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VBsemi/微碧半导体

厂牌: VBsemi/微碧半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

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描述:台积电流片,长电封测。N沟道,30V,6A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:QFN6(2X2)场效应管适用于多种对空间、效率与可靠性有要求的电子系统,如便携式/紧凑型设备中的负载开关、高频DC-DC转换器、电源管理等场景。
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN-6  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
通道数量 -  
配置 -  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 -  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,28mΩ@4.5V  
最大功率耗散 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V  
Id-连续漏极电流 5.8A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
Vgs-栅源极电压 20V  
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