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IKD06N60RF-VB IGBT单管

  • 型号: IKD06N60RF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.7607 ¥2.906
  • 150+ ¥2.6705 ¥2.811
  • 300+ ¥2.6021 ¥2.739
  • 500+ ¥2.5574 ¥2.692
合计:¥41.41
标准包装数量:2500

NCE07TD60BK-VB IGBT单管

  • 型号: NCE07TD60BK-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

IKD03N60RF-VB IGBT单管

  • 型号: IKD03N60RF-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=7A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于工业自动化控制系统、电磁阀、接触器驱动、电机驱动与控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥2.8937 ¥3.046
  • 100+ ¥2.7987 ¥2.946
  • 200+ ¥2.7284 ¥2.872
  • 300+ ¥2.6809 ¥2.822
合计:¥43.41
标准包装数量:2500

IKD06N60RC2-VB IGBT单管

  • 型号: IKD06N60RC2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
    台积电流片,长电封测。TO252;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于开关电源、照明驱动系统、电池充电器、可再生能源系统、电信设备电源模块、工业电机驱动与变频控制等场景。
  • 库   存:400000
  • 起订量:15
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 15+ ¥3.573 ¥3.761
  • 100+ ¥3.4561 ¥3.638
  • 200+ ¥3.3678 ¥3.545
  • 300+ ¥3.3098 ¥3.484
合计:¥53.60
标准包装数量:2500

AOT10B65M1-VB IGBT单管

  • 型号: AOT10B65M1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=10A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中小功率电机驱动、高可靠性连续运行系统、工业变频器与逆变桥等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥4.257 ¥4.481
  • 100+ ¥4.1173 ¥4.334
  • 200+ ¥4.0128 ¥4.224
  • 300+ ¥3.9425 ¥4.15
合计:¥42.57
标准包装数量:1000

NGTB15N60EG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB15N60EG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
    台积电流片,长电封测。TO220;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低饱和压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源系统、工业电源设备、照明驱动与可再生能源系统等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

AOTF15B65MQ1-VB IGBT单管

  • 型号: AOTF15B65MQ1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
    台积电流片,长电封测。TO220F;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=15A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;具有低导通压降、高开关速度和高可靠性等特点;适用于通信电源、电池充电器、光伏逆变器、HID灯、荧光灯镇流器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 10+ ¥5.1082 ¥5.377
  • 100+ ¥4.94 ¥5.2
  • 200+ ¥4.8146 ¥5.068
  • 300+ ¥4.731 ¥4.98
合计:¥51.08
标准包装数量:1000

HGTG12N60A4D-VB IGBT单管

  • 型号: HGTG12N60A4D-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=25A;VCEsat (typ)=1.9V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于需要高电压、大电流、高可靠性及良好开关性能的工业与能源场景;如水电站备用储能系统、兆瓦级储能系统、虚拟电厂功率转换系统以及工业自动化模块等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=25A;VCEsat (typ)=1.9V@VGE=15V;VGE=±20V;VGEth=5V;适用于需要高电压、大电流、高可靠性及良好开关性能的工业与能源场景;如水电站备用储能系统、兆瓦级储能系统、虚拟电厂功率转换系统以及工业自动化模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥7.8584 ¥8.272
  • 50+ ¥7.6 ¥8
  • 100+ ¥7.4072 ¥7.797
  • 200+ ¥7.278 ¥7.661
合计:¥39.29
标准包装数量:300

STGW30H65FB-VB IGBT单管

  • 型号: STGW30H65FB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=30A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于中高功率、感性负载驱动场景;如除湿机压缩机驱动、AI自动化生产线、化肥合成塔循环泵控制以及电动垂直起降飞行器等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.513 ¥8.961
  • 50+ ¥8.2337 ¥8.667
  • 100+ ¥8.0247 ¥8.447
  • 200+ ¥7.885 ¥8.3
合计:¥42.57
标准包装数量:300

STGW19NC60HD-VB IGBT单管

  • 型号: STGW19NC60HD-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=20A;VCEsat (typ)=1.65V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于对高可靠性、高动态响应和抗负载冲击能力有严格要求的工业场景;如制药发酵罐、搅拌机、泵类、传送带等需要稳定调速和频繁启停的设备。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥8.9576 ¥9.429
  • 50+ ¥8.664 ¥9.12
  • 100+ ¥8.4436 ¥8.888
  • 200+ ¥8.2973 ¥8.734
合计:¥44.79
标准包装数量:300

IKW40N65ES5-VB IGBT单管

  • 型号: IKW40N65ES5-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥14.9302 ¥15.716
  • 50+ ¥14.441 ¥15.201
  • 100+ ¥14.0733 ¥14.814
  • 200+ ¥13.8292 ¥14.557
合计:¥74.65
标准包装数量:300

STGWT40HP65FB-VB IGBT单管

  • 型号: STGWT40HP65FB-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-3P
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
    台积电流片,长电封测。TO3P;IGBT+FRD;VCE=600/650V;ICE=60A;VCEsat (typ)=1.7V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5V;适用于高功率、高可靠性的工业与车载电力电子系统;如逆变器模块、驱动电机、通讯设备等。
  • 库   存:400000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

IKW60N60H3-VB IGBT单管

  • 型号: IKW60N60H3-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

FGH60N60UFDTU-VB IGBT单管

  • 型号: FGH60N60UFDTU-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;600/650V;60A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;30VGE(±V);5Vth(V);适用于中高功率、中低频开关场景;例如电网储能系统、新能源汽车电驱系统、可再生能源系统、工业电源与电机驱动等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:5
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 5+ ¥15.7159 ¥16.543
  • 50+ ¥15.201 ¥16.001
  • 100+ ¥14.8143 ¥15.594
  • 200+ ¥14.5569 ¥15.323
合计:¥78.58
标准包装数量:300

NGTB40N120FL2WG-VB IGBT单管

  • 型号: NGTB40N120FL2WG-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.1562 ¥21.217
  • 30+ ¥19.495 ¥20.521
  • 60+ ¥19 ¥20
  • 100+ ¥18.6694 ¥19.652
合计:¥40.31
标准包装数量:300

IKW25N120CS7-VB IGBT单管

  • 型号: IKW25N120CS7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥20.1562 ¥21.217
  • 30+ ¥19.495 ¥20.521
  • 60+ ¥19 ¥20
  • 100+ ¥18.6694 ¥19.652
合计:¥40.31
标准包装数量:300

AOK40B120H1-VB IGBT单管

  • 型号: AOK40B120H1-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
    台积电流片,长电封测。IGBT+FRD;TO247;1200V;40A;VCEsat_1.55V@VGE=15V;30VGE(±V),Vth=5.5V;适用于高电压、中高功率及严苛环境下的电力电子系统;例如驱动模块、电源模块、高压逆变模块等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥21.2164 ¥22.333
  • 30+ ¥20.521 ¥21.601
  • 60+ ¥19.9994 ¥21.052
  • 100+ ¥19.6517 ¥20.686
合计:¥42.43
标准包装数量:300

IKQ50N120CT2-VB IGBT单管

  • 型号: IKQ50N120CT2-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=50A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;具备高电压裕度、高电流能力和良好散热性能;适用于高端骨科创伤手术机器人、AI轮椅主驱动系统、储能变流器以及AI飞轮储能UPS系统等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=50A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;具备高电压裕度、高电流能力和良好散热性能;适用于高端骨科创伤手术机器人、AI轮椅主驱动系统、储能变流器以及AI飞轮储能UPS系统等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:2
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 2+ ¥28.2891 ¥29.778
  • 30+ ¥27.361 ¥28.801
  • 60+ ¥26.6656 ¥28.069
  • 100+ ¥26.202 ¥27.581
合计:¥56.58
标准包装数量:300

IKQ75N120CH7-VB IGBT单管

  • 型号: IKQ75N120CH7-VB
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 100+ ¥33.4799 ¥35.242
合计:¥36.15
标准包装数量:300

VBP112MI75 IGBT单管

  • 型号: VBP112MI75
  • 厂牌:VBsemi/微碧半导体
  • 封装:TO-247
  • 描述: 台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
    台积电流片,长电封测。TO247;IGBT+FRD;VCE=1200V;ICE=75A;VCEsat (typ)=1.55V@VGE=15V;VGE=±30V;VGEth=5.5V;专为高效率、高可靠性、高功率密度的应用场景设计;适用于变频压缩机驱动、新能源电能转换系统、智能移动充电车、通用工业与消费电子等。
  • 库   存:30000
  • 起订量:1
  • 增   量:1
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  • 内地交货(含增值税)
    4-6工作日
  • 1+ ¥36.1466 ¥38.049
  • 30+ ¥34.9619 ¥36.802
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
  • 60+ ¥34.0727 ¥35.866
合计:¥36.15
标准包装数量:300
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