处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
NTMFS5C430NLT1G-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

NTMFS5C430NLT1G 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥2.8952
10+ ¥2.3867
30+ ¥2.0929
100+ ¥1.863
500+ ¥1.6999
1000+ ¥1.6
  • 库存: 3757 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

ON Semiconductor

厂牌: ON Semiconductor

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1500

批次: 2543+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 200 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN-5,SO-8FL,SOP-8,SOT-23,TO-220  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*5.9mm*1.05mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 50A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 40V  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@20V  
Vgs-栅源极电压 20V  
栅极电荷 70nC@ 10 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA  
最大功率耗散 3.8W(Ta),110W(Tc)  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 200A  
配置 独立式  
推荐替代 查看更多>
NTMFS5C430NLT1G-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
VBQA1401
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
CSD18542KCS
厂牌: Texas Instruments
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 40%
去搜索
CSD19532KTT
厂牌: Texas Instruments
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 40%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧