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IRFR1205TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 44 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.52mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 55V  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 44A  
栅极电荷 65nC@ 10 V  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 107W(Tc)  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 26A,10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V  
配置 独立式  
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