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IPW65R080CFD-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies/IR

厂牌: Infineon Technologies/IR

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS CFD系列, Vds=700 V, 43 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-247  
RoHS 合规  
安装方式 导线安装,通孔安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 25.57mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.03nF@ 100V  
通道数量 1  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 43.3A  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V  
栅极电荷 167nC@ 10V  
Vds-漏源极击穿电压 650V  
最大功率耗散 391KW  
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