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AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET

AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET
来源:电子工程专辑 时间:2011-11-21

日前,集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS),发布了具有行业标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它们的DFN 3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。

新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命,还可以使设计变的更简单紧凑,适用于便携式产品,例如:平板电脑、智能手机,电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。

AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET,它们的RDS(ON)是目前市面上具有相同封装的同类产品中低的。在栅极电压为2.5V时,AON7421的RDS(ON)比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET,低至1.5V,适合应用在低电压范围的负载切换。

AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍:“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准,符合了延长电池寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。