处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
IPB107N20N3G--云汉芯城ICKey.cn

IPB107N20N3G 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥10.2308
10+ ¥8.546
30+ ¥7.5854
100+ ¥6.6053
500+ ¥6.1643
1000+ ¥5.9682
  • 库存: 4471 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1000

批次: 2504+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=200 V, 88 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
栅极电荷 65nC@ 10V  
Id-连续漏极电流 88A  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vds-漏源极击穿电压 200V  
Rds(On)-漏源导通电阻 10.7mΩ@ 88A,10V  
最大功率耗散 300W  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.34nF@ 100V  
配置 独立式  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA  
推荐替代 查看更多>
VBL1201N
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
IPB107N20N3G-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
NP80N055KLE-E1-AY
厂牌: Renesas Electronics
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 65%
去搜索
IXFA90N20X3
厂牌: IXYS
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 71%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧