处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
FQPF4N90C-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

FQPF4N90C 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥5.0361
10+ ¥4.9176
30+ ¥4.8046
100+ ¥4.75
500+ ¥4.6966
1500+ ¥4.6444
  • 库存: 9 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

ON Semiconductor

厂牌: ON Semiconductor

供应商: 云汉在库

标准整包数: 50

批次: 2429+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=900 V, 4 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220F-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 停产  
包装方式 散装,管装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 960pF@25V  
Vgs-栅源极电压 30V  
Vds-漏源极击穿电压 900V  
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2Ω@ 2A,10V  
Id-连续漏极电流 4A  
通道数量 1  
配置 独立式  
栅极电荷 22nC@ 10 V  
FET类型 1个N沟道  
最大功率耗散 47W(Tc)  
推荐替代 查看更多>
FQPF4N90C
厂牌: isc/无锡固电半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
VBMB195R06
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
CMF4N90
厂牌: CMOS/广东场效应半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
FDPF8N50NZ
厂牌: ON Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 70%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧