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IRF7855TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 12 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.75mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
FET类型 1个N沟道  
Id-连续漏极电流 12A  
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 12A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.56nF@25V  
通道数量 1  
最大功率耗散 2.5W(Ta)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 100µA  
配置 独立式  
栅极电荷 39nC@ 10 V  
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