处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
BSP170PH6327XTSA1-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

BSP170PH6327XTSA1 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥3.981
10+ ¥3.738
50+ ¥3.3918
100+ ¥3.0025
500+ ¥2.8177
1000+ ¥2.6161
  • 库存: 2246 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1000

批次: 2537+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 1000  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.8mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 1.9A,10V  
配置 独立式  
FET类型 1个P沟道  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 1.9A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 410pF@25V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
最大功率耗散 1.8W(Ta)  
栅极电荷 14nC@ 10 V  
推荐替代 查看更多>
BSP170PH6327XTSA1-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
BSP171PH6327XTSA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 77%
去搜索
BSP613PH6327XTSA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 77%
去搜索
BSP171PL6327HTSA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 40%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧