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XFAB+0.18um高压工艺支持嵌入式闪存方案

XFAB+0.18um高压工艺支持嵌入式闪存方案
来源:EEWORLD 时间:2011-07-06

XH018 嵌入式闪存(eFlash) 工艺为高阶系统芯片(SoCs)提供业界性价比的高压整合方案

2011年7月5日,德国艾尔福特(Erfurt) –X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界少的光罩版数,32层,其中包含数字、模拟、高压元件、并闪 存,而闪存只要额外2层光罩。对高阶片上混合信号系统芯片(SoCs),此方案具有极高的性价比,其中的45V高压元件与嵌入式内存,EEPROM、非挥 发性随机内存(NVRAM) 、嵌入式闪存(eFlash),更适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。

X-FAB将于2011年7月13日举办一场免费的网络研讨会来讨论此项 ”简单且可靠的非挥发性内存(NVM) – 0.18um的嵌入式闪存(eFlash)与嵌入式非挥发性内存(eNVM)”

两种不同的内存模块 – 8K x 32-bit 和 16K x 32bit –新的XH018嵌入式闪存(eFlash)方案易于整合、快速存取,并且比非嵌入式内存更耐用。此方案包含纠错码(ECC)的功能,允许程序在执行的同时修正错误。在1.8V或3.3V工作电压下,提供50nS快速读取,并且不受温度、工作电压和工艺漂移的影响,而且支援低功耗(200uA/MHz) 、高温读取(摄氏175度)的特性。

XFAB 总裁Rudi De Winter表示:“客户告诉我们,他们要用嵌入式闪存eFlash技术作为平台来研发整个系列的产品。有了我们XH018嵌入式闪存(eFlash)方 案,客户可以非常容易地修改软件来根据应用改变产品的性能与定义。因此,客户只要有一个高可靠性与高整合性的电路架构,就可以开发整个系列的产品。对于讲求性价比与复杂性的片上系统芯片(SoCs),XH018嵌入式闪存(eFlash)方案提供一项完美且包含高压制程的组合。”

XH018嵌入式闪存(eFlash)方案也结合X-FAB已有的嵌入式非挥发性内存(NVM),包含一次性可编程(OTP)与非挥发性随机内存(NVRAM)。XFAB更提供编译工具帮助工程师依据自身的需要来定义内存的使用。

XH018嵌入式非挥发性内存(NVM)的设计套件与IP已开放授权并可在X-FAB技术中心(X-TIC)下载使用,其中EEPROM将于2011年第四季度开放授权。而整套的电路模块正在进行综合地测试以通过后的合格验证。X-FAB计划于2012年年初提供另外不同尺寸的内存及高温的特性数据。