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VBsemi/微碧半导体

厂牌: VBsemi/微碧半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 4000

批次: 2305+

封装及设计

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描述:N+P—Channel沟道,±30V,10/-8A,RDS(ON),11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72 / 1.44Vth(V) 封装:SO-8
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOP-8  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
FET类型 N+P沟道  
最大功率耗散 -  
栅极电荷 -  
Vds-漏源极击穿电压 ±30V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72/1.44V  
Vgs-栅源极电压 20V  
Id-连续漏极电流 10A,8A  
Rds(On)-漏源导通电阻 11/21mΩ@10V,13/28mΩ@4.5V  
通道数量 -  
配置 -  
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