处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
IRFB5615PBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

IRFB5615PBF 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥5.1104
10+ ¥4.2358
50+ ¥3.4358
100+ ¥3.0096
500+ ¥2.7522
1000+ ¥2.6235
  • 库存: 2991起订)
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

标准整包数: 50

批次: 2552+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 35 A, TO-220AB封装, 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220AB  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
FET类型 1个N沟道  
Vgs-栅源极电压 20V  
Id-连续漏极电流 35A  
通道数量 1  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.75nF@50V  
最大功率耗散 144W(Tc)  
Rds(On)-漏源导通电阻 39mΩ@ 21A,10V  
栅极电荷 40nC@ 10 V  
Vds-漏源极击穿电压 150V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 100µA  
推荐替代 查看更多>
IRFB5615PBF-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
SIHP080N60E-GE3
厂牌: Vishay Intertechnology
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
IRL540NPBF
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 89%
去搜索
IRF540ZPBF
厂牌: International Rectifier
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 89%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧