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FDN335N-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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ON Semiconductor

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描述:onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 1.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 500mW(Ta)  
Vgs-栅源极电压 8V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 310pF@10V  
Id-连续漏极电流 1.7A  
栅极电荷 5nC@ 4.5 V  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 1.7A,4.5V  
通道数量 1  
配置 独立式  
FET类型 1个N沟道  
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