO-247;600/650V;60A;VCEsat(V)typ1.7@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);具有低饱和压降、高开关速度、高结温耐受能力以及集成快速恢复二极管等特点;适用于电网储能系统、通信电源、服务器电源、工业电源以及可再生能源系统等。
  • 库   存:29976
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

IKW25N120CS7-VB IGBT单管

  • 型号: IKW25N120CS7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.1562 ¥21.217
  • 30+ ¥19.495 ¥20.521
  • 60+ ¥19 ¥20
  • 100+ ¥18.6694 ¥19.652
合计:¥40.31
标准包装数量:300

NGTB40N120FL2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120FL2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.1562 ¥21.217
  • 30+ ¥19.495 ¥20.521
  • 60+ ¥19 ¥20
  • 100+ ¥18.6694 ¥19.652
合计:¥40.31
标准包装数量:300

AOK40B120H1-VB IGBT单管

  • 型号: AOK40B120H1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

IKQ50N120CT2-VB IGBT单管

  • 型号: IKQ50N120CT2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=50A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;具备高电压裕度、高电流能力和良好散热性能;适用于高端骨科创伤手术机器人、AI轮椅主驱动系统、储能变流器以及AI飞轮储能UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=50A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;具备高电压裕度、高电流能力和良好散热性能;适用于高端骨科创伤手术机器人、AI轮椅主驱动系统、储能变流器以及AI飞轮储能UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

IKQ75N120CH7-VB IGBT单管

  • 型号: IKQ75N120CH7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 100+ ¥33.4799 ¥35.242
合计:¥36.15
标准包装数量:300

VBP112MI75 IGBT单管

  • 型号: VBP112MI75
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
合计:¥36.15
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